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  • 本发明公开了一种用于芯片与散热片固定的治具,属于芯片固定技术领域,包括治具以及与治具相配合的散热片,治具上设置有一组U型限位片,治具内部开设有若干个绝缘片限位槽和芯片限位槽,绝缘片限位槽和芯片限位槽相连通,芯片限位槽高于绝缘片限位槽,绝缘片...
  • 本申请涉及一种用于功率半导体模块的散热基板及功率半导体,涉及功率半导体热管理技术领域,包括基板本体;导流通道结构,其设置在基板本体上,并用于伸入冷却液内,导流通道结构包括至少一导流通道,导流通道包括至少一导流节段,导流节段包括主通道和辅助通...
  • 本发明提供了一种异构集成近结微流道散热结构,属于陶瓷封装技术领域,包括金属底板、陶瓷基板以及半导体衬底,金属底板内部嵌设有第一层级微流道;陶瓷基板层叠于所述金属底板上面,内部嵌设有第二层级微流道;半导体衬底层叠于所述陶瓷基板上面,内部嵌设有...
  • 本发明公开了一种带散热结构的封装结构及封装方法,通过第一金属载板、第二金属载板、第一导热绝缘膜、第二导热绝缘膜、第一重布线层、第二重布线层的连接配合,以及冷却管路后续在冷却管路内循环通入冷却液,大大降低热阻,增强散热,降低功耗;本申请直接采...
  • 本申请提供一种均温板的结构,涉及均温板技术领域,均温板的结构包括:第一壳体;第二壳体,第二壳体用于与待散热件相接触,第一壳体覆盖在第二壳体上,第一壳体与第二壳体之间形成用于容纳工质的传热腔;由粉末烧结的毛细结构,毛细结构设置在传热腔内,毛细...
  • 本发明涉及集成电路与先进封装技术领域,公开了一种TSV结构及其制备方法,TSV采用鼓形结构,结合一种三元梯度复合绝缘层结构、立方相TaN与非晶Ta双层阻挡层结构以及纳米孪晶铜填充孔结构。本发明能够在介电性能、机械可靠性、铜扩散抑制、低温工艺...
  • 本申请公开了一种用于集成电路的静电放电防护的静电放电防护结构,包括第一芯片;第一芯片包括外围电路和内核电路;外围电路第一端口的第一外围连接垫、与第一外围连接垫相连接的第一静电放电防护电路;内核电路包括内核外接接口电路、内核内接接口电路、第一...
  • 本发明提供一种能够延迟焊料的劣化的进展的半导体装置。在半导体装置中,包括:半导体芯片(12),其在上表面(12a)包括主电极(12a2),在下表面(12b)包括其他主电极;以及引线框(13a),其包括具备经由焊料(17b)而与主电极(12a...
  • 本发明提供了一种功率半导体封装结构及封装方法,涉及半导体封装领域,包括:衬板;功率芯片,所述功率芯片包括背面的漏极以及正面的源极,所述功率芯片的背面与所述衬板的正面烧结连接;连接件,包括第一、第二连接部以及中间部,所述第一连接部与所述功率芯...
  • 电子装置及制造电子装置的方法。在一个示例中,一种电子装置包含衬底,所述衬底包含具有外围部分和中心部分的第一侧、第二侧、横向侧、介电结构及导电结构。电子组件包含在所述中心部分中耦合到所述导电结构的组件第一侧、组件第二侧及组件横向侧。加强件在所...
  • 本申请提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构中,第一基板包括第一绝缘基底、位于第一绝缘基底一侧的第一金属层及多个第一导电柱,第一绝缘基底设有多个第一通孔,各第一导电柱位于一个第一通孔内;第一金属层的各金属块覆盖多个第一导电柱;...
  • 本公开关于一种半导体设备封装和其制造方法。本公开还涉及一种电子装置。该电子装置包括:电路结构,其具有第一介电层;第一天线图案,其安置在所述电路结构上;第二介电层,其安置于所述第一天线图案上,其中所述第一介电层是单块结构且具有第一宽度,所述第...
  • 本发明涉及一种功率模块,能够适当地形成功率环路。本实施方式所涉及的功率模块具有第1导电图案、第2导电图案、第1功率器件、第3导电图案、第1电容元件、第4导电图案、第2电容元件、第1导电插塞、第5导电图案、第2导电插塞以及第2功率器件。在功率...
  • 提供了集成电路。在一方面,一种集成电路,包括:多个第一有源图案,位于第一区域中,并在衬底上沿第一水平方向延伸;硅通孔,位于第一区域中,并竖直地延伸穿过衬底和多个第一有源图案中的至少一个第一有源图案;以及多个第一扩散中断,位于第一区域内,多个...
  • 本申请实施例公开了半导体器件和半导体器件版图的曲线型处理方法。该半导体器件,包括金属互连层;金属互连层的金属覆盖区域为由多个方向不同的边界线通过过渡线连接形成的封闭区域;相邻两条边界线之间的过渡线为根据两条边界线的相交关系确定的曲线,曲线的...
  • 本申请实施例公开了半导体器件和半导体器件版图的非对称型修正方法。该半导体器件,包括金属互连层,金属互连层包括至少一个凹角位置,凹角位置设置有与金属互连层一体成型的过渡带;同一过渡带在凹角位置的两个垂直方向上的延伸距离不同,且在两个垂直方向上...
  • 本申请涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种射频前端模组,包括电路基板以及设于倒装连接于电路基板上的芯片,芯片包括晶体管单元和金属构件,金属构件与晶体管单元的至少任意一个电极电连接,金属构件与晶体管单元的设置区域具有重叠区域;晶体管单元中靠近重...
  • 公开了具有面内部互连的晶体管封装。一种半导体芯片封装包括半导体晶体管芯片,半导体晶体管芯片具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。第一侧包括第一负载电流芯片焊盘和第二负载电流芯片焊盘。互连基板包括第一金属层、第二金属层和被部署在第一金属层和第二金...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域,具体地说是一种高良率高集成2.5D封装结构及封装方法。括若干间隔设置的中介层芯片,中介层芯片两侧表面分别设有导电结构一,中介层芯片一侧表面通过导电结构二连接硅桥芯片、HBM芯片、SoC芯片,并且硅桥芯片一侧分别连...
  • 本发明提供了一种晶圆级跨台阶互连结构及封装方法,所述晶圆级跨台阶互连结构包括基板、芯片、贴膜层和互连线。本发明提供的晶圆级跨台阶互连结构,通过设置基板,在基板上通过粘贴的方式将待堆叠的芯片粘贴到基板上,在基板与芯片上增设贴膜层,起到保护基板...
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