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最新专利技术
  • 一种高透明导电膜的制备工艺
    一种高透明导电膜的制备工艺_苏州凯利昂光电科技有限公司_202510913717.3
    本申请涉及导电膜材料加工领域，具体公开了一种高透明导电膜的制备工艺，包括如下步骤：S1、将氧化铝和氧化锌混合，得到混粉料，经研磨后于烧结成AZO靶材；将三氧化二锑和氧化锡混合，得到混合料，经球墨处理后烧结成ATO靶材；S2、将AZO靶材、A...
    2026-01-22
  • 一种服役于载流摩擦的二硒化铌润滑薄膜的制备方法
    一种服役于载流摩擦的二硒化铌润滑薄膜的制备方法_中国科学院兰州化学物理研究所_202510993873.5
    本发明涉及一种服役于载流摩擦的二硒化铌润滑薄膜的制备方法，该二硒化铌润滑薄膜采用射频磁控溅射法制备。溅射气体为氩气，溅射靶材为二硒化铌，通过改变氩气流量和基底负偏压制备出结构致密、具有良好机械性能、电学性能和润滑性能的二硒化铌薄膜，在大气环...
    2026-01-22
  • 用于装配后修调的微半球谐振子金属化方法
    用于装配后修调的微半球谐振子金属化方法_中国电子科技集团公司第二十六研究所_202511026774.6
    本发明涉及微机电系统制造技术领域，具体涉及一种用于装配后修调的微半球谐振子金属化方法，包括：建立微半球谐振子结构模型，进行仿真并计算谐振子的模态参数；采用有限元软件计算修调宽度和修调深度对微半球谐振子模型频率裂解的影响规律，得到修调质量与频...
    2026-01-22
  • 一种适用于临氢工况的高性能耐磨涂层及其制备方法
    一种适用于临氢工况的高性能耐磨涂层及其制备方法_西南交通大学_202511039821.0
    本发明涉及机械关键零部件表面防护技术领域，公开了一种适用于临氢工况的高性能耐磨涂层及其制备方法。方法包括：1)不锈钢基体表面清洗；2)炉腔内一定真空度下进行反溅射等离子清洗；3)在Ar气气氛中，对TiNbCrZrCu拼接靶材进行预溅射；Ti...
    2026-01-22
  • 一种磁控溅射法制备的梯度高熵合金耐腐蚀涂层的方法
    一种磁控溅射法制备的梯度高熵合金耐腐蚀涂层的方法_天津大学_202511084005.1
    本发明公开了一种磁控溅射法制备的梯度高熵合金耐腐蚀涂层的方法，沉积于F/M钢合金表面的高熵合金涂层为AlCrFeMoTi高熵合金，具体包括如下步骤：将高熵合金涂层原料Al、Cr、Mo、Ti及Fe按照摩尔比为1 : 1 : 1 : 1 : 1...
    2026-01-22
  • 一种晶圆级InSe薄膜的制备方法及半导体结构
    一种晶圆级InSe薄膜的制备方法及半导体结构_北京理工大学_202511100309.2
    本申请实施例提供一种晶圆级InSe薄膜的制备方法，包括：通过磁控溅射法，向衬底上溅射In靶材和InSe化合物靶材，在所述衬底上生成In和InSe化合物混合薄膜；和将带有所述混合薄膜的衬底进行快速退火，以使得所述混合薄膜发生结晶，以在所述衬底...
    2026-01-22
  • 一种金刚石复合材料制备方法
    一种金刚石复合材料制备方法_季华实验室_202511118845.5
    本申请属于金刚石复合材料技术领域，公开了一种金刚石复合材料制备方法，该方法包括：采用磁控溅射技术，在第一金刚石颗粒表面进行镀膜，得到表面形成均匀镀膜的第二金刚石颗粒，通过化学镀金属方法，在第二金刚石颗粒表面沉积目标金属镀层，得到表面形成目标...
    2026-01-22
  • 一种基于双靶反应磁控溅射制备SiCN薄膜的方法及其应用
    一种基于双靶反应磁控溅射制备SiCN薄膜的方法及其应用_山东产研微纳与智能制造研究院有限公司_202511427181.0
    本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种基于双靶反应磁控溅射制备SiCN薄膜的方法及其应用。本发明通过Si靶(射频)和C靶(直流)共溅射，结合N2反应气体，实现薄膜组分和性能的精准调控。通过双靶反应磁控溅射实现了SiCN薄膜的低温、精...
    2026-01-22
  • 一种碳化硅衬底及衬底制备方法
    一种碳化硅衬底及衬底制备方法_安徽东迅密封科技有限公司_202511442636.6
    本发明涉及半导体单晶生长技术领域，具体涉及一种碳化硅衬底及衬底制备方法，包括以下步骤：将4H‑SiC单晶籽晶的生长面通过磁控溅射方式溅射一层钨‑碳复合薄膜；将溅射有所述钨‑碳复合薄膜的籽晶固定于坩埚盖，并在坩埚底部铺设石墨烯纳米层包覆的多孔...
    2026-01-22
  • 磁控管的控制系统、方法及半导体工艺设备
    磁控管的控制系统、方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511461048.7
    本申请公开了一种磁控管的控制系统、方法及半导体工艺设备。其中，该控制系统包括：第一旋转轴的一端与第一电机连接，另一端与第一旋转臂连接；第二旋转轴的一端与第二电机连接，另一端分别与第一旋转臂的一端和第二旋转臂连接，第二旋转臂的一端与磁控管连接...
    2026-01-22
  • 正交电磁场旋转磁控溅射装置
    正交电磁场旋转磁控溅射装置_无锡尚积半导体科技股份有限公司_202511468964.3
    本申请公开了一种正交电磁场旋转磁控溅射装置，包括工作腔、靶材、第一磁组和第二磁组，第一磁组和第二磁组均包括多个永磁体，第一磁组和第二磁组关于工作腔的中心相对设置、且二者的永磁体磁极相反，使磁力线在靶材下方耦合形成平行于靶材表面的正交磁场，正...
    2026-01-22
  • 行星式旋转机构
    行星式旋转机构_光驰科技(上海)有限公司_202511152003.1
    本发明属于真空处理技术领域，公开了一种行星式旋转机构。该行星式旋转机构包括固定齿轮、公转齿轮、公转架和驱动组件，在真空处理腔室的壳体上固定有固定齿轮，并设置可转动的公转齿轮，在公转齿轮上固定公转架并在公转架上设置行星调速齿轮和行星齿轮，工件...
    2026-01-22
  • 一种大口径激光反射镜片真空镀膜系统
    一种大口径激光反射镜片真空镀膜系统_江苏盛益光电有限责任公司_202511356894.2
    本发明公开了一种大口径激光反射镜片真空镀膜系统，涉及真空镀膜系统技术领域，包括镀膜柜及设置于其内的放置组件，所述放置组件包括轴向转动设置的安装架，还包括若干端部摆动设置于安装架上且呈圆周阵列布置的摆动杆，任意两个相邻摆动杆之间活动设置有上装...
    2026-01-22
  • 镀膜监控系统、真空镀膜设备及镀膜监控方法
    镀膜监控系统、真空镀膜设备及镀膜监控方法_光驰科技(上海)有限公司_202410575473.8
    本发明属于真空镀膜技术领域，公开了镀膜监控系统、真空镀膜设备及镀膜监控方法。该镀膜监控系统的监控片包括多个沿径向和周向分布的监控点位，在薄膜沉积源的作用下监控点位处能被沉积薄膜；监控点位选择单元包括第一通孔，第一通孔用于选择性地使至少一个监...
    2026-01-22
  • 用于使沉积在透明基底上的抗反射处理层硬化的方法及包括硬化的抗反射处理层的透明基底
    用于使沉积在透明基底上的抗反射处理层硬化的方法及包括硬化的抗反射处理层的透明基底_柯马杜股份有限公司_202511082301.8
    本发明涉及一种用于使沉积在透明基底上的抗反射处理层(20)硬化的方法，该透明基底包括顶面(22a)和远离该顶面(22a)延伸的底面(22b)，抗反射处理(20)包括将由至少一种材料构成的至少一个抗反射层沉积在该透明基底的该顶面(22a)和该...
    2026-01-22
  • 包含金的薄膜的气相沉积
    包含金的薄膜的气相沉积_ASMIP控股有限公司_202510887989.0
    提供了用于在反应空间中在基底上形成包含金的薄膜的气相沉积法。所述方法可为循环气相沉积法，如原子层沉积(ALD)法。所述方法可包括使基底与包含至少一个硫供体配体和至少一个烷基配体的金前体接触和使基底与包含臭氧的第二反应物接触。沉积的包含金的薄...
    2026-01-22
  • 一种基于ZIF-8和碳多孔过滤层修饰的二氧化锡螺旋管可控制备方法
    一种基于ZIF-8和碳多孔过滤层修饰的二氧化锡螺旋管可控制备方法_上海大学_202511071475.4
    本发明公开了一种基于ZIF‑8和C多孔过滤层修饰的SnO2螺旋管可控制备方法，分别采用ZIF‑8和C修饰在SnO2螺旋管内部，使气体到达敏感层进行反应之前，预先被过滤层对进入的气体进行过滤和筛分的气体传感器，通过原子层沉积技术制备了SnO2...
    2026-01-22
  • 金刚石压阻效应压力敏感结构设计方法
    金刚石压阻效应压力敏感结构设计方法_哈尔滨工业大学_202511129760.7
    本发明公开了金刚石压阻效应压力敏感结构设计方法，包括：以单晶金刚石为基底，通过离子注入形成掩埋氧化层，并利用氧等离子体各向异性刻蚀技术，在金刚石基底上加工出三维梯度悬臂梁阵列与双曲面膜片初始轮廓。随后，采用Ar/Cl2混合气体进行晶向选择性...
    2026-01-22
  • 用于沉积复合膜的方法、系统和装置
    用于沉积复合膜的方法、系统和装置_ASMIP私人控股有限公司_202510579161.9
    用于沉积复合膜的方法、系统和装置，包括支撑衬底，经由第一非原子层沉积(非ALD)过程沉积第一金属电极，经由第一循环ALD过程沉积第一金属衬里，经由第二循环ALD过程沉积包括第一晶体结构的介电层，其中介电层与第一金属衬里层物理接触并且至少与第...
    2026-01-22
  • 抗烧蚀渗铜相变发汗陶瓷固溶体改性C/C材料的制备方法
    抗烧蚀渗铜相变发汗陶瓷固溶体改性C/C材料的制备方法_湖北三江航天江北机械工程有限公司_202510931105.7
    本发明涉及C/C复合陶瓷材料成型技术领域，公开了一种抗烧蚀渗铜相变发汗陶瓷固溶体改性C/C材料的制备方法，包括如下步骤：通过等温化学气相沉积制备低密度C/C复合材料预制体；采用料浆浸渍结合前驱体浸渍‑裂解工艺在低密度C/C复合材料预制体中构...
    2026-01-22
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