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最新专利技术
  • 一种高热导金属钎焊覆铜陶瓷基板及其制备方法
    一种高热导金属钎焊覆铜陶瓷基板及其制备方法_石家庄钨铱电子科技有限公司_202511162765.X
    本发明涉及陶瓷基板技术领域，提出了一种高热导金属钎焊覆铜陶瓷基板及其制备方法。高热导金属钎焊覆铜陶瓷基板由下到上包括陶瓷基体、复合焊料和铜片，复合焊料以重量百分比计，由以下成分组成：Cu 20%~25%、Ti 1%~5%、活性组分1.4%~...
    2025-12-07
  • 散热装置及具有其的半导体器件
    散热装置及具有其的半导体器件_北京怀柔实验室_202511489405.0
    本发明提供了一种散热装置及具有其的半导体器件，其中，散热装置浸没在冷媒内，散热装置包括：壳体，发热元件设置在壳体的外表面上，以将发热元件产生的热量导出，壳体的侧部设置有第一进口，壳体的顶部设置有第一出口，壳体内设置有与第一进口和第一出口均连...
    2025-12-07
  • 基于金刚石-铜-钛多孔结构的AI芯片冷板式液冷装置及其制备方法
    基于金刚石-铜-钛多孔结构的AI芯片冷板式液冷装置及其制备方法_青岛磐芯智云科技有限公司_202511038953.1
    本发明涉及半导体散热技术领域，尤其涉及一种一种基于金刚石‑铜‑钛多孔结构的AI芯片冷板式液冷装置及其制备方法, 其包括：散热基体，所述散热基体为由金刚石颗粒、铜粉和钛粉组成的复合材料制成的块体，其内部具有贯通孔隙，以形成冷却液通道；包覆壳体...
    2025-12-07
  • 一种自适应针鳍微通道散热器结构
    一种自适应针鳍微通道散热器结构_长沙安牧泉智能科技有限公司_202511068385.X
    本发明公开了一种自适应针鳍微通道散热器结构，包括中间传导体，中间传导体内设有液冷腔，液冷腔包括沿进液方向依次设置的进液区、微通道区和出液区，进液区和出液区分别连通进液口和出液口；微通道区上设有若干针鳍，针鳍之间的间隙相配合形成允许冷却液通过...
    2025-12-07
  • 氮化硅陶瓷基液体流道散热器及其制备方法
    氮化硅陶瓷基液体流道散热器及其制备方法_长沙瑶熙半导体科技有限公司_202511073676.8
    本申请公开了一种氮化硅陶瓷基液体流道散热器及其制备方法。所述氮化硅陶瓷基液体流道散热器由氮化硅陶瓷材料制备而成，所述氮化硅陶瓷基液体流道散热器具有进液孔、出液孔以及封闭的液冷流道，所述液冷流道的两端分别与所述进液孔、所述出液孔相通。本申请基...
    2025-12-07
  • 一种具有多阶环形浅沟槽隔离结构硅通孔的芯片
    一种具有多阶环形浅沟槽隔离结构硅通孔的芯片_南通大学_202511483208.8
    本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有多阶环形浅沟槽隔离结构硅通孔的芯片。该芯片包括硅晶片、设置于硅晶片中的通孔和设置于硅晶片上的多阶环形浅沟槽隔离结构；在通孔内由孔壁向中心依次设置有绝缘层和导体层；多阶环形浅沟槽隔离结构包括由内向外设置...
    2025-12-07
  • 具有盖接触元件和盖烧结化合物的功率模块
    具有盖接触元件和盖烧结化合物的功率模块_罗伯特·博世有限公司_202410598262.6
    本发明涉及具有盖接触元件和盖烧结化合物的功率模块。为了实现至少一个功率半导体的即使在例如超过230℃的高温中和/或在高的热机械负载中也不可松开的电和热连接并且以该方式提高功率模块的功率密度和/或使用寿命和/或运行安全，第一烧结化合物层(20...
    2025-12-07
  • 一种待封装芯片、制备方法及半导体器件
    一种待封装芯片、制备方法及半导体器件_粤芯半导体技术股份有限公司_202511485051.2
    本申请提供了一种待封装芯片、制备方法及半导体器件，待封装芯片包括：初始芯片，所述初始芯片包括顶层金属层；凸块结构，设置在所述初始芯片的顶层金属层之上，所述凸块结构包括第一氧化层、钝化层、第二氧化层和外接金属层，所述钝化层设置在所述第一氧化层...
    2025-12-07
  • 一种智能功率模块及其制造方法、控制器及家用电器
    一种智能功率模块及其制造方法、控制器及家用电器_珠海格力电器股份有限公司_202511139378.4
    本发明公开了一种智能功率模块及其制造方法、控制器及家用电器，涉及半导体技术领域。本发明包括覆铜陶瓷基板、芯片组以及引线框架组。芯片组包括至少两个功率芯片，至少一个功率芯片位于覆铜陶瓷基板上。引线框架组至少包括第一引线框架和第二引线框架，第一...
    2025-12-07
  • 布线基板和包括其的半导体封装
    布线基板和包括其的半导体封装_三星电子株式会社_202510232645.6
    本公开涉及布线基板和包括其的半导体封装。该布线基板可以包括第一互连层、其上的第二互连层以及在第一互连层的底表面上的基板保护层。第一互连层可以包括第一凸块下焊盘和第一布线图案，第一布线图案连接到第一凸块下焊盘并在第一方向上从第一凸块下焊盘延伸...
    2025-12-07
  • 闪存芯片的连接板及其制备方法、闪存芯片
    闪存芯片的连接板及其制备方法、闪存芯片_西安格易安创集成电路有限公司_202511419631.1
    本公开提供了一种闪存芯片的连接板及其制备方法、闪存芯片，涉及半导体技术领域。该连接板包括：绝缘层，具有相对的第一表面和第二表面；半导体衬底，设置于绝缘层的第一表面；导电层，设置于绝缘层的第二表面，导电层包括多个形状不同的导电片，导电片分布在...
    2025-12-07
  • 芯片封装结构、电子设备及芯片封装结构的制造方法
    芯片封装结构、电子设备及芯片封装结构的制造方法_华为技术有限公司_202410619495.X
    一种芯片封装结构、电子设备及芯片封装结构的制造方法，芯片封装结构包括沿芯片封装结构厚度方向层叠设置的多层重布线层、中介层和芯片层；每层重布线层包括多个金属化图形，相邻金属化图形之间具有间隙，芯片封装结构沿厚度方向设有贯穿芯片层、中介层和多层...
    2025-12-07
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511467955.2
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：结构层，结构层具有互连区域；叠层结构，位于结构层上，包括沿第一方向堆叠的间隔介质层和超低K介质层，第一方向为结构层的厚度方向；低K介质层，沿第一方向贯穿叠层结构；以及导电通道，沿第一...
    2025-12-07
  • 半导体晶圆、加工半导体晶圆的方法和半导体芯片
    半导体晶圆、加工半导体晶圆的方法和半导体芯片_爱思开海力士有限公司_202510401697.1
    本申请涉及半导体晶圆、加工半导体晶圆的方法和半导体芯片。根据实施方式的半导体芯片包括：基板，其包括芯片区域和围绕芯片区域的残余划道；以及红外标记，其设置在芯片区域内或残余划道中。红外标记包括多个光学图案。多个光学图案包括在基板上方具有不同层...
    2025-12-07
  • 一种TSV套刻偏移检测结构及其检测方法
    一种TSV套刻偏移检测结构及其检测方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511454905.0
    本发明提供一种TSV套刻偏移检测结构及其检测方法，本发明的TSV套刻偏移检测结构包括：第一晶圆，其键合面上形成有第一金属层；第二晶圆，与第一晶圆键合，第二晶圆内至少形成有两个TSV通孔，在第二晶圆的键合面上形成有第二金属层，在第二晶圆的非键...
    2025-12-07
  • 一种检测Si位错的测试结构以及Si位错检测方法
    一种检测Si位错的测试结构以及Si位错检测方法_华南理工大学_202511469405.4
    本申请提供了一种检测Si位错的测试结构以及Si位错检测方法，其中，测试结构集成于待测晶圆的切割道中，且与所述待测晶圆中的器件同步形成，所述测试结构包括：隔离沟槽和有源区，所述有源区位于所述隔离沟槽两侧且互联，在所述有源区内设有源漏掺杂区域；...
    2025-12-07
  • 基板结构以及半导体封装
    基板结构以及半导体封装_创意电子股份有限公司_202410590779.0
    本发明提供一种基板结构以及半导体封装，所述基板结构包括基板、重布线结构以及接垫连接层。基板具有第一晶粒区、第二晶粒区以及延伸于第一晶粒区及第二晶粒区之间的间隔区。重布线结构配置在基板上，其中重布线结构包括多条信号布线与多条屏蔽布线。信号布线...
    2025-12-07
  • 一种超高耐压数字隔离器封装结构及制造方法
    一种超高耐压数字隔离器封装结构及制造方法_北京中科格励微科技有限公司_202511080703.4
    本公开提出一种超高耐压数字隔离器封装结构及制造方法，属于隔离器封装技术领域。封装结构包括石英隔离层、封装基板、绝缘层、第一耦合传输单元和第二耦合传输单元构成耦合传输结构、第一数字隔离芯片和第二数字隔离芯片，通过耦合传输结构实现信号的隔离传输...
    2025-12-07
  • 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
    显示面板、显示装置及显示面板的制备方法_成都辰显光电有限公司_202410566997.0
    本申请公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，该显示面板包括第一基板、第二基板、驱动层和发光元件，第一基板设有相背设置的第一表面和第二表面；第二基板设置在第一基板的第一表面一侧且与第一基板间隔设置，第二基板设有朝向第二基板的第三表...
    2025-12-07
  • 一种富空位和氢键网络高容量超低温氢气电池钒基普鲁士蓝正极及其制备方法
    一种富空位和氢键网络高容量超低温氢气电池钒基普鲁士蓝正极及其制备方法_北京工业大学_202511028087.8
    一种富空位和氢键网络高容量超低温氢气电池钒基普鲁士蓝正极及其制备方法，属于电化学储能技术领域。通过五氧化钒和铁氰化钾简单便捷的共沉淀法，制备得到富空位和氢键网络的钒基普鲁士蓝类似物(VFeCN‑VHCF)。利用电化学工作站在低温条件下进行电...
    2025-12-07
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