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最新专利技术
  • 一种雪崩光电探测器及其制备方法
    一种雪崩光电探测器及其制备方法_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511184686.9
    本公开提供了一种雪崩光电探测器及其制备方法，其中，所述雪崩光电探测器包括：自下而上依次堆叠的第一电极层、衬底、吸收层、倍增层、欧姆接触层和第二电极层；其中，所述吸收层的材料包括氧化铟镓，所述倍增层的材料包括氧化镓。通过将光吸收过程与载流子倍...
    2025-11-24
  • 传感器封装方法和传感器封装结构
    传感器封装方法和传感器封装结构_甬矽电子(宁波)股份有限公司_202511104147.X
    本申请提供的一种传感器封装方法和传感器封装结构，涉及半导体封装技术领域。该传感器封装方法包括：提供具有挡墙结构的基板；在基板上贴装电子元件；其中，挡墙结构位于电子元件的外周。在挡墙结构远离基板的一侧贴装玻璃盖板；其中，玻璃盖板的边缘和挡墙结...
    2025-11-24
  • 复合金属栅格及其制备方法
    复合金属栅格及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511468859.X
    本发明提供一种复合金属栅格及其制备方法。该复合金属栅格的制备方法包括：在基底上形成芯模层；刻穿芯模层形成多个第一凹槽；形成第一保护层，第一保护层覆盖芯模层的顶面以及第一凹槽的侧壁和底面且在第一凹槽内限定出第二凹槽；在第二凹槽的底部填充第一金...
    2025-11-24
  • 一种像素单元结构及制备方法
    一种像素单元结构及制备方法_创视半导体(杭州)有限公司_202511475449.8
    本发明公开一种像素单元结构及制备方法；涉及图像传感器技术领域；由PD区域将内部的电子传输至FD区域；第一P型离子区域用于改变PD区域内部的电势趋势；第一P型离子区域设置在PD区域周围；第二P型离子区域用于分隔PD区域并改变PD区域内部的电势...
    2025-11-24
  • 一种新型片上高功率微波单元及其工作方法
    一种新型片上高功率微波单元及其工作方法_山东大学_202511475585.7
    本公开提供了一种新型片上高功率微波单元及其工作方法，涉及高功率微波技术技术领域，包括半绝缘宽禁带半导体晶片，在半绝缘宽禁带半导体晶片表面集成储能电容、光电导开关和平面辐射天线；储能电容包括高压端极板、接地端极板以及绝缘介质，绝缘介质设置在所...
    2025-11-24
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511460802.5
    本申请提供了一种半导体器件的制备方法，包括提供衬底，衬底的第一表面上形成有若干间隔排布的功能结构；在衬底的第一表面及功能结构上形成介质层，介质层的顶面具有间隔排布的凸起部和凹陷部；在凹陷部内形成无定形硅层，无定形硅层顺形覆盖凹陷部的内壁；将...
    2025-11-24
  • 一种图像传感器及其制造方法
    一种图像传感器及其制造方法_武汉楚兴技术有限公司_202410585981.4
    本申请提供一种图像传感器及其制造方法，图像传感器包括多个像素区域，方法包括：在多个像素区域形成钙钛矿型材料的第一光活性层，利用第一材料结合位于第二像素区域的第一光活性层，形成第二光活性层，第一材料包括第一卤族元素，利用第一卤族元素调整第一光...
    2025-11-24
  • 影像传感器及其形成方法
    影像传感器及其形成方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202410643018.7
    本发明公开一种影像传感器及其形成方法。影像传感器包括多个像素单元，各像素单元包括基底、栅格结构、色彩转化层、微透镜层以及光衰减层。基底包括由像素隔离结构所界定的主光电转换区以及次光电转换区。栅格结构设置在基底上且与像素隔离结构重叠。色彩转化...
    2025-11-24
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510333732.0
    一种图像传感器，包括：衬底，具有像素区域；以及深隔离图案，设置在衬底内的像素区域之间，其中，深隔离图案包括：衬垫膜，覆盖衬底中的沟槽的侧壁；第一图案，设置在衬垫膜的内侧壁上，并且具有小于衬垫膜的高度的高度；隔离膜，在第一图案的内侧壁上；以及...
    2025-11-24
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510610764.0
    一种图像传感器包括：基底，具有第一表面和第二表面；深元件隔离图案，在基底中以限定多个像素区域；浅元件隔离图案，与第一表面相邻以限定在所述多个像素区域中间隔开的第一有源区域、第二有源区域和第三有源区域；浮置扩散区，在第一有源区域中；控制源极/...
    2025-11-24
  • 半导体装置及制造半导体装置的方法
    半导体装置及制造半导体装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510603367.0
    半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种电子装置包括衬底，所述衬底包含界定在所述衬底的上侧中的空腔。电子组件可安置在所述衬底上方，且盖可安置在所述衬底上方且包含所述空腔中的盖终止部。所述盖的基座可定位在所述电子组件上方。所述盖可...
    2025-11-24
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202410563104.7
    本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：提供一硅衬底，所述硅衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第二表面包括第一区域和第二区域；在第二表面上依次制备隧穿层、第二掺杂层和阻挡层、及第三掺杂层；对沉积有隧穿层、第二掺...
    2025-11-24
  • 退火方法和太阳电池
    退火方法和太阳电池_通威太阳能(金堂)有限公司_202410579054.1
    本发明提出了退火方法和太阳电池。所述退火方法包括：先采用氢气对硅片进行氢化处理，再采用氧气对所述硅片进行氧化处理，形成氧化硅薄层；其中，所述氢化处理过程中，通入氢气的流量为20sccm‑1000sccm；所述氢化处理和所述氧化处理过程中，所...
    2025-11-24
  • 一种集成式光伏组件层压测试一体化机构
    一种集成式光伏组件层压测试一体化机构_禾润电力科技(无锡)有限公司_202510988569.1
    本发明公开了一种集成式光伏组件层压测试一体化机构，包括测试放置底箱，所述测试放置底箱上方设置有放置顶盖，所述测试放置底箱内部设置有内部框体，内部框体内放置有光伏组件本体，所述测试放置底箱的一侧设置有抽真空组件，所述测试放置底箱的内壁上安装有...
    2025-11-24
  • 用于BC电池的半片边缘钝化制备方法
    用于BC电池的半片边缘钝化制备方法_松煜科技(南通)有限公司_202511083572.5
    本申请涉及一种用于BC电池的半片边缘钝化制备方法，属于电池的技术领域。它通过翻转机械手将位于第一电池运输线上的半数电池片旋转反面，使叠放时相邻电池片仅形成正面‑正面或反面‑反面的同质接触结构，彻底规避传统正反接触造成的正面膜层划伤情况；同时...
    2025-11-24
  • 一种适用于N型TOPCON电池的激光辅助烧结方法
    一种适用于N型TOPCON电池的激光辅助烧结方法_宜宾英发德耀科技有限公司_202511104363.4
    本发明公开了一种适用于N型TOPCON电池的激光辅助烧结方法，属于太阳能电池制造技术领域中的一种烧结方法，其技术方案为S1、对硅片的背面进行主栅印刷，S2、对S1完成烘干后的硅片进行背面副栅印刷，在主栅线之间印刷密集的细栅线，扩大电流收集面...
    2025-11-24
  • 一种背接触电池表面结构的制备方法
    一种背接触电池表面结构的制备方法_宜宾英发德睿科技有限公司_202511106314.4
    本发明提供一种背接触电池表面结构的制备方法，涉及背接触电池技术领域，包括如下步骤：S1、对硅片表面进行双面抛光：先粗抛，去除硅片表面损伤层，再用酸和臭氧清洗，再精抛，而后用双氧水和碱的混合液清洗，再用臭氧和酸洗，而后用酸和双氧水混合液清洗，...
    2025-11-24
  • 一种串联肖特基结的光电探测器及制备方法
    一种串联肖特基结的光电探测器及制备方法_郑州炜盛电子科技有限公司_202511161200.X
    本发明涉及一种串联肖特基结的光电探测器及其制备方法。所述光电探测器具有Si/MSe₂/Se的串联肖特基结结构，其中M为钯、铂或钼。其制备方法为：将金属M膜在富硒的生长条件下生长MSe2薄膜的同时将过量的硒蒸汽物理沉积到MSe2的表面，从而获...
    2025-11-24
  • 背接触光伏电池及其制备方法、光伏组件
    背接触光伏电池及其制备方法、光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511178630.2
    本申请涉及一种背接触光伏电池及其制备方法、光伏组件。本申请的背接触光伏电池的制备方法，包括：提供电池预成品，电池预成品的第一表面上间隔设置有正极栅线以及负极栅线；于第一预设区域对电池预成品施加小于击穿电压的反向电压；使用激光光源于第二预设区...
    2025-11-24
  • 一种整片结构及硅片装卸系统
    一种整片结构及硅片装卸系统_深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司_202511268219.4
    本发明提供一种整片结构及硅片装卸系统，其中整片结构包括两个运动装置，运动装置包括在第一方向上间隔设置的第一整片臂和第二整片臂，第一整片臂和第二整片臂沿垂直于第一方向的第二方向延伸，两个运动装置中对应的第二整片臂在同时垂直于第一方向和第二方向...
    2025-11-24
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