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最新专利技术
  • 光伏组件
    光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511255710.3
    本申请提供了一种光伏组件，属于光伏技术领域。该光伏组件包括多个电池片；多条电连接线，沿第一方向延伸并连接相邻的电池片；多个粘接部，位于电池片的至少一个表面上，粘接电连接线和电池片，且粘接部部分地包覆电连接线，粘接部与电池片的表面具有接触区域...
    2025-11-23
  • 一种电池组件和光伏系统
    一种电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511428579.6
    本发明公开了一种电池组件和光伏系统。电池组件包括：多个电池串；多个电池串沿第一方向设置；每一电池串包括多个电池片，多个电池片沿第二方向设置；其中，第一方向与第二方向相互垂直；沿第一方向的相邻两个电池串之间的串间隙大于一串电池串中相邻两个电池...
    2025-11-23
  • 基于CaZrO3/KTaO3界面二维电子气的光调控高频整流器件及制备方法
    基于CaZrO3/KTaO3界面二维电子气的光调控高频整流器件及制备方法_北京航空航天大学_202511103379.3
    本发明提供一种基于CaZrO3/KTaO3界面二维电子气的光调控高频整流器件及制备方法，光调控高频整流器件包括：KTaO3单晶衬底，具备绝缘性；非晶CaZrO3薄膜，设置于KTaO3单晶衬底表面的部分区域，该区域为导电区，非晶CaZrO3薄...
    2025-11-23
  • 一种基于TeOx薄膜异质结的红外探测器及其制备方法
    一种基于TeOx薄膜异质结的红外探测器及其制备方法_南京邮电大学_202511125837.3
    本发明公开一种基于TeOx薄膜异质结的红外探测器及其制备方法，属于红外光电探测器技术领域；一种基于TeOx薄膜异质结的红外探测器包括：包括由下至上依次堆叠的：ITO玻璃沉底、N型缓冲层薄膜、P型TeOx薄膜以及Au电极，所述N型缓冲层薄膜和...
    2025-11-23
  • 雪崩光电二极管
    雪崩光电二极管_朗美通经营有限责任公司_202510509058.7
    本公开涉及雪崩光电二极管。提供了一种特性和可靠性优异的雪崩光电二极管。雪崩光电二极管包括衬底、形成在衬底上方的n型接触层和形成在n型接触层上方的台面结构。台面结构包括倍增层、光吸收层以及p型接触层。在平面图中，倍增层大于光吸收层，并且在平面...
    2025-11-23
  • 单光子雪崩二极管中的光子表面形貌
    单光子雪崩二极管中的光子表面形貌_安华高科技股份有限公司_202510572346.7
    本公开涉及单光子雪崩二极管中的光子表面形貌。一种光电检测器包含半导体层，所述半导体层具有顶部表面、具有第一类型的掺杂的主体，及具有与所述第一类型不同的第二类型的掺杂的第一区域。所述半导体层的所述顶部表面的表面积的第一分率包括表面形貌。所述半...
    2025-11-23
  • 一种基于石墨炔/MoS2范德华异质结构的光电突触晶体管及其制备方法
    一种基于石墨炔/MoS2范德华异质结构的光电突触晶体管及其制备方法_南开大学_202511133817.0
    本发明为一种基于石墨炔/MoS2范德华异质结构的光电突触晶体管及其制备方法。该晶体管的结构自下而上分别为底栅电极/栅介质层、GDY/MoS2异质层和金属源漏电极；所述的GDY/MoS2异质层，其中GDY的厚度为4～5nm，MoS2的厚度为2...
    2025-11-23
  • 用于制造光子或光电子设备的方法
    用于制造光子或光电子设备的方法_意法半导体国际公司_202510629301.9
    本公开涉及用于制造光子或光电子设备的方法。一种制造光子或光学设备的方法，包括以下步骤：a)提供半导体基板，所述半导体基板具有第一区域和第二区域，并被堆叠覆盖，其中堆叠的覆盖第一区域的上部部分包括电介质层，所述电介质层具有形成在其中的被金属焊...
    2025-11-23
  • 集成器件以及形成集成器件的方法
    集成器件以及形成集成器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511035020.7
    一些实施例涉及一种集成器件，包括：衬底，包括第一掺杂区；互连结构，位于衬底上，包括多个布线层和通孔层；第一下部接触层，在衬底和互连结构之间延伸；第一接合层，位于互连结构上方；第一上部接触层，在互连结构和第一接合层之间延伸；电容器，位于互连结...
    2025-11-23
  • 一种碲锌镉像素化探测模块及其制备方法
    一种碲锌镉像素化探测模块及其制备方法_江西铜业集团有限公司_202511066450.5
    本发明属于半导体探测器件领域，具体公开一种碲锌镉像素化探测模块及其制备方法。本发明以InSb晶圆作为生长CdZnTe薄膜的衬底，显著提升CdZnTe薄膜的晶体质量，实现晶圆级CdZnTe单晶薄膜的制备，从而提升探测模块的分辨率，并突破其尺寸...
    2025-11-23
  • 一种短波红外图像传感器像素电路
    一种短波红外图像传感器像素电路_中山大学_202511170004.9
    本发明公开了一种短波红外图像传感器像素电路，其涉及光电探测技术领域，包括：将4T有源像素传感器架构中传输门晶体管所连接的光敏元件替换为光电转换器件；光电转换器件包括：光电二极管和场效应晶体管；光电二极管包括：锗外延层、硅衬底掺杂阱区和锗掺杂...
    2025-11-23
  • 图像传感器的制作方法及图像传感器
    图像传感器的制作方法及图像传感器_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202410591114.1
    提供一种图像传感器及其制作方法，制作方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底中定义有多个像素区域；对所述半导体衬底进行第一离子掺杂形成第一隔离结构，所述第一隔离结构将所述半导体衬底分隔成至少两个像素区域；对各所述像素区域进行第二离子掺杂以形成多...
    2025-11-23
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510015910.5
    本公开涉及一种图像传感器，更具体地，涉及一种具有增强结构的图像传感器。根据一些实施例的图像传感器包括：基底；多个单元区域；多个隔离部；以及掺杂区域，在基底中。多个单元区域中的至少一个包括基底中的光电转换部。多个隔离部设置为与多个单元区域的边...
    2025-11-23
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202411991555.7
    提供了图像传感器。图像传感器包括：衬底，衬底包括彼此相反的第一面和第二面；深分隔部件，深分隔部件位于衬底中并且限定第一光接收区域；第一光接收区域，第一光接收区域包括在俯视图中顺时针布置的第一侧表面至第四侧表面；浅分隔部件，浅分隔部件位于衬底...
    2025-11-23
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510022308.4
    一种图像传感器包括：第一区域，其沿与基板的上表面平行的第一方向和第二方向设置，其中，所述第一方向与所述第二方向彼此相交；第二区域，其沿所述第一方向和所述第二方向设置；第一区域中的第一光电二极管；第二区域中的第二光电二极管；图像感测像素电路，...
    2025-11-23
  • 固态成像器件、固态成像器件的制造方法以及电子设备
    固态成像器件、固态成像器件的制造方法以及电子设备_索尼半导体解决方案公司_202511031666.8
    本公开涉及一种固态成像器件、固态成像器件的制造方法和电子设备。固态成像器件包括：设有其中多个像素以平面方式配置的像素区域的半导体基板；层叠在半导体基板上并设有与像素连接的多个配线的配线层；接合到配线层并支撑半导体基板的支撑基板，用于电连接到...
    2025-11-23
  • 半导体器件、图像传感器和电子设备
    半导体器件、图像传感器和电子设备_武汉楚兴技术有限公司_202511373982.3
    本公开提供了一种半导体器件、图像传感器和电子设备，涉及图像传感器技术领域，旨在提高使用该半导体器件的图像传感器的成像质量；半导体器件包括：衬底，以及设置在衬底上方的栅导电层、第一导电层和第二导电层，衬底中设有光电转换区和浮置扩散区；栅导电层...
    2025-11-23
  • 一种真空型半导体探测器及其工艺制作流程
    一种真空型半导体探测器及其工艺制作流程_上海科技大学_202411880941.9
    本发明提供一种真空型半导体探测器及其工艺制作流程，涉及半导体探测器领域。本发明所提供的真空型半导体探测器的帧刷新率≥1kHz，动态范围≥104ph./pixel/pulse@12keV，具备单光子灵敏且S/N≥5@12keV，像素尺寸≤20...
    2025-11-23
  • 一种大气型半导体探测器及其工艺制作流程
    一种大气型半导体探测器及其工艺制作流程_上海科技大学_202411880945.7
    本发明提供一种大气型半导体探测器及其工艺制作流程，涉及半导体探测器领域。本发明第一方面提供一种前端模块的工艺制作流程。本发明第二方面提供一种由本发明第一方面所述的工艺制作流程制备的前端模块。本发明第三方面提供一种大气型半导体探测器，包括如本...
    2025-11-23
  • 一种正面键合的异质集成芯片及制备方法
    一种正面键合的异质集成芯片及制备方法_西湖大学光电研究院_202510918917.8
    本申请提供一种正面键合的异质集成芯片及制备方法，异质集成芯片的氮化硅波导层设置在硅波导层上，并与硅波导层耦合；铌酸锂波导层设置在氮化硅波导层背离硅波导层的一侧，并与氮化硅波导层耦合；铌酸锂波导层包括相互连接的第一子波导层和第二子波导层，第二...
    2025-11-23
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