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最新专利技术
  • 一种批量制备单晶氮化硼晶圆的前驱体载具及装置
    一种批量制备单晶氮化硼晶圆的前驱体载具及装置_北京大学_202511614488.1
    本发明涉及一种批量制备单晶氮化硼晶圆的前驱体载具及装置，前驱体载具包括具有柱状结构的前驱体载具本体，所述前驱体载具本体上设置若干沿其轴向延伸的孔道，所述孔道用于放置前驱体容纳管；所述前驱体容纳管包括一端开口的外套管以及置于所述外套管内的一端...
    2026-02-27
  • 多片炉的调试方法
    多片炉的调试方法_天津中环领先材料技术有限公司_202511431878.5
    本申请公开了一种多片炉的调试方法，属于半导体制造技术领域，本申请实施例的多片炉的调试方法中，通过获取满炉工艺与单片工艺的平均功率并得到两者之间的功率偏差，进而将该功率偏差通过预设的换算关系与单片测试的膜厚均值及电阻均值相关联，以预测整炉的膜...
    2026-02-27
  • 使用经由远程外延进行碳化硅层转移的结构制造方法及碳化硅结构
    使用经由远程外延进行碳化硅层转移的结构制造方法及碳化硅结构_半导体元件工业有限责任公司_202510367992.X
    一种使用经由远程外延进行碳化硅(SiC)层转移的结构制造方法及碳化硅结构，该方法包括在供体晶圆的碳面上形成范德华层，在该范德华层上生长外延SiC层，并且将该外延SiC层晶圆键合到支撑基板晶圆。该支撑基板晶圆由多晶SiC制成。该方法还包括将该...
    2026-02-27
  • 碳化硅外延片及其制备方法
    碳化硅外延片及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511177932.8
    本申请涉及半导体技术领域，提供一种碳化硅外延片及其制备方法，碳化硅外延片的制备方法包括：提供碳化硅衬底；在碳化硅衬底上形成第一缺陷阻挡层；在第一缺陷阻挡层上形成第二缺陷阻挡层，第二缺陷阻挡层与第一缺陷阻挡层的化学成分一致；在第二缺陷阻挡层背...
    2026-02-27
  • 一种钆基蜂巢晶格碳酸盐晶体及其制备方法与应用
    一种钆基蜂巢晶格碳酸盐晶体及其制备方法与应用_南方科技大学_202510959711.X
    本发明涉及绝热去磁制冷材料技术领域，公开了一种钆基蜂巢晶格碳酸盐晶体及其制备方法与应用。所述钆基蜂巢晶格碳酸盐晶体的化学式为Na2Gd(CO3)F3，所述钆基蜂巢晶格碳酸盐晶体属于正交体系，空间群为Pbca，为中心对称结构，晶体的晶胞参数为...
    2026-02-27
  • 卤素钒酸盐非线性光学晶体及其制备方法和应用
    卤素钒酸盐非线性光学晶体及其制备方法和应用_中国科学院理化技术研究所_202511181169.6
    本发明公开一种卤素钒酸盐非线性光学晶体及其制备方法和应用。所述非线性光学晶体的化学式为M4AV5O15X，其中，M选自K或Rb，A选自Cd或Zn，X选自Cl或Br；所述非线性光学晶体为非中心对称结构，属于四方晶系，空间群为P4。所述非线性光...
    2026-02-27
  • 连续直拉单晶全透明内衬石英坩埚及其制备方法与应用
    连续直拉单晶全透明内衬石英坩埚及其制备方法与应用_浙江美晶新材料股份有限公司_202511588573.5
    本发明公开了一种连续直拉单晶全透明内衬石英坩埚及其制备方法与应用，属于石英坩埚技术领域。该内衬石英坩埚包括坩埚本体，坩埚本体包括由内至外依次设置的第一透明层、第二透明层和第三透明层；其中，坩埚本体的总厚度为d，第一透明层和第三透明层的厚度均...
    2026-02-27
  • 一种稀土硼酸盐二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途
    一种稀土硼酸盐二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途_天津理工大学_202410676055.8
    本发明提供了一种稀土硼酸盐二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途，属于光学晶体材料技术领域。所述化合物由固相合成法和助熔剂法制备，该制备方法包括采用助熔剂法生长稀土硼酸盐非线性光学晶体的步骤。所得产品具有大的倍频效应，大的光学带隙，短的紫外截...
    2026-02-27
  • 一种化合物碲酸钛铅非线性光学晶体及制备方法和用途
    一种化合物碲酸钛铅非线性光学晶体及制备方法和用途_天津理工大学_202410676101.4
    本发明提供了一种碲酸钛铅二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途，属于光学晶体材料技术领域。所述化合物由固相合成法和助熔剂法制备，该制备方法包括采用助熔剂法生长碲酸钛铅非线性光学晶体的步骤。所得产品具有大的倍频效应，大的光学带隙，宽的透过范围，...
    2026-02-27
  • 一种单晶锰酸锂的包覆改性方法
    一种单晶锰酸锂的包覆改性方法_福建省云智新材料科技有限公司_202510956827.8
    本发明涉及动力电池技术领域，公开了一种单晶锰酸锂的包覆改性方法，取平均粒径6‑8μm的单晶Mn3O4置于气氛炉中，通入含5vol％氢气的氩氢混合气，以5℃/min升温至580℃保温8小时，随后在含2vol％氧气的氮氧混合气中冷却至300℃，...
    2026-02-27
  • 一种镧系元素掺杂钽酸镓镧高温压电晶体材料及其制备方法与应用
    一种镧系元素掺杂钽酸镓镧高温压电晶体材料及其制备方法与应用_山东大学_202511192910.9
    本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种镧系元素掺杂钽酸镓镧高温压电晶体材料及其制备方法与应用。本发明制得的材料化学通式为RxLa3‑xGa5.5Ta0.5O14，其中R选自镱、铒中的一种或多种，x的取值范围为0.1~1.0，R的引入显著提...
    2026-02-27
  • 一种多孔钛酸钡单晶及其制备方法与应用
    一种多孔钛酸钡单晶及其制备方法与应用_南京理工大学_202511206238.4
    本发明公开了一种多孔钛酸钡单晶及其制备方法与应用，属于压电单晶材料技术领域。本发明的多孔钛酸钡单晶具有超高的压电电压系数，可达到(50～55)×10‑3Vm/N，在传感器、换能器等机电器件中具有较好的应用前景。本发明的多孔钛酸钡单晶采用固相...
    2026-02-27
  • 一种高Mn4+含量氟硅酸盐荧光单晶材料及其制备方法与应用
    一种高Mn4+含量氟硅酸盐荧光单晶材料及其制备方法与应用_华南理工大学_202510963449.6
    本发明属于发光功能材料技术领域，公开了一种高Mn4+含量氟硅酸盐荧光单晶材料及其制备方法与应用，其化学组成为A2Si1‑nMnnF6；其中A为碱金属Rb、Cs中的一种或两种组合，n为Mn4+离子相对于Mn4+和Si4+离子总量的摩尔比，0＜...
    2026-02-27
  • 碳化硅单晶生长装置及其工作方法
    碳化硅单晶生长装置及其工作方法_常州臻晶半导体有限公司_202511589170.2
    本发明属于碳化硅单晶生长领域，具体涉及高温溶液法的碳化硅晶体生长，尤其涉及一种碳化硅单晶生长装置及其工作方法。其中，碳化硅单晶生长装置，包括：石墨坩埚；加热组件；驱动机构；籽晶提拉组件；石墨导流板，其设置在所述石墨坩埚的上方，且所述籽晶提拉...
    2026-02-27
  • 一种基于晶体生长热场温度控制方法及系统
    一种基于晶体生长热场温度控制方法及系统_上海岚玥新材料科技有限公司_202511615779.2
    本发明涉及晶体生长控制技术领域，公开了一种基于晶体生长热场温度控制方法及系统。该方法包括获取晶体生长过程中的热场温度分布数据，结合晶体生长速率和材料相变参数，确定热场温度控制的关键影响因子。根据热场温度分布数据和关键影响因子，分析热场温度与...
    2026-02-27
  • 一种二类超晶格分子束外延表面异常的解决方法
    一种二类超晶格分子束外延表面异常的解决方法_苏州信越半导体有限公司_202511192982.3
    本发明涉及一种二类超晶格分子束外延表面异常的解决方法，所述解决方法包括：S1、确定表面异常的种类；S2、根据表面异常的种类，调整As源炉、Sb源炉、Ga源炉、In源炉以及Al源炉的工艺参数，并在外延生长前进行Sb饱和与As饱和。上述解决方法...
    2026-02-27
  • 一种双相超晶格储氢合金及其制备方法和储氢系统
    一种双相超晶格储氢合金及其制备方法和储氢系统_中国科学院江西稀土研究院_202511596834.8
    本发明属于储氢合金的技术领域，具体涉及一种双相超晶格储氢合金及其制备方法和储氢系统，所述双相超晶格储氢合金的化学通式为：Y1‑a‑bMgaScbNixMnyMz，其中，M包括Cr、V、Co、Mo和W中的至少一种，0.1≤a≤0.15，0.0...
    2026-02-27
  • 可活化抗体及其制备和使用方法
    可活化抗体及其制备和使用方法_天演药业公司_202511032704.1
    本发明提供了含有编码可活化结合多肽的合成多核苷酸的文库。本文还提供了可活化结合多肽和含有所述可活化结合多肽的多肽文库。本发明还提供了制备和使用可活化多肽文库的载体、载体文库、细胞、试剂盒和方法。
    2026-02-27
  • 一种精制棉废物回收及处理装置
    一种精制棉废物回收及处理装置_德州金秋生物科技有限公司_202511288213.3
    本发明公开了精制棉废物回收技术领域的一种精制棉废物回收及处理装置，包括回收桶与设置在回收桶内部用于放置棉籽的承接盘、所述承接盘底部开设有多个加工孔；本发明在对棉籽表面短绒进行回收处理的过程中，利用执行件对棉籽表面残留短绒进行分离处理，并且在...
    2026-02-27
  • 一种高清洁度羽绒的加工工艺
    一种高清洁度羽绒的加工工艺_安徽隆业羽绒制品有限公司_202511199748.3
    本发明涉及羽绒加工技术领域，且公开了一种高清洁度羽绒的加工工艺，包括以下步骤：S1、原料预处理：将收集的羽绒原料进行初步筛选，去除其中的羽毛梗、杂质和异物；将筛选后的羽绒放入预处理池中，加入适量的清水和专用的羽绒预处理剂；预处理完成后，将羽...
    2026-02-27
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