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最新专利技术
  • 存储器装置
    存储器装置_爱思开海力士有限公司_202411548487.7
    本公开涉及一种存储器装置。存储器装置包括存储单元阵列和调节器。存储单元阵列包括多个存储单元，这些存储单元布置在字线和位线与源极线相交的区域中，字线和位线沿第一方向延伸，源极线沿第二方向延伸。多个存储单元中的沿第一方向的存储单元电耦接到同一字...
    2026-02-03
  • 存储器的操作方法、存储器、存储系统及电子设备
    存储器的操作方法、存储器、存储系统及电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410695045.9
    本申请公开了一种存储器的操作方法、存储器、存储系统及电子设备，涉及存储技术领域。该方法包括：向选定字线施加第一偏移电压，以对多个存储单元中的选定存储单元执行第一读操作，选定字线耦合于选定存储单元，第一偏移电压是根据环境温度和第一温度补偿系数...
    2026-02-03
  • 感测放大器保持改进
    感测放大器保持改进_美光科技公司_202510696814.1
    本公开涉及感测放大器保持改进。公开用于感测放大器功率降低的系统及方法，其包含通过不同操作时段来控制感测放大器的供应电压，包含在激活时段期间向所述感测放大器提供第一供应电压及在预充电时段期间向所述感测放大器提供低于所述第一供应电压的第二供应电...
    2026-02-03
  • 一种可配置双端口同步静态存储器及读写方法
    一种可配置双端口同步静态存储器及读写方法_上海宏力达信息技术股份有限公司_202510920769.3
    本申请提供一种可配置双端口同步静态存储器及读写方法，包括：存储单元，用于以二维结构存储数据，并通过写端口和读端口分别进行独立访问；参数配置单元，用于接收配置存储器的配置参数，配置参数至少包括存储深度和数据宽度，并根据配置参数配置存储单元的存...
    2026-02-03
  • 半导体装置及选通信号训练方法
    半导体装置及选通信号训练方法_爱思开海力士有限公司_202510001543.3
    本公开涉及半导体装置及选通信号训练方法。一种半导体装置包括：基础芯片，其被配置为输出选通信号和控制信号，以及被配置为响应于接收第一核心选通信号和第二核心选通信号而输出第一更新信号和第二更新信号；第一核心芯片，其被配置为在控制信号的脉冲被输入...
    2026-02-03
  • 产生四相时钟信号的时钟信号产生器
    产生四相时钟信号的时钟信号产生器_美光科技公司_202510670445.9
    本公开涉及产生四相时钟信号的时钟信号产生器。一种实例设备包含时钟驱动器电路块，其具有：第一区，其上定位产生分频时钟信号的分频电路；第二区，其上定位输出写入时钟信号的写入时钟驱动器；第三区，其上定位输出具有较高频率的第一读取时钟信号的第一读取...
    2026-02-03
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备、三态内容寻址方法
    半导体器件及其制造方法、电子设备、三态内容寻址方法_北京超弦存储器研究院_202410693095.3
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备、半导体器件的三态内容寻址方法，属于半导体技术领域。该半导体器件包括：第一铁电晶体管和第二铁电晶体管；第一铁电晶体管具有第一极性，第二铁电晶体管具有第二极性；第一铁电晶体管的第一电极与第二铁电...
    2026-02-03
  • 半导体器件及其操作方法
    半导体器件及其操作方法_韩国科学技术院_202510224392.8
    本公开提供一种半导体器件及其操作方法。根据本公开的方法包括：向栅极图案施加第一偏置电压；以及响应于所述第一偏置电压而存储第一数据，其中，电极图案与铁电图案之间的接触电阻响应于所述第一偏置电压而从第一电阻状态变为第二电阻状态，所述第一数据基于...
    2026-02-03
  • 延时调整电路及存储器
    延时调整电路及存储器_长鑫闵科存储技术(上海)有限公司_202511129221.3
    本公开实施例公开了一种延时调整电路及存储器。延时调整电路包括：检测电路和延时控制电路。检测电路，被配置为检测目标字线驱动器的等效驱动电流，基于等效驱动电流生成选择控制信号。延时控制电路，耦接检测电路，被配置为响应于选择控制信号，生成对应的延...
    2026-02-03
  • 一种紧凑型5T0C eDRAM增益单元及高密度内容寻址电路
    一种紧凑型5T0C eDRAM增益单元及高密度内容寻址电路_上海科技大学_202510943272.3
    本发明的技术方案是公开了一种紧凑型5T0C eDRAM增益单元。本发明的另一个技术方案是公开了一种采用上述紧凑型5T0C eDRAM增益单元的高密度内容寻址电路。本发明针对传统基于SRAM的CAM设计中存在的存储单元面积大、密度受限的问题，...
    2026-02-03
  • 一种可变电阻存储器和可变电阻存储器的控制方法
    一种可变电阻存储器和可变电阻存储器的控制方法_苏州凌存科技有限公司_202511603730.5
    本申请提供一种可变电阻存储器和可变电阻存储器的控制方法。本申请提供的可变电阻存储器，包括：存储器单元阵列、控制器、写入电路和读取电路；写入电路，用于在控制器的控制下向存储器单元阵列提供偏置电压；控制器，用于在第一步读取过程中控制写入电路向存...
    2026-02-03
  • 一种存储器、存储器的操作方法及存储器系统
    一种存储器、存储器的操作方法及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410706016.8
    本申请提供了一种存储器、存储器的操作方法及存储器系统，涉及半导体芯片技术领域。存储器包括存储阵列和耦接于存储阵列的外围电路，外围电路包括控制逻辑电路和页缓冲器，页缓冲器通过位线与存储阵列耦接。控制逻辑电路通过信号线与页缓冲器耦接，页缓冲器包...
    2026-02-03
  • 用于减轻偏置电压漂移的技术
    用于减轻偏置电压漂移的技术_美光科技公司_202510409379.X
    本公开涉及减轻偏置电压的漂移的技术。存储器装置包含电阻器串数/模转换器DAC，其配置成基于高和低偏置电压向决策反馈均衡器DFE供应一或多个偏移电压。所述存储器装置还包含偏置电压生成电路系统，其配置成：基于偏移电压范围微调而生成参考电流，基于...
    2026-02-03
  • 闪存存储器的数据编程方法和装置
    闪存存储器的数据编程方法和装置_中国科学院微电子研究所_202410686931.5
    本申请公开一种闪存存储器的数据编程方法和装置，方法包括，对闪存存储器的任一物理页进行细编程前，根据物理页的原始数据和当前数据确定物理页中无效逻辑页的数量；其中，原始数据为完成物理页的粗编程时物理页对应的数据，当前数据为对物理页进行细编程前物...
    2026-02-03
  • 将弱编程状态定义为擦除状态的非易失性存储器的擦除算法
    将弱编程状态定义为擦除状态的非易失性存储器的擦除算法_科洛斯巴股份有限公司_202510720180.9
    本发明涉及将弱编程状态定义为擦除状态的非易失性存储器的擦除算法，其改进的擦除技术延长了双端非易失性存储器的寿命，并可减轻或避免擦除状态存储故障。擦除操作可包括对双端存储单元执行擦除操作，然后是弱编程操作。擦除验证操作可以确定存储单元的读取电...
    2026-02-03
  • 存储器装置、包括存储器装置的存储装置及其操作方法
    存储器装置、包括存储器装置的存储装置及其操作方法_三星电子株式会社_202510131861.1
    一种存储器装置，包括：存储器单元阵列，包括第一存储器块；控制逻辑电路，所述控制逻辑电路被配置为从外部控制器接收擦除命令并且响应于所述擦除命令而控制对所述第一存储器块的擦除操作；擦除到编程间隔(EPI)计时器，其被配置为响应于所述擦除命令而开...
    2026-02-03
  • 读干扰处理方法、检测方法及存储设备
    读干扰处理方法、检测方法及存储设备_上海江波龙数字技术有限公司_202410695073.0
    本申请公开了一种读干扰处理方法、检测方法及存储设备。该方法包括响应于开始对目标存储块进行擦除，获取目标存储块的擦除温度，并基于擦除温度确定第一等效读取次数值；响应于开始对目标存储块进行编程，获取目标存储块在编程过程中的编程温度，并基于所有编...
    2026-02-03
  • 存储器设备和优化读取重试表的方法
    存储器设备和优化读取重试表的方法_瑞昱半导体股份有限公司_202410682380.5
    本公开涉及存储器设备和优化读取重试表的方法。优化读取重试表的方法包括下列操作：配置存储器操作在预设操作条件；利用预设读取电压值与原始读取重试表读取该存储器，以产生测试读取重试表；以及利用该测试读取重试表读取该存储器，以重新排序该测试读取重试...
    2026-02-03
  • 用于执行编程操作的存储器装置及其操作方法
    用于执行编程操作的存储器装置及其操作方法_爱思开海力士有限公司_202510231755.0
    本公开涉及一种用于执行编程操作的存储器装置及其操作方法，存储器装置可以包括：存储器单元阵列，包括与多条字线和多条位线连接的多个存储器单元；外围电路，被配置为执行第一编程电压施加操作和验证操作，第一编程电压施加操作增加选定存储器单元的阈值电压...
    2026-02-03
  • 三维仅选择存储器及数据操作方法、电子设备和存储介质
    三维仅选择存储器及数据操作方法、电子设备和存储介质_新存科技(武汉)有限责任公司_202510946642.9
    本申请公开一种三维仅选择存储器的数据操作方法、三维仅选择存储器、存储电子设备及介质，属于半导体技术领域，该方法先施加初始电流脉冲，通过验证读取检测单元电学特性参数；若未达预设目标状态阈值，则根据增量步脉冲编程模式或恒步脉冲编程模式生成补偿脉...
    2026-02-03
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