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  • 本发明公开了一种GaAs HBT工艺的非温敏自适应偏置电路设计方法,涉及模拟集成电路技术领域,该方法基于自适应偏置电路系统工作,该系统包括偏置镜像模块、温度补偿模块、端口稳定模块,所述偏置镜像模块用于生成并稳定提供主功放管HBT0基极所需的...
  • 本发明涉及集成电路设计自动化数据处理技术领域,尤其涉及基于FUZZ测试的寄生参数结果自动化分析系统,通过数据预处理模块解析原始文件并生成标准化数据,模糊测试引擎模块采用语法树变异生成包括非法字符、极端值及逻辑环路的测试用例库,异常响应模块通...
  • 本发明公开了一种二端口射频器件去嵌方法,通过二维截面求解器计算端口对应截面的传输线的特征阻抗和传播常数;根据传播常数计算端口处等效电磁波波长;修改原始版图,将端口向外扩展半波长的长度;在扩展后的版图的端口处设置激励,通过矩量法仿真得到此时版...
  • 本发明提供了一种基于模态映射的统一化三电平实时仿真方法,建立统一三电平模型,模型包含三个可独立控制的等效开关,分别对应正极输出、中点输出和负极输出三种运行模态;基于差分建模方法对统一三电平模型进行离散化处理,采用恒导纳模型对开关状态进行建模...
  • 基于微分阻抗幅度谱的干式空心电抗器包封缺陷辨识方法,属于电力设备故障诊断技术领域,本发明为解决传统阻抗谱进行缺陷辨识时存在的高频失真和特征提取困难的问题。本发明方法包括以下步骤:建立干式空心电抗器分布参数高频等效电路模型;利用伪梯形波信号作...
  • 本发明属于半导体技术领域,涉及一种叉指型场效应晶体管的三维结构建模与仿真方法。启动虚拟机,打开Sentaurus TCAD,进入swb操作界面,添加Sde模型与Sdevice模型并设置仿真参数。构建3D模型结构,在沟道两侧定义叉指型源极和漏...
  • 本发明涉及基于参数化参考模型的安全闪存模块验证方法及系统,通过封装加密判断与数据对比逻辑,实现一次编写与多处调用,大幅降低测试用例的重复代码量,实现利用统一接口减少重复劳动。借助构建脚本中的参数随机化机制,实现安全闪存模块的自动化与多参数组...
  • 本发明公开了一种多目标协同优化的脉冲电源设计方法、装置及存储介质,属于脉冲电源技术领域。该脉冲电源设计方法包括:根据电源参数组集合,构建三维多物理场电源仿真模型,通过多物理场约束耦合计算优化级联布局参数组集合,得到每个电源参数组下的最小级间...
  • 本发明公开了一种基于漏电匹配的GaN HEMT器件栅极模型的建立方法,包括:对GaN HEMT器件的栅极结构进行分析,建立相应的栅极等效电路模型,栅极等效电路模型由器件栅极结构中的第一分压结构D1、分压电阻R1以及第二分压结构D2依次串联而...
  • 本发明涉及一种提高功率回退效率的功率放大器制作方法,属于射频微波电路技术领域,包括如下步骤:步骤1:基于有源器件的负载特性,确定线性输出功率下的最佳效率阻抗点作为放大器设计的最优阻抗;步骤2:利用负载牵引技术或LOADPULL将已确定的最优...
  • 本发明提供了一种眼图搜索空间优化方法、系统及计算机存储介质,包括:预设待优化的电路参数的初始搜索空间;根据初始搜索空间构建初始仿真案例组合;生成若干张仿真网表并进行仿真,获得对应的眼图性能响应值;根据眼图性能响应值和电路参数建立二阶多项式元...
  • 本发明公开了一种NC‑GAAFET的物理解析模型的模拟构建方法,包括:S1.构建短沟道NC‑GAAFET的静电势模型;S2.模型解析获得硅沟道内的电势分布函数;S3.计算铁电层内部应力张量分量,并证明相关空间梯度;S4.模型耦合常规GAAF...
  • 本发明公开了一种基于图论的电力电子变换器拓扑遍历方法及装置,涉及电力电子变换器拓扑技术领域。该方法包括:设定电路元件数量和节点数量,将每个电路元件表示为边并编号;统计所有编号,补充0元素,得到无序数组;升序或降序排列无序数组的所有元素,得到...
  • 本发明公开了一种寄生电阻提取方法及装置,读入版图;估计所述版图的大小与所述版图中的图形数量;计算瓦片范围与缓冲区范围;基于所述瓦片范围和版图大小将所述版图划分成多个瓦片;对每个所述瓦片进行寄生参数提取得到多个对应的瓦片网表;对每个所述瓦片得...
  • 一种平坦化工艺补偿方法和系统、设备、存储介质及计算机程序产品,补偿方法包括:提供初始版图,包括多个设计图形;根据多个设计图形的图形特征,对初始版图进行平坦化工艺特征预测;根据预测的初始版图的平坦化工艺特征,在初始版图中,在设计图形侧部设置补...
  • 本发明提供一种运算放大器及其版图布局结构,包括:沿第一方向依次排布的第一、第二、第三版图区;第一、第三版图区内分别设置有第一、第二补偿电容阵列区;第二版图区内设置有沿第二方向依次排布的差分对管区、第一共模反馈区、第一负载区、第二负载区、第二...
  • 本发明公开了一种三行标准单元布局结构,适用于非平衡负载逻辑电路,包括:负载晶体管行位于最上层,包含负载晶体管;驱动晶体管行位于负载晶体管行的下方,分为上下两行,分别包含驱动晶体管;负载晶体管和驱动晶体管按照三行布局的方式进行排列;本发明在标...
  • 本申请公开了一种电源凸块分配方法、装置、存储介质及电子设备,其中,该电源凸块分配方法包括获取2.5D封装中各电源网络所需的电源凸块数量;以电源凸块数量为聚类数目,使用聚类算法对每个电源网络所连接的所有微凸块的第一物理位置进行聚类,以确定每个...
  • 本申请实施例提供了一种基于多维特征判定的集成电路路径优化方法,包括:根据集成电路的布局布线数据和集成电路的静态时序分析数据,确定集成电路的信号传输特征,根据信号传输特征,确定多个信号传输路径的评分,将对应评分高于第一阈值的信号传输路径确定为...
  • 本发明公开了一种基于MCTS的迭代二分式PCB布线路径优化搜索方法,包括预分析、确定布线优先级、迭代二分式MCTS搜索、训练参数优化等步骤。本发明属于电子设计自动化技术领域。本发明通过采用并行迭代二分策略进行蒙特卡洛树搜索(MCTS),识别...
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