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最新专利技术
  • 一种沟槽型栅极结构IGBT器件及制备方法
    一种沟槽型栅极结构IGBT器件及制备方法_扬州扬杰电子科技股份有限公司_202511407491.6
    一种沟槽型栅极结构IGBT器件及制备方法。涉及半导体技术领域。本发明栅极层上窄下宽的结构在保证垂直导电通道有效性的同时，减少电流导通路径上的电阻，结合高单元密度的沟槽结构优势，进一步降低器件的导通电压，提升导电效率。P+区与N+区的合理布局...
    2025-12-29
  • 具有氧化物牺牲层的纳米片器件及其制造方法
    具有氧化物牺牲层的纳米片器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510470262.2
    本公开涉及具有氧化物牺牲层的纳米片器件及其制造方法。一种方法包括：形成从衬底突出的鳍，其中，鳍包括与电介质牺牲层交错的半导体层。该方法包括：在每个电介质牺牲层的端部处形成内部间隔件。该方法包括：在与内部间隔件相邻的鳍中形成源极/漏极特征。该...
    2025-12-29
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202510666851.8
    本公开涉及半导体装置及其制造方法。栅极电极的引出部分的上表面的位置高于栅极电极的有源部分的上表面。绝缘膜具有经由侧壁间隔物被定位在栅极电极的有源部分的侧表面上的第一凸起部分，以及经由侧壁间隔物被定位在栅极电极的引出部分的侧表面上的第二凸起部...
    2025-12-29
  • 功率半导体器件的制造方法
    功率半导体器件的制造方法_三星电子株式会社_202510673334.3
    一种制造功率半导体器件的方法包括：形成漂移层、阱区域和源区域，以形成基底结构；在基底结构的上表面和下表面上形成掩模层；对基底结构执行第一退火工艺；在基底结构的上表面上形成预备栅极绝缘层；对基底结构执行第二退火工艺；在预备栅极绝缘层上形成预备...
    2025-12-29
  • 场效应晶体管、设备及其制造方法
    场效应晶体管、设备及其制造方法_深圳市经纬开物仪器有限公司_202510965623.0
    本申请公开了一种场效应晶体管、设备及其制造方法，涉及晶体管技术领域，其中，场效应晶体管包括衬底、氧化层、多晶硅层、源极以及漏极，衬底设有第一沟槽和第二沟槽，氧化层和多晶硅层依次层叠设于衬底的顶面，多晶硅层位于第一沟槽和第二沟槽之间的区域被配...
    2025-12-29
  • MOSFET制造工艺、场效应晶体管以及功率设备
    MOSFET制造工艺、场效应晶体管以及功率设备_深圳市经纬开物仪器有限公司_202510965627.9
    本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种MOSFET制造工艺、场效应晶体管以及功率设备，MOSFET制造工艺包括在多晶硅层对应衬底进行第一注入窗口的位置进行光刻和刻蚀形成两个沟槽；在多晶硅层的表面依次形成第二掩膜层和第三掩膜层，对第二掩膜层和...
    2025-12-29
  • MOSFET制造工艺、场效应晶体管以及功率设备
    MOSFET制造工艺、场效应晶体管以及功率设备_深圳市经纬开物仪器有限公司_202510965629.8
    本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种MOSFET制造工艺、场效应晶体管以及功率设备，所述MOSFET制造工艺包括对原始衬底进行离子注入，以在所述原始衬底中形成源极区域和漏极区域；在所述原始衬底的表面先形成隔离层，再在所述隔离层的上方形成多...
    2025-12-29
  • 功率器件及其制备方法
    功率器件及其制备方法_杭州士兰集成电路有限公司_202511221838.8
    本发明提供了一种功率器件及其制备方法，其中功率器件的制备方法包括以下步骤：提供第一衬底，并在第一衬底上依次生长氮化物层、外延层和功能层，功能层的第一表面位于外延层上，氮化物层包括氮化硼层；提供临时键合片，并将功能层的第二表面与临时键合片键合...
    2025-12-29
  • 功率器件及其制造方法
    功率器件及其制造方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511244832.2
    本发明提供一种功率器件及其制造方法，包括：提供基底，包括第一区域和第二区域；形成金属层，所述金属层覆盖所述第一区域和所述第二区域；刻蚀所述金属层，以暴露出第二区域的边缘区域；形成低应力无机物侧墙，该侧墙覆盖所述金属层的靠近所述边缘区域一侧的...
    2025-12-29
  • 一种基于C阶梯掺杂的硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及其生长方法
    一种基于C阶梯掺杂的硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及其生长方法_南京盛鑫半导体材料有限公司_202511226866.9
    本发明公开了一种基于C阶梯掺杂的硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及其生长方法，所述外延结构包括从下至上依次层叠的硅衬底、AlN缓冲层、阶梯AlGaN应力释放层、GaN晶种铺垫粗化层、GaN外延层、第一AlN插入层、第一C掺杂GaN层...
    2025-12-29
  • 一种氮化镓器件及电子设备
    一种氮化镓器件及电子设备_深圳平湖实验室_202511615234.1
    本公开提供一种氮化镓器件及电子设备，通过在P‑GaN层下方的沟道层内设置沿源极指向漏极的方向上厚度不均匀的背势垒层，且靠近源极的厚度更大，靠近漏极的厚度更小，这样厚度大的区域可以提高2DEG的限域性，厚度小的区域可以降低沟道电阻，因此本公开...
    2025-12-29
  • 一种氮化镓器件及其制备方法、电子设备
    一种氮化镓器件及其制备方法、电子设备_深圳平湖实验室_202511615407.X
    本公开提供一种氮化镓器件及其制备方法、电子设备，通过在P‑GaN层远离衬底的一侧设置凹槽，这样沿源极指向漏极的方向，P‑GaN层的厚度分布不均匀，即凹槽处P‑GaN层为刻蚀区，凹槽外侧的P‑GaN层为保留区，这样保留区的P‑GaN层可以保证...
    2025-12-29
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_深圳平湖实验室_202511617932.5
    本公开提供一种半导体器件及其制备方法，通过在势垒层对应于栅区的位置形成凹槽，并在栅极下方设置层叠设置的第一UGaN层和第一PGaN层，第一UGaN层和第一PGaN层形成极化超结结构，实现器件为增强型工作模式，由于第一UGaN层和第一PGaN...
    2025-12-29
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410693857.X
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电子设备。半导体器件包括：半导体层，沿垂直于衬底的方向延伸；铁电层，沿垂直于衬底的方向延伸，铁电层与半导体层绝缘；第一栅电极，沿垂直于衬底的方向延伸，铁电层位于第一栅电极和半导体层之间；第二栅电极，环...
    2025-12-29
  • 具有外延轻度掺杂部分的半导体元件及其制造方法
    具有外延轻度掺杂部分的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411306347.9
    本申请案涉及具有外延轻度掺杂部分的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括：一基板；多个凹槽，从该基板的一顶表面凹陷且定义一通道区，其中该通道区位于该多个凹槽之间且相邻于该基板的该顶表面；一栅极结构，位于该通道区上；多个杂质区，包括多个轻度...
    2025-12-29
  • 晶体管
    晶体管_株式会社半导体能源研究所_202510668688.9
    提供一种电特性良好的晶体管。晶体管包括氧化铟膜及氧化铟膜上的金属氧化物膜。氧化铟膜中形成沟道的区域为单晶。金属氧化物膜包含铟、镓及锌。氧化铟膜的单晶区域的<111>取向平行或大致平行于金属氧化物膜所包含的结晶的<001>取向。此外，氧化铟膜...
    2025-12-29
  • 金属氧化层半导体场效应管、其制造方法以及电子设备
    金属氧化层半导体场效应管、其制造方法以及电子设备_深圳市经纬开物仪器有限公司_202510965624.5
    本申请实施例公开了一种金属氧化层半导体场效应管、其制造方法以及电子设备，涉及半导体器件技术领域，其中，该金属氧化层半导体场效应管包括半导体衬底、氧化层、多晶硅层、源极、漏极以及两间隔物，半导体衬底的表面形成有间隔设置的第一沟槽和第二沟槽，第...
    2025-12-29
  • 一种碳化硅晶体管、制作方法及电子器件
    一种碳化硅晶体管、制作方法及电子器件_深圳平湖实验室_202511587599.8
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅晶体管、制作方法及电子器件，碳化硅晶体管包括：衬底、以及设于衬底之上的碳化硅层，碳化硅层包括：依次叠层设于衬底之上的缓冲层、漂移层、源极接触层，碳化硅层远离衬底的一侧表面设置有栅极沟槽，栅极沟槽的底...
    2025-12-29
  • 包括将沟道应力施加到沟道结构的介电壁的半导体装置
    包括将沟道应力施加到沟道结构的介电壁的半导体装置_三星电子株式会社_202510647771.8
    提供包括将沟道应力施加到沟道结构的介电壁的半导体装置，所述半导体装置包括：第一沟道结构，在第一方向上延伸；第一源极/漏极图案，在第一沟道结构上；第二沟道结构，在第一方向上延伸，其中，第二沟道结构设置在第一沟道结构的在与第一方向相交的第二方向...
    2025-12-29
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510721389.7
    在实施例中，方法可以包括在衬底上方形成多层堆叠件，多层堆叠件具有第一半导体层和第二半导体层的交替层。方法也可以包括去除第一半导体层。而且，方法可以包括在第二半导体层之间形成一次性材料。此外，方法可以包括形成与第二半导体层和一次性材料相邻的源...
    2025-12-29
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