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最新专利技术
  • 一种高短路能力的功率器件及其制作方法
    一种高短路能力的功率器件及其制作方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511236785.7
    本申请提供一种高短路能力的功率器件及其制作方法，该功率器件包括半导体层、至少部分嵌入半导体层中的至少一沟槽、位于半导体层中的第一导电类型掺杂单元及第二导电类型掺杂单元。第一导电类型掺杂单元包括多个第一阱区及多个第二阱区。第一阱区及第二阱区分...
    2025-12-26
  • 一种具有场截止层的高压半导体器件的制造方法及器件
    一种具有场截止层的高压半导体器件的制造方法及器件_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511200398.8
    本发明涉及一种具有场截止层的高压半导体器件的制造方法及器件，所述制造方法包括步骤：晶棒切片，得到预设厚度的单晶片；在单晶片的正面和背面生长场氧化层，在正面的场氧化层上覆盖光刻胶；刻蚀背面的场氧化层，从背面向单晶片的内部注入磷离子；退火处理，...
    2025-12-26
  • pMOS器件的制造方法
    pMOS器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708730.0
    本发明提供一种pMOS器件的制造方法，在钴金属层与锗硅源漏之间设置层叠厚度较薄、硼掺杂浓度自下而上逐渐减小的至少三层富硼层并在最上层的富硼层上形成厚度较大且无硼和无锗掺杂的硅盖帽层，拉大了锗硅源漏和钴金属层之间的距离，使钴只与硅盖帽层中的S...
    2025-12-26
  • 一种半导体结构的制备方法及半导体结构
    一种半导体结构的制备方法及半导体结构_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411419353.5
    本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构。该方法包括提供包括多个鳍状结构以及隔离结构的衬底，待处理区中的鳍状结构包括凸出于隔离结构的预设子部。形成第一介质层，形成牺牲合并结构，牺牲外延层覆盖第一介质层及预设子部的顶部及覆盖预设...
    2025-12-26
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411818500.6
    本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，所述制作方法包括：提供衬底，衬底包括半导体主体；形成包覆半导体主体部分区域的牺牲结构；半导体主体沿第一方向延伸、且贯穿牺牲结构，牺牲结构沿第二方向延伸；第二方向与第一方向相交；形成至少覆盖牺牲结...
    2025-12-26
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510746080.3
    本申请的实施例公开了半导体结构及其形成方法。形成半导体层的堆叠件。在截面侧视视角下半导体层在垂直方向上彼此间隔开多个间隙。在半导体层上方形成多个栅极介电层。在截面侧视视角下，每个栅极介电层周向地围绕半导体层中的相应一个半导体层，并且栅极介电...
    2025-12-26
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202510922350.1
    本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括：衬底，多个鳍片，多个鳍片包括相邻的第一鳍片和第二鳍片，隔离区，以及伪栅结构；形成覆盖衬底结构的表面的第一绝缘层，第一绝缘层具有填充第一鳍...
    2025-12-26
  • 半导体器件及形成方法
    半导体器件及形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511065495.0
    本发明提供了一种半导体器件及形成方法，包括：在部分有源区的表面形成栅极，在浅沟槽隔离结构的表面形成多个间隔设置的条状多晶硅，多个条状多晶硅与栅极在第一方向上间隔设置，多个条状多晶硅与栅极均沿着第二方向延伸；形成第一介质层；在第一介质层内形成...
    2025-12-26
  • 形成半导体结构及场效晶体管的方法
    形成半导体结构及场效晶体管的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511120823.2
    一种形成半导体结构及场效晶体管的方法。半导体结构可以通过以下方式形成：在基板上方形成多个半导体纳米线，其中半导体纳米线及基板通过间隙彼此垂直间隔开，且其中半导体纳米线通过支撑结构悬挂在基板上方；执行一系列的多个处理步骤的至少两迭代，处理步骤...
    2025-12-26
  • 屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法
    屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511186910.8
    本申请提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法，在制备方法中，通过多次热氧化和回刻蚀工艺，将源极多晶硅层设计成T型并且将部分第二多晶硅层热氧化为隔离氧化层，最后在源极多晶硅(源极/屏蔽栅)顶部的隔离氧化层和第一沟槽侧壁上的隔离氧化层之...
    2025-12-26
  • 屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法
    屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511186967.8
    本申请提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法，在制备方法中，通过回刻蚀露出一定高度的第一多晶硅层，然后利用两次热氧化工艺将一定高度的第一多晶硅层氧化成隔离氧化层，将剩余的第一多晶硅层埋入场氧化层和隔离氧化层中，构成屏蔽栅，最后在屏蔽...
    2025-12-26
  • 一种基于碘化铅薄膜的二维半导体p型掺杂方法及其应用
    一种基于碘化铅薄膜的二维半导体p型掺杂方法及其应用_东南大学_202511213619.5
    一种基于碘化铅薄膜的二维半导体p型掺杂方法及其应用，在衬底表面预先沉积碘化铅薄膜作为掺杂层，将二维半导体材料转移至所述碘化铅薄膜的表面，形成垂直异质结构；用于通过界面掺杂实现对所述二维半导体材料载流子类型及浓度的调控。本发明与传统离子注入或...
    2025-12-26
  • 一种分裂栅MOSFET器件及其制作方法
    一种分裂栅MOSFET器件及其制作方法_深圳市创飞芯源半导体有限公司_202511214560.1
    本发明提供一种分裂栅MOSFET器件及其制作方法，该方法先在衬底中形成开口宽度自上而下逐渐增大的沟槽，之后形成介质填充部于沟槽中，并形成凹槽于介质填充部中以得到屏蔽栅介质层，其中，位于沟槽侧壁的屏蔽栅介质层的厚度自上而下逐渐增大，位于沟槽底...
    2025-12-26
  • 功率器件及其制备方法
    功率器件及其制备方法_杭州士兰集成电路有限公司_202511230059.4
    本发明提供了一种功率器件及其制备方法，其中功率器件的制备方法包括以下步骤：提供第一衬底，并在第一衬底上依次生长氮化物层和外延层，外延层的第一表面位于氮化物层上，氮化物层包括氮化硼层；提供临时键合片，并将外延层的第二表面与临时键合片键合；去除...
    2025-12-26
  • 一种具有反向快恢复的沟槽MOSFET及制备方法
    一种具有反向快恢复的沟槽MOSFET及制备方法_扬杰科技(无锡)有限公司_202511300901.7
    一种具有反向快恢复的沟槽MOSFET及制备方法。涉及半导体技术领域。本发明沟槽MOSFET通过在相邻栅极沟槽之间增设源极沟槽及配套结构，构建了新的电流通路。在反向续流时，传统沟槽MOSFET的电流需全部经体二极管流通，而该结构中，源极沟槽内...
    2025-12-26
  • 半导体结构的制备方法及半导体结构
    半导体结构的制备方法及半导体结构_广东芯粤能半导体有限公司_202511631108.5
    本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。方法包括：提供衬底，并于衬底的顶面依次形成外延层及有源层；于有源层内形成沿平行衬底方向排布的第一阱区及第二阱区；形成第一源极及第二源极，第一源极位于第一阱区内，第二源极位于第二阱区内；形成位于...
    2025-12-26
  • 功率器件及其制备方法
    功率器件及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511657784.X
    本发明涉及一种功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该功率器件及其制备方法中，接触区可以将栅极沟槽处的高电场引到接触区下侧设置的第一柱状结构，由于第一柱状结构由源极沟槽向衬底方向延伸，电流会从接触区传至第一柱状结构，使得接触区与外延结构...
    2025-12-26
  • 一种基于平面MOS工艺的源极向下MOS器件及其制备方法
    一种基于平面MOS工艺的源极向下MOS器件及其制备方法_汇能微电子技术(深圳)有限公司_202511235733.8
    本发明公开了一种基于平面MOS工艺的源极向下MOS器件和制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括半导体衬底、有源区和栅极区，有源区形成于半导体衬底的表面，栅极区位于有源区的上方；有源区内设置有漏极和源极，一侧的漏极通过正向金属电极电连接至芯片...
    2025-12-26
  • 一种双向开关MOSFET器件及其制造方法
    一种双向开关MOSFET器件及其制造方法_杭州唯美地半导体有限公司_202511283075.X
    本发明属于半导体技术领域，具体的说是一种双向开关MOSFET器件及其制造方法。本发明的器件具有两个漏极，在双向导通模式下，两个MOSFET的栅极同时施加足够的驱动电压，沟槽底部沟道形成，一个漏极接高电位，另一个漏极接低电位，电子从一个漏极出...
    2025-12-26
  • 一种降低器件漏电的隔离型MOSFET器件结构及制备方法
    一种降低器件漏电的隔离型MOSFET器件结构及制备方法_西安电子科技大学_202511298343.5
    本发明涉及一种降低器件漏电的隔离型MOSFET器件结构及制备方法，器件结构包括：衬底、外延区、深隔离阱、离子注入阱、源区、漏区、隔离区、体区、地区、源极金属、漏极金属、隔离区电极金属、体极金属、地区电极金属、栅氧化层和栅电极；外延区位于衬底...
    2025-12-26
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