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最新专利技术
  • 将气体分配到容器中的方法及装置
    将气体分配到容器中的方法及装置_恩特格里斯公司_202480034858.1
    提供一种用于控制冲洗气体的流到衬底容器中的方法及冲洗流分配模块。所述冲洗流分配模块包含：冲洗模块，其包括用于接收冲洗气体的流的入口、用于调节所述冲洗气体的流动方向的止回阀及用于供应所述冲洗气体的出口；及腔室，其包围所述冲洗模块的至少出口。所...
    2025-12-28
  • 静电吸盘及相关方法
    静电吸盘及相关方法_恩特格里斯公司_202480032592.7
    一种装置可包含增材制造的整块结构，所述整块结构包含绝缘主体及定位于所述绝缘主体中的至少一个导电区。所述增材制造的整块结构不包含所述绝缘主体与所述至少一个导电元件之间的接合组件。所述增材制造的整块结构可进一步包含不含任何材料的至少一个导管。所...
    2025-12-28
  • 基板分离装置
    基板分离装置_芝浦机械电子株式会社_202480035710.X
    本发明在于提供一种可抑制液体侵入吸盘与基板之间的基板分离装置。实施方式的基板分离装置包括：第一吸盘，对一对基板贴合而成的贴合基板的其中一个面进行吸附保持；第二吸盘，对所述贴合基板的另一个面进行保持；排气部，与所述第一吸盘连接；驱动部，使所述...
    2025-12-28
  • 使用无机介电键合的基板支撑装置的制造
    使用无机介电键合的基板支撑装置的制造_应用材料公司_202480034587.X
    一种装置包括第一板、第二板、及无机介电键合件，此第一板包括第一介电材料并且具有嵌入此第一板中的第一组电极，此第二板包括第二介电材料并且具有嵌入此第二板中的第二组电极，此无机介电键合件包括无机介电材料且设置在此第一板和此第二板之间。此第一板与...
    2025-12-28
  • 用于半导体制造装置的边缘环及其制造方法
    用于半导体制造装置的边缘环及其制造方法_韩国东海炭素株式会社_202480035313.2
    本发明提供一种用于半导体制造装置的边缘环及其制造方法。所述边缘环包括：上部层，其具有高硬度；以及下部层，其位于所述上部层的下方，且其硬度低于所述上部层，其中所述下部层与等离子体蚀刻装置的内部部件接触。
    2025-12-28
  • 用于源极/漏极区域的背面接触
    用于源极/漏极区域的背面接触_国际商业机器公司_202480029216.2
    一种半导体结构包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一输入源极/漏极区域和第一输出源极/漏极区域，并且第二晶体管包括第二输入源极/漏极区域和第二输出源极/漏极区域。第一输入源极/漏极区域和第二输入源极/漏极区域连接到第一源极/漏极接触...
    2025-12-28
  • 重布层之间具有通孔的半导体装置
    重布层之间具有通孔的半导体装置_美光科技公司_202480034137.0
    公开一种在重布层之间具有通孔的半导体装置。所述半导体装置包含与第一重布层上的第一接触垫耦合的半导体裸片堆叠。所述第一重布层进一步包含定位于所述裸片堆叠的覆盖区外部的第二接触垫及将所述第二接触垫耦合到所述第一接触垫的电路系统。间隙填充物是安置...
    2025-12-28
  • 针对非均匀热图的微流体冷却
    针对非均匀热图的微流体冷却_国际商业机器公司_202480035381.9
    本发明构思提供了一种针对非均匀热图的用于微流体冷却方法。该方法包括标识微电子器件的多个区域。获得针对微电子器件的多个区域中的一个或多个区域的局部温度测量。基于所获得的局部温度测量，将电压施加至一个或多个区域的至少一部分中的微流体。
    2025-12-28
  • 采用具有将管芯热耦接至中介层基板的金属互连的金属块以耗散该管芯热能的集成电路(IC)封装以及相关制造方法
    采用具有将管芯热耦接至中介层基板的金属互连的金属块以耗散该管芯热能的集成电路(IC)封装以及相关制造方法_高通股份有限公司_202480035208.9
    详细描述所公开的各个方面包括一种集成电路(IC)封装，该IC封装采用具有金属互连的金属块，该金属互连将半导体管芯(“管芯”)热耦接至中介层基板以耗散该管芯中的热能。该管芯被耦接至封装基板，以提供到该管芯的信号布线路径。为了促成将附加管芯堆叠...
    2025-12-28
  • 金属衬底结构及用于制造用于半导体功率模块的金属衬底结构的方法和半导体功率模块
    金属衬底结构及用于制造用于半导体功率模块的金属衬底结构的方法和半导体功率模块_日立能源有限公司_202480023440.0
    一种用于半导体功率模块的金属衬底结构(10)包括电路金属化层(11)、与电路金属化层(11)联接的金属底层(13)，以及隔离介电层(12)，该隔离介电层(12)相对于堆叠方向(A)与电路金属化层(11)和金属底层(13)联接并被布置在电路金...
    2025-12-28
  • 包括半导体发光器件的显示装置以及其的制造方法
    包括半导体发光器件的显示装置以及其的制造方法_LG电子株式会社_202380097613.9
    实施例的包括半导体发光器件的显示装置可以包括：第一显示模块、第二显示模块，各自均包括配置在基板上的复数个半导体发光器件组件，相邻配置；树脂层，配置在所述第一显示模块和所述第二显示模块之间的下侧；透明树脂层，配置在所述树脂层上，配置在所述第一...
    2025-12-28
  • 二次电池制造系统及二次电池制造方法
    二次电池制造系统及二次电池制造方法_株式会社LG新能源_202480035035.0
    根据本发明的示例实施方式，提供一种电池激活装置。所述装置包括：驱动部分，所述驱动部分包括驱动板和配置为在第一方向上移动所述驱动板的驱动杆；以及支撑部分，所述支撑部分包括支撑板和连接到所述支撑板的弹性元件，其中，所述支撑板在第一方向上与所述驱...
    2025-12-28
  • 层叠体、电池和电池包
    层叠体、电池和电池包_株式会社东芝_202380098544.3
    根据实施方式，提供一种层叠体，其包含第一集电体、第一含活性物质层和第一膜。第一膜包含中值粒径D50为0.6μm以下的无机材料粒子及高分子。第一膜的平均空隙直径为0.5μm以下。第一膜满足下述(1)式。Ra01为无机材料粒子与n‑甲基‑2‑吡...
    2025-12-28
  • 非水电解质二次电池
    非水电解质二次电池_松下知识产权经营株式会社_202480035070.2
    在非水电解质二次电池(10)中，负极(12)具有负极集电体(30)、设于负极集电体(30)上的第1负极活性物质层(31)、和夹隔着第1负极活性物质层(31)设于负极集电体(30)上的第2负极活性物质层(32)。活性物质层的粒子间空隙率的比率...
    2025-12-28
  • 非水电解质二次电池用正极及非水电解质二次电池
    非水电解质二次电池用正极及非水电解质二次电池_松下知识产权经营株式会社_202480033560.9
    作为本公开的一个方式的非水电解质二次电池用正极(11)，其特征在于，具有正极芯体(30)和形成于正极芯体(30)的表面的正极合剂层(31)，正极合剂层(31)包含含锂过渡金属复合氧化物作为正极活性物质，在含锂过渡金属复合氧化物的颗粒表面存在...
    2025-12-28
  • 含硅复合材料及其生产方法
    含硅复合材料及其生产方法_塔尔加科技有限公司_202380094177.X
    本发明涉及含硅复合材料，其包含位于碳基质内的多个硅纳米颗粒，以及提供的围绕硅纳米颗粒和碳基质的无定形碳外壳，其中无定形碳外壳的厚度为约10nm至5000nm。
    2025-12-28
  • 非水电解质蓄电元件用负极及非水电解质蓄电元件
    非水电解质蓄电元件用负极及非水电解质蓄电元件_株式会社杰士汤浅国际_202480033812.8
    本发明的一个方面的非水电解质蓄电元件用负极具备含有石墨粒子的负极活性物质层，上述石墨粒子的内部空隙率为2%以下，在上述负极活性物质层的使用了CuKα射线的X射线衍射测定中，归属于石墨的(110)面的峰强度I(110)相对于归属于石墨的(00...
    2025-12-28
  • 二次电池和用电装置
    二次电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202380010051.X
    本申请提供了一种二次电池，其中的负极活性物质包括石墨材料，其中的非水电解质包括链状羧酸酯；负极极片的OI值、负极极片的电阻值R与第一溶剂在溶剂中的质量占比W0满足0.08/mΩ≤W0×100/(R×OI)≤5/mQ；其中，OI值指石墨材料0...
    2025-12-28
  • 制备正极浆料组合物的方法和制备正极的方法
    制备正极浆料组合物的方法和制备正极的方法_株式会社LG化学_202480034843.5
    本发明涉及一种制备正极浆料组合物的方法和一种制备正极的方法，所述制备正极浆料组合物的方法包括如下步骤：(S1) 将正极活性材料、导电材料、粘合剂和非水溶剂添加到混合器中并混合，以制备固形物含量大于60重量%并且温度为‑20℃至45℃的混合物...
    2025-12-28
  • 被覆活性物质、正极材料、以及电池
    被覆活性物质、正极材料、以及电池_松下控股株式会社_202480034951.2
    本公开的被覆活性物质具备正极活性物质和被覆材料，所述被覆材料包含第一固体电解质，被覆正极活性物质的表面的至少一部分。第一固体电解质包含Li、M和X，M为选自由Li以外的金属元素和半金属元素组成的组中的至少1个元素，X为卤素元素。将被覆活性物...
    2025-12-28
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