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最新专利技术
  • 一种预防EAPV和TeMV的免疫诱抗剂及其应用
    一种预防EAPV和TeMV的免疫诱抗剂及其应用_华南农业大学_202510407517.0
    本发明属于植物的病毒防控技术领域，具体公开了一种预防EAPV和TeMV的免疫诱抗剂及其应用，由黄芪多糖和铝试剂的混合水溶液组成，预防EAPV和TeMV的免疫诱抗剂在西番莲的田间防控EAPV和TeMV中的应用，具体为在西番莲幼苗5‑6片叶的幼...
    2026-02-07
  • 一种长效缓释的纳米农药制剂、制备方法及应用
    一种长效缓释的纳米农药制剂、制备方法及应用_安徽众邦生物工程有限公司_202510411999.7
    本发明涉及农药纳米制剂领域，具体涉及一种长效缓释的纳米农药制剂、制备方法及应用。长效缓释的纳米农药制剂包括两亲性聚合物和负载的农药；部分聚合物上含有功能基团的功能链节，至少部分功能链节缀合有农药；纳米农药制剂中，纳米农药的水合粒径在10‑1...
    2026-02-07
  • 一种柞蚕培养实验用的呼吸代谢情况监测装置
    一种柞蚕培养实验用的呼吸代谢情况监测装置_吉林省蚕业科学研究院(吉林省农特产品研究院、吉林省北冬虫夏草研究中心)_202510411829.9
    本发明提供一种柞蚕培养实验用的呼吸代谢情况监测装置，包括监测箱体，移动轮，手提把手，上部舱，下部舱，支撑卡座，呼吸代谢舱组件，操控面板组件，导气管，导线体，文丘里混合器和连通管，所述的移动轮分别螺栓连接在监测箱体的下部四角位置；所述的移动轮...
    2026-02-07
  • 一种烟雾病动物模型的构建方法及应用
    一种烟雾病动物模型的构建方法及应用_北京脑重大疾病研究院_202510411416.0
    本发明涉及生物医药技术领域，尤其涉及一种烟雾病动物模型的构建方法及应用。所述构建方法包括如下步骤：(1)实验动物进行双侧颈动脉结扎；(2)结扎后的动物在低氧环境中饲养，获得所述烟雾病动物模型。本发明提供的构建方法能够构建得到稳定的烟雾病动物...
    2026-02-07
  • 一种回型克氏原螯虾养殖池塘及方法
    一种回型克氏原螯虾养殖池塘及方法_湖北省小龙虾产业技术研究院有限公司_202510411744.0
    本发明公开了一种回型克氏原螯虾养殖池塘及方法，所述池塘包含池塘本体、设置于池塘本体内部的养殖区、设置在养殖区外围的围埂、设置在围埂内围的围网、设置在围埂外围的回型沟以及设置在回型沟外围的防逃网。所述方法是基于上述回型克氏原螯虾养殖池塘实现的...
    2026-02-07
  • 基于花期多指标联评的玉米自交系耐热性双验证筛选方法
    基于花期多指标联评的玉米自交系耐热性双验证筛选方法_河北省农林科学院旱作农业研究所_202510406648.7
    本发明公开了基于花期多指标联评的玉米自交系耐热性双验证筛选方法，步骤如下：步骤一：材料预处理与高温胁迫；步骤二：所述供试材料的花期特异性指标的测定；步骤三：利用熵权‑TOPSIS模型对指标赋权，构建耐热性综合指数HTI，进而筛选耐热自交系；...
    2026-02-07
  • 一种基于遥感的农业灌溉监控方法及系统
    一种基于遥感的农业灌溉监控方法及系统_河南省科达水利勘测设计有限公司_202510408828.9
    本申请涉及农业灌溉技术领域，公开了一种基于遥感的农业灌溉监控方法，包括以下步骤：通过卫星遥感、无人机巡检和地面传感器获取土壤水分数据，建立偏微分方程模拟水分迁移；结合最优控制理论优化变量灌溉，利用偏微分博弈模型均衡水资源分配；采用数值计算求...
    2026-02-07
  • 一种可促进草莓生长的育苗方法
    一种可促进草莓生长的育苗方法_北京大学现代农业研究院_202510411526.7
    本发明涉及一种可促进草莓生长的育苗方法。所述方法包括如下步骤：采用穴盘育苗，将丛枝菌根真菌菌剂和基质混合均匀后扦插草莓幼苗，每穴盘菌剂施用量为每公斤基质添加10‑15g的丛枝菌根真菌菌剂。本发明的AMF菌剂可以与草莓幼苗形成互惠共生体，促进...
    2026-02-07
  • 基于多源传感的水稻联合收割机机载实时测产仪及方法
    基于多源传感的水稻联合收割机机载实时测产仪及方法_黑龙江八一农垦大学_202510414743.1
    本发明提供了基于多源传感的水稻联合收割机机载实时测产仪及方法，涉及收割机领域，包括数据采集模块用于采集水稻联合收割机粮仓的数据；定位模块设置于水稻联合收割机粮仓外部，用于采集收割机的位置数据，位置数据包括实时经纬度、当前时间及车辆行驶速度；...
    2026-02-07
  • 微型发光二极管芯片
    微型发光二极管芯片_上海显耀显示科技有限公司_202510421637.6
    本发明提供了一种微型发光二极管芯片，包括：基板；底部介质层，位于所述基板上；发光区，位于所述底部介质层上，所述发光区具有微型发光二极管阵列，所述微型发光二极管阵列具有多个微台面；以及底部金属层，位于所述微型发光二极管阵列与所述底部介质层之间...
    2026-02-07
  • 一种微发光二极管显示芯片及其形成方法
    一种微发光二极管显示芯片及其形成方法_上海显耀显示科技有限公司_202510421593.7
    本发明涉及微显示技术领域，提出一种微发光二极管显示芯片及其形成方法。该微发光二极管显示芯片包括底部导电层，具有第一表面；微发光二极管阵列，位于所述底部导电层上；所述微发光二极管阵列中的微发光二极管具有发光台面；所述发光台面具有一底部表面；所...
    2026-02-07
  • 一种发光二极管结构、制造方法及显示背板
    一种发光二极管结构、制造方法及显示背板_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202510420852.4
    本申请公开了一种发光二极管结构、制造方法及显示背板，可应用于半导体技术领域，该结构包括：缓冲层、外延层、第一无机层以及电极层；所述外延层设于所述缓冲层的一侧；所述外延层具有粗化侧壁；所述第一无机层包裹所述外延层，并留有电极孔；所述电极层设于...
    2026-02-07
  • 一种兼具发光及探测功能的光电器件
    一种兼具发光及探测功能的光电器件_复旦大学_202510416573.0
    本申请涉及一种兼具发光及探测功能的光电器件，包括：透光衬底，包括有上表面；缓冲层，形成于所述透光衬底的上表面；氮化镓基外延层，形成于所述缓冲层的表面，所述氮化镓基外延层的截面为凸字形，所述光电器件开设有深沟道，所述深沟道从所述光电器件的顶部...
    2026-02-07
  • 一种给半导体材料施加稳定应变的方法及产品
    一种给半导体材料施加稳定应变的方法及产品_郑州大学_202510420187.9
    本发明提出了一种给半导体材料施加稳定应变的方法及产品。所述方法主要包含以下步骤：步骤S1，获取半导体材料供体和负热膨胀衬底，所述负热膨胀衬底在第一温度区间和第三温度区间具有正热膨胀或低热膨胀的性质，在第一温度区间与第三温度区间之间的第二温度...
    2026-02-07
  • 一种磷化铟光电芯片封装装置
    一种磷化铟光电芯片封装装置_南京晶耀芯辉半导体科技有限公司_202510415518.X
    本发明公开了一种磷化铟光电芯片封装装置，涉及芯片封装技术领域，结构包括位移单元、封装单元和平台构件，位移单元负责驱动封装单元在三维空间内移动，实现芯片在不同工位间的精确转移和定位，其驱动元件可以是电机、气缸或液压缸等，封装单元包含一个至少有...
    2026-02-07
  • 一种基于硅通孔的三维集成光电转换芯片及其制备方法
    一种基于硅通孔的三维集成光电转换芯片及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202510415088.1
    本发明提供一种基于硅通孔的三维集成光电转换芯片及其制备方法，包括：电芯片层；在电芯片层沿第一方向的一侧上依次叠置第二再布线层、硅通孔转接层、第一再布线层与光芯片层；其中，电芯片层与第二再布线层之间通过第二凸点相键合，第一再布线层与光芯片层之...
    2026-02-07
  • 一种功率MOSFET版图及MOSFET
    一种功率MOSFET版图及MOSFET_上海韦尔半导体股份有限公司_202510420186.4
    本申请实施例提供的一种功率MOSFET版图及MOSFET，在所述第一沟槽区和第二沟槽区之间未设置接触孔区。这样可以提升屏蔽栅极功率MOSFET击穿电压，且本申请实施例提供的MOSFET终端区的沟槽底部的场强/碰撞电离率降低。
    2026-02-07
  • 一种氮化镓晶体管及其制备方法
    一种氮化镓晶体管及其制备方法_西交利物浦大学_202510414972.3
    本发明公开了一种氮化镓晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该氮化镓晶体管包括：衬底、位于衬底一侧的第一n+GaN层、n‑GaN层、p型GaN层和第二n+GaN层；氮化镓晶体管还包括栅极沟槽、源极沟槽、漏极沟槽、第一氧化结构、栅极、源...
    2026-02-07
  • 一种无线通讯箱
    一种无线通讯箱_深圳市爱尚思科技有限公司_202510414921.0
    本发明公开了一种无线通讯箱，涉及无线通讯技术领域。本发明包括底板，所述底板的顶面放置有无线通讯设备，所述无线通讯设备的外部设置有屏蔽机构，所述底板的表面安装有用于对屏蔽机构限位的第一对接机构，所述屏蔽机构的顶部嵌设有波导窗，所述屏蔽机构的顶...
    2026-02-07
  • 一种具有导电梯度结构的MXene/石墨相氮化碳/芳纶纳米纤维电磁屏蔽薄膜及其制备方法
    一种具有导电梯度结构的MXene/石墨相氮化碳/芳纶纳米纤维电磁屏蔽薄膜及其制备方法_长安大学_202510414149.2
    本发明公开了一种具有导电梯度结构的MXene/石墨相氮化碳/芳纶纳米纤维电磁屏蔽薄膜及其制备方法，属于电磁屏蔽材料领域。该电磁屏蔽材料，包括以下原料：MXene，石墨相氮化碳(g‑C3N4)，以及...
    2026-02-07
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