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最新专利技术
  • 一种小鼠饮水装置及饮水行为记录方法
    一种小鼠饮水装置及饮水行为记录方法_四川大学华西医院_202510699316.2
    本发明提供了一种小鼠饮水装置及饮水行为记录方法，包括笼体；内设有台阶体；所述台阶体上设有过水口；送水组件，包括储水瓶以及与所述储水瓶连通的滴水管；所述滴水管设置于所述台阶体的上方；数据采集组件，包括设置于所述过水口下方的压力传感器以及与所述...
    2025-12-24
  • 一种芦竹愈伤组织的超低温保存方法
    一种芦竹愈伤组织的超低温保存方法_武汉兰多生物科技有限公司_202510701373.X
    本发明公开了一种芦竹愈伤组织的超低温保存方法，属于植物资源保存技术领域。本发明通过对芦竹愈伤组织进行悬浮培养、高渗培养后，添加冻存液置于液氮中进行冻存，能较好地保持芦竹愈伤组织的活性，在解冻后，新生愈伤组织的分化、生根效果较好，有利于为后续...
    2025-12-24
  • 一种融合控制的电驱式水田精准平地机和平地融合控制方法
    一种融合控制的电驱式水田精准平地机和平地融合控制方法_华南农业大学_202510704962.3
    一种融合控制的电驱式水田精准平地机和平地融合控制方法，包括动力底盘、机架、高程电驱调节机构、仿形调节机构、平地机构、水平调节机构、控制系统、感知系统；插秧机动力底盘包括机械式液压锁止阀、液压油缸、升降机构、拉绳机构；仿形调节机构设置在平地机...
    2025-12-24
  • 钙钛矿薄膜及其制备方法以及钙钛矿电池
    钙钛矿薄膜及其制备方法以及钙钛矿电池_武汉理工大学_202510708334.2
    本申请提供了一种钙钛矿薄膜及其制备方法以及钙钛矿电池。所述钙钛矿薄膜的材料包括钙钛矿材料以及添加剂。添加剂的结构中含有的杂环、磺酰基等结构可以与钙钛矿材料中的离子形成多元相互作用，降低α相的成核能垒，抑制δ相的生成，从而有效提升电池的光电转...
    2025-12-24
  • 一种IWO复合层及其制备方法和应用
    一种IWO复合层及其制备方法和应用_深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司_202510709008.3
    本发明公开了一种IWO复合层及其制备方法和应用，属于新能源技术领域。本发明提供的IWO复合层，包括叠加设置的SnO2种子层和IWO层，IWO层包括第一IWO子层和第二IWO子层；第一IWO子层和所述第二IWO子层叠加设...
    2025-12-24
  • 一种提高分子晶体管器件亚阈值摆幅的方法
    一种提高分子晶体管器件亚阈值摆幅的方法_江苏集创原子团簇科技研究院有限公司_202510704308.2
    本发明涉及电子器件技术领域，具体公开了一种提高分子晶体管器件亚阈值摆幅的方法，包括：以下步骤：步骤一、将分子A溶液旋涂到含有电极阵列的沉底上，得到分子晶体管器件；步骤二、通过电压操控分子晶体管器件的开关态，并计算分子晶体管器件中的亚阈值摆幅...
    2025-12-24
  • 源漏接触叠层的制备方法及源漏接触叠层结构体
    源漏接触叠层的制备方法及源漏接触叠层结构体_中国科学院微电子研究所_202510712174.9
    本公开提供了一种源漏接触叠层的制备方法及源漏接触叠层结构体，可以应用于半导体技术领域。该方法包括：在衬底表面形成绝缘层并进行蚀刻，形成接触孔，其中，衬底的硅表面暴露于接触孔的底面；在接触孔的表面淀积Ta/Mo叠层，其中，接触孔的表面包括接触...
    2025-12-24
  • 一种沟道阈值调控方法和GAA NS器件
    一种沟道阈值调控方法和GAA NS器件_中国科学院微电子研究所_202510708150.6
    本发明提供了一种沟道阈值调控方法和GAANS器件。本发明的沟道阈值调控方法，包括如下步骤：S1：在衬底表面依次外延生长锗硅层和硅层形成叠层，在外延生长锗硅层时进行掺杂；S2：对形成叠层的衬底进行热处理，使锗硅层中的掺杂元素进入硅层表面。本发...
    2025-12-24
  • 一种利用体硅衬底的SOI GAA器件及其制备方法
    一种利用体硅衬底的SOI GAA器件及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202510707038.0
    本发明涉及一种利用体硅衬底的SOI GAA器件及其制备方法，其衬底制备包括：在硅衬底上外延生长第一牺牲层/第二牺牲层/第一牺牲层/硅层的叠层结构；在叠层结构上方淀积硬掩膜；进行光刻及刻蚀形成Fin结构；采用湿法腐蚀的方式，对第一牺牲层进行部...
    2025-12-24
  • 一种高光学稳定性高迁移率的异质层半导体及其制备与应用
    一种高光学稳定性高迁移率的异质层半导体及其制备与应用_华南理工大学_202510705789.9
    本发明公开了一种高光学稳定性高迁移率的异质层半导体及其制备与应用。本发明先溅射制备一层高载流子浓度的氧化物半导体层，再通过共溅射的方式制备载流子浓度更低和功函数较低的半导体层，得到异质层半导体。由于两层半导体之间的功函数差，电子会自发地从功...
    2025-12-24
  • 一种利用体硅衬底的SOI GAA器件及其制备方法
    一种利用体硅衬底的SOI GAA器件及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202510705552.0
    本发明半导体技术领域，尤其是涉及一种利用体硅衬底的SOI GAA器件及其制备方法，其衬底制备包括如下步骤：在硅衬底上外延生长牺牲层/硅层的叠层结构；在叠层结构上方淀积硬掩膜；进行光刻及刻蚀形成Fin结构；采用湿法腐蚀的方式，对外延牺牲层进行...
    2025-12-24
  • 氮极性超晶格协同调控的高二维电子气浓度晶体管及方法
    氮极性超晶格协同调控的高二维电子气浓度晶体管及方法_北京大学_202510705299.9
    本发明公开了一种氮极性超晶格协同调控的高二维电子气浓度晶体管及方法。本发明包括：衬底、超晶格应力调控层、应力弛豫层、势垒层和沟道层；通过周期性异质结构设计，能够在纳米尺度实现应力的定向传递与存储，在提升沟道层载流子浓度的同时，通过量子限域效...
    2025-12-24
  • 一种基于N面GaN/AlGaN异质结的横向JTE二极管
    一种基于N面GaN/AlGaN异质结的横向JTE二极管_西安电子科技大学_202510710766.7
    本发明公开了一种N面GaN/AlGaN异质结的横向JTE二极管，属于半导体技术领域，包括：外延结构，外延结构至少包括N面非故意掺杂GaN沟道层；位于N面非故意掺杂GaN沟道层表面的P型JTE层、阳极和阴极；其中，阳极与P型JTE层位于阳极区...
    2025-12-24
  • 基于忆阻器结构的多次可编程存储器件及其制备方法
    基于忆阻器结构的多次可编程存储器件及其制备方法_江苏稻源科技集团有限公司_202510707059.2
    本发明涉及半导体集成技术领域，公开了基于忆阻器结构的多次可编程存储器件及其制备方法，该器件包括衬底，衬底的中部设置有埋氧化层，埋氧化层将衬底的顶部隔离为集电区；集电区的顶部设置有基区，基区的顶部设置有浅槽隔离和发射区；集电区及基区的顶部设置...
    2025-12-24
  • 车载电子元器件用的散热保护装置
    车载电子元器件用的散热保护装置_瑞鼎机电科技(昆山)有限公司_202510707146.8
    本申请公开了一种车载电子元器件用的散热保护装置，涉及车载电子设备技术领域。本申请的车载电子元器件用的散热保护装置，包括用于容置电子元器件的底壳、盖设于底壳上的顶盖，顶盖的内壁设置有多个导热块，每相邻的两个导热块之间分别形成有散热槽，散热槽的...
    2025-12-24
  • 具有PACK检测保护机构的储能系统高压控制盒
    具有PACK检测保护机构的储能系统高压控制盒_杭州友为智能科技有限公司_202510704728.0
    本发明公开了一种具有PACK检测保护机构的储能系统高压控制盒，涉及储能系统控制技术领域。本发明包括盒体，盒体一侧转动配合有控制面板，控制面板一侧装设有显示屏和多个控制按钮，盒体内装设有与控制面板相配合的继电器，盒体内装设有与继电器相配合的多...
    2025-12-24
  • 一种避免线路板孔内残留的去膜工艺
    一种避免线路板孔内残留的去膜工艺_福莱盈电子股份有限公司_202510708462.7
    本发明涉及一种避免线路板孔内残留的去膜工艺，步骤包括：板材准备、真空压膜、图形、初步去膜、加压冲洗和干燥。本发明在初步去膜之后不进行干燥，从而使孔内的感光树脂保持被剥膜溶液浸润的状态，从而使加压冲洗步骤可以更好地将卡在孔内的感光树脂除去，清...
    2025-12-24
  • 一种听力计衰减器控制方法及系统
    一种听力计衰减器控制方法及系统_鹿溪医疗设备(广东)有限公司_202510706347.6
    本发明公开了一种听力计衰减器控制方法，用户通过按键、触屏或语音选择“手动”或“自动”模式：手动模式下输入目标衰减量和测试频率；自动模式下选择预设方案，系统自动加载对应参数；系统实时采集输入声音的大小、频率，监测环境温湿度和电磁干扰情况，并获...
    2025-12-24
  • 一种基于光线路路由切换的光传输系统及方法
    一种基于光线路路由切换的光传输系统及方法_中国电子科技集团公司第三十四研究所_202510711296.6
    本发明涉及光纤通信技术领域，具体涉及一种基于光线路路由切换的光传输系统及方法，包括STM‑1/4/16光传输模块、STM‑64光传输模块和光线路路由切换模块，本发明使同一个光传输接口能够根据用户需求灵活设置为STM‑1、STM‑4、STM‑...
    2025-12-24
  • 一种多媒体信息导视方法及系统
    一种多媒体信息导视方法及系统_高信文化传媒(北京)有限公司_202510709337.8
    本发明涉及多媒体导视技术领域，具体为一种多媒体信息导视方法及系统，包括以下步骤，获取背景像素边界构建线段集合，识别重叠区域生成重定位坐标，映射层级编号生成状态矩阵，偏移坐标确定锚点位置，组合内容导出配置清单。本发明中，通过图像边界像素的连续...
    2025-12-24
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