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最新专利技术
  • 集成无源器件及其制备方法、芯片、电子设备
    集成无源器件及其制备方法、芯片、电子设备_华为技术有限公司_202380093918.2
    本申请提供一种集成无源器件及其制备方法、芯片、电子设备， 涉及半导体技术领域， 可以避免因导第一导电层和第二导电层损坏， 导致三维电容器的层数受限。该集成无源器件包括衬底、三维电容器、间隔层、以及间隔设置的第一导电层和第二导电层。三维电容器...
    2025-10-12
  • 包含功能化液态金属液滴的热界面材料、由其形成的电路组件及其制造方法
    包含功能化液态金属液滴的热界面材料、由其形成的电路组件及其制造方法_阿莱卡股份有限公司_202480013692.5
    提供了包含功能化液态金属液滴的热界面材料、由其形成的电路组件及其制造方法。热界面材料包含聚合物组分和分散在整个聚合物组分中的液态金属液滴。液态金属液滴的至少一部分包括包含金属氧化物的外表面。热界面材料包含功能化组分， 该功能化组分通过酸键合...
    2025-10-12
  • 散热片层叠体
    散热片层叠体_拓自达电线株式会社_202480013802.8
    本发明提供一种在拾取散热片时不易发生破裂、贴合的作业性优异的散热片层叠体。散热片层叠体(1)依次具备压花膜(5)、散热片(4)、脱模膜(3)和粘合片(2)。脱模膜(3)能够从粘合片(2)和散热片(4)剥离。在粘合片(2)上配置有多个单片化的...
    2025-10-12
  • 方形硅基板及其制造方法
    方形硅基板及其制造方法_三菱综合材料株式会社_202480013343.3
    一种方形硅基板的制造方法， 所述方形硅基板具有电路形成用第一面和位于与该第一面相反的位置的第二面， 所述方形硅基板的制造方法包括：切片工序， 通过对硅铸锭进行切片而形成方形的板状部件；磨削工序， 对板状部件的两面进行磨削；及抛光工序， 对经...
    2025-10-12
  • 器件及其制造方法
    器件及其制造方法_龙云株式会社_202480016303.4
    器件的制造方法是制造具有空腔的器件的方法， 包括接合步骤和内压调节步骤。在接合步骤中， 通过将2个接合对象接合而形成空腔， 并且在该空腔内密封气体吸附件， 该气体吸附件能够在光的照射下吸附该空腔内的气体。在接合步骤之后， 在内压调节步骤中，...
    2025-10-12
  • 基板处理装置、映射装置、基板处理方法、半导体器件的制造方法及程序
    基板处理装置、映射装置、基板处理方法、半导体器件的制造方法及程序_株式会社国际电气_202380094579.X
    本发明提供使材质不同的晶片混合存在而能够经济且安全地运用基板处理装置的技术。包括：映射装置， 其判别收纳在载体中并被搬入基板处理装置的基板的材质；以及控制部， 其构成为一边更新位于所述基板处理装置内的所述被搬入的基板的材质的第1信息一边保持...
    2025-10-12
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202380094021.1
    本公开所涉及的半导体装置的制造方法对半导体芯片具有的pn结部施加正方向电压， 检测所述pn结部发出的光， 并根据检测出的所述光的强度， 来检测所述半导体芯片的主电流的大小。
    2025-10-12
  • 外延硅晶片及其制造方法以及半导体器件的制造方法
    外延硅晶片及其制造方法以及半导体器件的制造方法_胜高股份有限公司_202480013813.6
    本发明提供一种基于氢的钝化效果高的外延硅晶片的制造方法。本发明所涉及的外延硅晶片(100)的制造方法的特征在于， 具有：第1工序， 对硅晶片(10)的表面照射包含SiHx(x为1～3的整数)的离子(12A)和C2Hy(y为2～5的整数)的离...
    2025-10-12
  • 陶瓷加热器
    陶瓷加热器_日本碍子株式会社_202380013799.5
    本发明提供能够使得从多个横孔喷出的气体量均匀化的陶瓷加热器。该陶瓷加热器具备：陶瓷板， 其具有第一面和第二面， 且植入有加热器电极；陶瓷轴， 其安装于陶瓷板的第二面；轴孔， 其贯穿设置于构成陶瓷轴的侧壁内；气体沟， 其呈圆弧状地设置于陶瓷板...
    2025-10-12
  • 基板处理方法
    基板处理方法_东京毅力科创株式会社_202480014635.9
    本公开的一个方式的基板处理方法包括蚀刻工序， 在该蚀刻工序中， 向形成有SiCN膜的基板供给蚀刻液来对SiCN膜进行蚀刻。在蚀刻工序中， 将氢氟酸与氧化剂的混合液作为蚀刻液供给到基板。
    2025-10-12
  • 基板处理系统以及基板处理方法
    基板处理系统以及基板处理方法_东京毅力科创株式会社_202480013749.1
    本发明提供一种基板处理系统， 其具备：数据取得部， 其取得腔室内的等离子体发光数据；状态预测部， 其通过向对等离子体发光数据与表示腔室内的状态的信息之间的关系进行学习得到的已学习模型输入由数据取得部取得的等离子体发光数据， 来预测腔室内的状...
    2025-10-12
  • 晶片处理方法
    晶片处理方法_株式会社日立高新技术_202480003693.1
    本发明的目的在于提供一种解决高纵横比的垂直加工中的锥度现象的方法。本发明的一技术方案的晶片处理方法是对配置在处理室内且在表面具备处理对象的膜的晶片进行处理的晶片处理方法， 其中， 将多个工序作为一个循环并重复多次该循环， 所述多个工序包括：...
    2025-10-12
  • 晶圆加工用临时粘合材料、晶圆加工体及薄型晶圆的制造方法
    晶圆加工用临时粘合材料、晶圆加工体及薄型晶圆的制造方法_信越化学工业株式会社_202480016669.1
    本发明为一种晶圆加工用临时粘合材料， 其为用于将在表面具有电路形成面并应对背面进行加工的晶圆临时粘合于支撑体的晶圆加工用临时粘合材料， 其具备复合临时粘合材料层， 所述复合临时粘合材料层具有下述两层结构：能够以可剥离的方式粘合于所述晶圆的表...
    2025-10-12
  • 清洗装置及安装装置
    清洗装置及安装装置_芝浦机械电子株式会社_202480013985.3
    本发明提供一种清洗装置及安装装置， 可减少由电子零件的间隙的清洗液的残留所致的电子零件的污染。实施方式为一种清洗装置(供给体清洗部110)， 对零件供给体TW进行清洗， 所述零件供给体TW在装设在环R的带T上贴附有经单片化为电子零件E的晶片...
    2025-10-12
  • 基板处理装置及基板处理方法
    基板处理装置及基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480013733.0
    基板处理装置(100)包含喷嘴(3)、基板保持部(2)、液承接部(11)、排液机构(6)、及喷嘴移动部(5)。喷嘴(3)选择性地喷出包含酸性药液、碱性药液、及冲洗液的复数种处理液。基板保持部(2)保持基板(W)。液承接部(11)配置于基板保...
    2025-10-12
  • 半导体基板的制造方法和经加工的半导体基板的制造方法以及剥离和溶解用组合物
    半导体基板的制造方法和经加工的半导体基板的制造方法以及剥离和溶解用组合物_日产化学株式会社_202480013314.7
    提供一种包括半导体基板的清洗工序的半导体基板的制造方法和包括这样的半导体制造方法的经加工的半导体基板的制造方法以及用于这样的清洗工序的组合物， 所述半导体基板的清洗工序能以简便的操作、更短时间且更干净地将粘接层从在表面具有该粘接层的半导体基...
    2025-10-12
  • 粘合片材、半导体零件的制造方法
    粘合片材、半导体零件的制造方法_电化株式会社_202480012377.0
    本发明提供一种粘合片材， 其即便在将粘合片材贴附于被粘体的状态下进行热处理时， 也容易从被粘体剥离粘合片材。根据本发明， 提供一种粘合片材， 其具备基材层与设置于上述基材层上的粘合剂层， 上述粘合剂层由(甲基)丙烯酸系树脂组合物形成， 上述...
    2025-10-12
  • 半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆
    半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆_胜高股份有限公司_202380094525.3
    本发明提供一种能够抑制汤勺形状的缺陷的产生的半导体晶圆的清洗方法。本发明的半导体晶圆的清洗方法， 其为具有一边使半导体晶圆旋转一边将清洗液供给到所述半导体晶圆的至少正面的旋转清洗工序的半导体晶圆的清洗方法， 其特征在于， 所述旋转清洗工序包...
    2025-10-12
  • 蚀刻方法和蚀刻装置
    蚀刻方法和蚀刻装置_东京毅力科创株式会社_202480016644.1
    本公开的蚀刻方法包括：第一贮存工序， 从第一气体供给源向第一气体供给路供给第一蚀刻气体， 并将该第一蚀刻气体贮存于在第一气体供给路设置的第一贮存部， 使该第一贮存部的内部升压；第二贮存工序， 从第二气体供给源向第二气体供给路供给第二蚀刻气体...
    2025-10-12
  • 基材表面的选择性修饰方法、经表面处理的基材的制造方法及组合物
    基材表面的选择性修饰方法、经表面处理的基材的制造方法及组合物_JSR株式会社_202380094531.9
    在包括将组合物涂敷在基材的表面的工序的基材表面的选择性修饰方法中， 作为组合物， 使用含有具有羧酸盐阴离子部及碳数8以上的一价有机基的化合物(A)、以及水的组合物。
    2025-10-12
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