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最新专利技术
  • 片材排出设备和成像设备
    片材排出设备和成像设备_佳能株式会社_202510387170.8
    一种片材排出设备包括：片材排出单元， 该片材排出单元设置成沿片材排出方向排出片材；片材支承单元， 该片材支承单元设置成支承片材；第一电荷消除单元， 该第一电荷消除单元布置在片材排出单元的片材排出方向的下游， 并且设置成从片材表面消除电荷；第...
    2026-01-24
  • 一种高分子聚合物增强的打印机墨粉及其制备方法
    一种高分子聚合物增强的打印机墨粉及其制备方法_珠海泽鹏打印耗材有限公司_202510919677.3
    本发明公开了一种高分子聚合物增强的打印机墨粉及其制备方法， 属于墨粉加工技术领域。本发明用于解决现有技术中墨粉在打印时的分辨力和定影牢度有待进一步提高的技术问题， 一种高分子聚合物增强的打印机墨粉， 包括按份量计的以下组成：60‑80份改性...
    2026-01-24
  • 一种用于掩模版的对准装置、传输系统及AOI设备
    一种用于掩模版的对准装置、传输系统及AOI设备_上海御微半导体技术有限公司_202410422918.9
    本发明提供了一种用于掩模版的对准装置、传输系统及AOI设备， 通过设置运动模组， 用于控制待对准的掩模版旋转设定角度；信号器， 用于获取待对准的掩模版在旋转前的第一边缘信息， 获取待对准的掩模版在旋转设定角度后的第二边缘信息， 以及根据第一...
    2026-01-24
  • 水系剥离液及其制备方法和应用
    水系剥离液及其制备方法和应用_佛山西陇化工有限公司_202511015080.2
    本发明提供了一种水系剥离液及其制备方法和应用， 具体涉及光刻技术领域。该水系剥离液包括极性溶剂、渗透剂、表面活性剂、腐蚀抑制剂、增溶剂和纯水。该水系剥离液中， 极性溶剂能够渗透到光刻胶内部， 破坏其分子间作用力， 使光刻胶结构松散；渗透剂加...
    2026-01-24
  • 显影装置、显影方法、计算机程序产品以及计算机可读存储介质
    显影装置、显影方法、计算机程序产品以及计算机可读存储介质_东京毅力科创株式会社_202510369388.0
    本发明提供一种显影装置、显影方法、计算机程序产品以及计算机可读存储介质。显影装置具备：第一喷嘴， 其具备以连续了覆盖基板的宽度的长度的方式在横向上伸长的第一喷出口；移动机构， 其在从第一喷出口喷出显影液的期间设为使第一喷嘴在与第一喷出口的伸...
    2026-01-24
  • 一种用于纠正硅片位置偏移的检测系统及其检测方法
    一种用于纠正硅片位置偏移的检测系统及其检测方法_青岛芯微半导体科技有限公司_202511281757.7
    本发明公开了一种用于纠正硅片位置偏移的检测系统及其检测方法， 涉及硅片位置偏移检测技术领域， 该用于纠正硅片位置偏移的检测系统， 包括载物组件， 所述载物组件的外部设置有支撑架， 所述支撑架的一端设置有驱动电机， 且驱动电机带动载物组件转动...
    2026-01-24
  • 成形光阑组件、电子束分束模块及多电子束光刻机
    成形光阑组件、电子束分束模块及多电子束光刻机_广东省科学院半导体研究所_202511274668.X
    本发明公开一种成形光阑组件、电子束分束模块及多电子束光刻机， 成形光阑组件包括具有第一通孔的第一冷板；和通过第一移动机构能够沿第一冷板的延伸方向往复运动， 以使其部分能位于与第一通孔对应的位置的第一光阑阵列板， 第一光阑阵列板沿第一冷板的延...
    2026-01-24
  • 直描式曝光装置
    直描式曝光装置_株式会社阿迪泰克工程_202511224087.5
    本发明提供一种能够以简单的构造实现低成本化并且能够以高生产率执行曝光工艺的直描式曝光装置。作为工件载置部的载物台(3)连结有多个， 通过转圈机构(21)沿着环状的环绕路转圈。在到达载置作业位置的载物台(3)上装载机(4)载置未曝光的工件W，...
    2026-01-24
  • 套刻误差补偿方法、装置和光刻机
    套刻误差补偿方法、装置和光刻机_中国科学院微电子研究所_202511222470.7
    本公开提供了一种套刻误差补偿方法、装置和光刻机， 可以应用于半导体制造领域。该方法包括：将当前实际套刻误差数据进行高阶多项式拟合， 得到多个当前候选套刻参数， 当前候选套刻参数表征高阶多项式的系数， 高阶多项式的阶数大于或等于4；基于多个当...
    2026-01-24
  • 一种基于脉冲时间驱动激光器曝光的方法
    一种基于脉冲时间驱动激光器曝光的方法_深圳市先地图像科技有限公司_202511196420.6
    本申请实施例公开了一种基于脉冲时间驱动激光器曝光的方法， 运用于激光直写技术领域， 该方法包括：步骤1：获取激光器曝透感光涂层需要的曝光功率P；步骤2：激光直写设备上的测距模块适时检测激光器的实时水平曝光速度V1， 上位机根据V1计算出激光...
    2026-01-24
  • 适用于方形基板涂胶的晶圆边缘曝光工艺及装置
    适用于方形基板涂胶的晶圆边缘曝光工艺及装置_青岛天仁微纳科技有限责任公司_202511032120.4
    本发明涉及适用于方形基板涂胶的晶圆边缘曝光工艺及装置， 具体包括以下步骤：基板预处理和基板清洗及干燥、基板的初步固定、边缘曝光装置进行曝光处理、基板后处理和取片及设备复位， 本发明是对方形基板沿边横纵扫描与边角补扫相结合的方式， 有效的解决...
    2026-01-24
  • 多芯片高密度连接的光刻技术实现方法
    多芯片高密度连接的光刻技术实现方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202510840451.4
    本申请公开了多芯片高密度连接的光刻技术实现方法、芯片级芯片互连方法、掩膜版线条的制作方法以及光刻设备， 光刻技术实现方法包括：选择第一掩膜版通过第二对准标记与第一原有图形单元对准曝光， 将第一掩膜版图形转移到第一曝光区域；将衬底纵向移动M倍...
    2026-01-24
  • 多芯片高密度连接光刻技术的实现方法
    多芯片高密度连接光刻技术的实现方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202510840039.2
    本申请公开了多芯片高密度连接光刻技术的实现方法、用于多芯片互连的光刻技术的实现方法、芯片级芯片互连方法、掩膜版线条的制作方法以及光刻设备， 多芯片高密度连接光刻技术的实现方法包括：选择第一掩膜版通过第二对准标记与第一M×N芯片组中第一原有图...
    2026-01-24
  • 晶圆承载台升降系统与升高晶圆承载台的方法
    晶圆承载台升降系统与升高晶圆承载台的方法_利易达半导体设备股份有限公司_202510253596.4
    本发明涉及一种晶圆承载台升降系统与升高晶圆承载台的方法， 特别是在半导体微影工艺中实现晶圆与光罩精确对齐的系统和方法。该系统包括一晶圆承载台、一光罩承载台、多个线性致动器与测距仪、及一控制器。晶圆承载台用于承载晶圆， 光罩承载台用于承载光罩...
    2026-01-24
  • 一种曝光镜头装置的曝光剂量控制方法
    一种曝光镜头装置的曝光剂量控制方法_源卓微纳科技(苏州)股份有限公司_202410419911.1
    本发明涉及一种曝光镜头装置的曝光剂量控制方法， 所述曝光镜头装置包括依次设置的激光器、数字微镜器件(DMD)和镜头， 数字微镜器件(DMD)包括可根据加工图形变化的工作区域和阻挡光穿过镜头的非工作区域， 通过设置工作区域或者非工作区域的面积...
    2026-01-24
  • 模型的建立方法及系统、版图修正方法、设备及存储介质
    模型的建立方法及系统、版图修正方法、设备及存储介质_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410418609.4
    一种模型的建立方法及系统、版图修正方法、设备及存储介质， 建立方法包括：提供多个测试图形；对测试图形进行实际曝光， 获得实际曝光图形；获取测试图形在实际曝光过程中的光学特性参数；沿实际曝光图形进行刻蚀， 获得实际刻蚀图形；根据实际刻蚀图形和...
    2026-01-24
  • 一种真空吸盘、涂胶显影设备及其控制方法
    一种真空吸盘、涂胶显影设备及其控制方法_华为技术有限公司_202410404788.6
    本申请实施例公开了一种真空吸盘、涂胶显影设备及其控制方法， 涉及半导体设备技术领域， 减小了现有后道制程中显影液对晶背边缘产生损伤的问题。该真空吸盘具有第一盘面。真空吸盘内形成有真空通道和喷气通道， 真空通道用于与抽真空设备连通。并且， 真...
    2026-01-24
  • 套刻偏差测量结构及方法
    套刻偏差测量结构及方法_江苏卓胜微电子股份有限公司_202410391681.2
    本申请公开了一种套刻偏差测量结构及方法， 属于半导体技术领域。该套刻偏差测量结构包括：衬底， 包括有源区， 所述有源区包括沟道区， 以及位于所述沟道区沿第一方向相对两侧的源漏极区；栅极结构， 位于所述沟道区上；电极结构， 位于所述衬底上且沿...
    2026-01-24
  • 光刻胶高速旋涂均匀性优化方法
    光刻胶高速旋涂均匀性优化方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510809921.0
    本发明提供一种光刻胶高速旋涂均匀性优化方法， 包括：向旋涂腔体内通入氮气， 以在旋涂腔体内形成氮气环境；在氮气环境下， 对涂覆有光刻胶的晶圆进行旋涂， 并控制旋涂的转速， 使得基于氮气环境计算的雷诺数低于预设的湍流临界雷诺数；以及在旋涂过程...
    2026-01-24
  • 薄膜形成装置及包括其的基板处理装置
    薄膜形成装置及包括其的基板处理装置_细美事有限公司_202510283692.3
    本发明公开了一种薄膜形成装置及包括其的基板处理装置。基板处理装置可以包括第一处理部和第二处理部。所述第一处理部可以包括薄膜形成部和厚度调整部。所述薄膜形成部可以在所述基板的上表面形成具有均匀的厚度的薄膜， 并且所述厚度调整部可以调整所述薄膜...
    2026-01-24
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