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最新专利技术
  • 一种用于氧化物外延的石墨盘表面涂层保护方法
    一种用于氧化物外延的石墨盘表面涂层保护方法_福建晶旭半导体科技有限公司_202511072544.3
    本申请公开了一种用于氧化物外延的石墨盘表面涂层保护方法， 涉及半导体技术领域， 包括如下步骤：步骤1、将石墨盘置于高温烘烤， 获得高温处理石墨盘；步骤2、将高温处理石墨盘置入外延反应腔中待用；步骤3、在高温处理石墨盘的表面施加抗高温氧化反应...
    2026-02-09
  • 一种磷/硅复合负极材料的制备方法
    一种磷/硅复合负极材料的制备方法_泰苓科技(湖州)有限公司_202510911101.2
    一种磷/硅复合负极材料的制备方法， 属于锂电池负极材料技术领域。所述方法为：在CVD沉积炉中， 放入多孔炭， 先抽真空， 升温至180~230℃， 并恒定50~70 min；升温至600‑800℃， 通SiH4硅烷气体， 进行裂解沉积， 沉...
    2026-02-09
  • 一种粗糙元构成的粗糙壁面掺硼金刚石电极及其制备方法和应用
    一种粗糙元构成的粗糙壁面掺硼金刚石电极及其制备方法和应用_江西科技师范大学_202510988469.9
    本发明涉及生物、环境和材料制备技术领域， 特别是涉及一种粗糙元构成的粗糙壁面掺硼金刚石电极及其制备方法和应用。本发明提供的粗糙壁面掺硼金刚石电极表面由分散均匀且分布密度可调节的粗糙元单元构成， 该粗糙元赋予掺硼金刚石膜电极表面更大的表面起伏...
    2026-02-09
  • 一种半导体设备及其控制方法
    一种半导体设备及其控制方法_拓荆科技(上海)有限公司_202511023349.1
    本发明公开了一种半导体设备及其控制方法， 半导体设备包括反应腔室、传输腔室及连接二者的阀门组件， 阀门组件包括阀盒、第一阀板、第二阀板、第一驱动器以及第二驱动器， 阀盒的一端连接反应腔室， 另一端连接传输腔室， 第一阀板和第二阀板设置在阀盒...
    2026-02-09
  • 一种电容器用薄膜金属镀覆设备
    一种电容器用薄膜金属镀覆设备_昆山泓创新能源科技有限公司_202510817575.0
    本发明公开了一种电容器用薄膜金属镀覆设备， 涉及真空镀覆技术领域， 所述薄膜金属镀覆设备包括底座、卷绕装置、驱动装置、真空装置和镀覆装置， 所述驱动装置和镀覆装置相对设置在底座的上方两端， 相比于目前的薄膜金属镀覆设备， 本发明能够在不停机...
    2026-02-09
  • 一种高效镀膜装置及镀膜方法
    一种高效镀膜装置及镀膜方法_深圳市创基真空科技有限公司_202510793412.3
    本发明申请涉及， 尤其涉及一种高效镀膜装置及镀膜方法。基于判断逻辑， 设置一组或多组真空罐能够维持多批工件同时进行真空处理， 一组或多组镀膜罐能够维持多批同时进行镀膜处理， 提高了整体镀膜装置的镀膜效率。而且， 镀膜罐可以根据不同的工件所需...
    2026-02-09
  • 一种翻片机构及真空镀膜设备
    一种翻片机构及真空镀膜设备_深圳市矩阵多元科技有限公司_202510952537.6
    本发明公开了一种翻片机构及真空镀膜设备， 翻片机构包括：翻转组件， 翻转组件包括基座和两个夹持部， 两个夹持部分别设置于基座的上下两侧， 以限定出基片安装空间， 基座转动设置， 以切换任一夹持部位于上侧；顶升组件， 顶升组件包括第一顶升部，...
    2026-02-09
  • 一种TiSiN/TiBC多层阻氢耐磨涂层及其制备方法和应用
    一种TiSiN/TiBC多层阻氢耐磨涂层及其制备方法和应用_成都成高阀门股份有限公司_202511312605.9
    本发明公开了一种TiSiN/TiBC多层阻氢耐磨涂层及其制备方法和应用， 属于材料制备技术领域。本发明通过高频脉冲磁控溅射技术在钢基体表面制备TiSiN/TiBC多层结构复合的阻氢耐磨涂层， 并在钢基体与阻氢涂层之间设计了中间过渡层， 该过...
    2026-02-09
  • 一种磁控溅射系统及其镀膜方法
    一种磁控溅射系统及其镀膜方法_艾瑞森表面技术(苏州)股份有限公司_202511284672.4
    本申请涉及磁控溅射系统及其镀膜方法， 系统包括设置于镀膜室内的一对孪生硅靶材及铝靶材， 所述铝靶材位于所述孪生硅靶材所在水平线的正中间， 所述孪生硅靶材与中频电源电连接， 所述铝靶材与直流电源电连接。本申请的结构设计， 一方面能能够扩大均匀...
    2026-02-09
  • 一种基于3C产品的抗静电防水膜及其制作工艺
    一种基于3C产品的抗静电防水膜及其制作工艺_深圳市兴威格科技有限公司_202511028776.9
    本发明公开了一种基于3C产品的抗静电防水膜及其制作工艺， 涉及抗静电防水膜技术领域， 本发明分别对聚四氟乙烯微粉和碳纳米管进行表面功能化改性和表面镀铜处理， 通过调整铜粉、碳纳米管、聚四氟乙烯微粉三者之间的比例， 制备得到三元复合靶材；通过...
    2026-02-09
  • 一种磁控溅射阳极及磁控溅射装置
    一种磁控溅射阳极及磁控溅射装置_深圳市科和盛业技术有限公司_202511011459.6
    本申请公开一种磁控溅射阳极， 其包括法兰安装板、布气板以及防护罩， 法兰安装板的两端分别设置有水冷接口， 在两个水冷接口之间设有接电电极， 布气板设置于法兰安装板背离水冷接口的一侧， 布气板形成有气流通道， 防护罩盖设于布气板， 气体由布气...
    2026-02-09
  • 基于磁控溅射的铝基薄膜均匀沉积系统
    基于磁控溅射的铝基薄膜均匀沉积系统_苏州首铝金属有限公司_202510986032.1
    本发明涉及铝基薄膜制备技术领域， 公开了基于磁控溅射的铝基薄膜均匀沉积系统。该系统包括基片状态检测模块、磁场动态调控模块、溅射功率调节模块、沉积过程监控模块和中央控制终端。基片状态检测模块实时采集基片表面平整度数据并传输， 中央控制终端进行...
    2026-02-09
  • 一种高熵NbTaMoWAl掺杂DLC涂层的制备方法
    一种高熵NbTaMoWAl掺杂DLC涂层的制备方法_南京航空航天大学_202510961028.X
    本发明公开了一种高熵NbTaMoWAl掺杂DLC涂层的制备方法， 应用于海洋工程设备领域， 使用磁控溅射系统在马氏体不锈钢440C衬底上沉积高熵掺杂DLC涂层， 具体包括以下步骤：步骤S1：打磨并抛光马氏体不锈钢衬底；步骤S2：对衬底进行清...
    2026-02-09
  • 粒子加速器用的永磁铁移动镀膜装置及方法
    粒子加速器用的永磁铁移动镀膜装置及方法_中国科学技术大学_202510928710.9
    本发明公开一种粒子加速器用的永磁铁移动镀膜装置及方法， 镀膜装置包括待镀膜真空管、永磁铁组件、永磁铁升降机构、支撑平台和支撑侧壁， 待镀膜真空管设于支撑平台上， 支撑平台两侧向上延伸有支撑侧壁， 待镀膜真空管外周设有永磁铁组件， 永磁铁组件...
    2026-02-09
  • 一种具有高硬度与优异耐粒子冲蚀性能的氮化钛/氮化铝钛多层纳米复合陶瓷涂层及其磁控溅射技术
    一种具有高硬度与优异耐粒子冲蚀性能的氮化钛/氮化铝钛多层纳米复合陶瓷涂层及其磁控溅射技术_洛阳理工学院_202510804214.2
    本发明公开了一种高硬度与优异耐粒子冲蚀性能的氮化钛/但化铝钛多层纳米复合陶瓷涂层， 包括氮化物层和钛与氮化铝层, 第一钛层在基础材料的预氮化表面上制成， 第二层是钛与氮化钛的交互纳米层的形式， 以及第三层也是氮化钛与氮化铝的交互纳米层的形式...
    2026-02-09
  • 一种电子束蒸发镀制高抗光损伤折射率渐变膜的方法及装置
    一种电子束蒸发镀制高抗光损伤折射率渐变膜的方法及装置_北京雷生强式科技有限责任公司_202510987951.0
    本申请涉及一种电子束蒸发镀制高抗光损伤折射率渐变膜的方法及装置， 以下步骤：提供镀膜腔室， 镀膜腔室内设置有靶材装配盘， 提供至少两个靶材并无缝拼接设置于所述靶材装配盘中， 至少两个所述靶材的折射率不同， 使所述靶材装配盘在二维平面内的预设...
    2026-02-09
  • 一种叶片全流道涂层涂覆的鳐鱼摆动式装置及其工作方法
    一种叶片全流道涂层涂覆的鳐鱼摆动式装置及其工作方法_中国航发动力股份有限公司_202510930114.4
    本发明公开了一种叶片全流道涂层涂覆的鳐鱼摆动式装置及其工作方法， 属于发动机涡轮叶片制造技术领域， 装置能够装配待涂覆工件， 并装配于涂覆设备， 以便实现对待涂覆工件的涂覆；装置包括工装杆、T型转接套筒、工件装配部， 工件装配部能够装配待涂...
    2026-02-09
  • 电子束物理气相沉积具有屏蔽性能的金属蒸发稳定性控制方法
    电子束物理气相沉积具有屏蔽性能的金属蒸发稳定性控制方法_中国航发北京航空材料研究院_202510832293.8
    本发明属于航空发动机热障涂层技术领域， 涉及一种电子束物理气相沉积具有屏蔽性能的金属蒸发稳定性控制方法。本发明选择适用于EB‑PVD技术沉积要求的辅助离子源， 再将物理气相沉积和离子束轰击结合在一起， 在沉积的同时， 利用高能离子轰击沉积表...
    2026-02-09
  • 高温线型蒸发源、长线性蒸发源及共蒸镀蒸发源
    高温线型蒸发源、长线性蒸发源及共蒸镀蒸发源_季华实验室_202511276894.1
    本发明涉及蒸镀设备技术领域， 特别涉及一种高温线型蒸发源、长线性蒸发源及共蒸镀蒸发源。所述高温线型蒸发源包括壳体以及设于所述壳体顶部的喷嘴， 所述壳体内设置有蒸发腔， 所述喷嘴与蒸发腔连通；所述蒸发腔的内部设置有至少一条第一拓扑管， 所述第...
    2026-02-09
  • RPD镀膜用氧化物半导体靶材及其制备方法和薄膜晶体管
    RPD镀膜用氧化物半导体靶材及其制备方法和薄膜晶体管_深圳众诚达应用材料股份有限公司_202511334839.3
    本申请涉及靶材技术领域， 提供一种RPD镀膜用氧化物半导体靶材及其制备方法和薄膜晶体管。靶材包括靶芯和围合在靶芯四周的靶套， 靶芯由质量比为(60~90) : (10~40)的金属氧化物粗粉和金属氧化物细粉制成， 靶套由金属氧化物细粉制成。...
    2026-02-09
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