Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种高表面能多功能性三价铬钝化剂及其制备方法和应用
    一种高表面能多功能性三价铬钝化剂及其制备方法和应用_沈阳帕卡濑精有限总公司_202511312750.7
    本发明涉及一种高表面能多功能性三价铬钝化剂及其制备方法和应用。本发明提供的三价铬钝化剂由三价铬化合物、无机酸、硅烷偶联剂、成膜助剂、树脂、表面能助剂和水制成。本发明所提供的三价铬钝化剂通过添加表面能助剂， 引入亲水基团， 不仅提高了钝化膜的...
    2026-02-09
  • 一种锡面保护剂及其制备方法
    一种锡面保护剂及其制备方法_南通得安电子材料有限公司_202511272059.0
    本发明涉及锡面保护剂的制备技术领域， 具体为一种锡面保护剂及其制备方法， 其制备方法包括以下步骤：S1.按质量份计， 将2‑4份的改性活性剂加入85‑100份去离子水中， 在45‑50℃水浴条件下搅拌15‑20min；S2.将5‑7份改性分...
    2026-02-09
  • 一种变速箱骨架磷化的方法
    一种变速箱骨架磷化的方法_宁波景升明诚汽车科技股份有限公司_202511233416.2
    本发明涉及一种变速箱骨架磷化的方法， 涉及化学转化膜处理的领域， 其包括响应于磷化信号， 接收单次磷化数量和待磷化金属类型；于执行磷化操作时实时采集当前拉力；基于单次磷化数量和所述待磷化金属类型确定水中预计拉力， 水中预计拉力为当单次磷化数...
    2026-02-09
  • 一种印制电路板用化学铜及其制备方法
    一种印制电路板用化学铜及其制备方法_珠海市天翌电子科技有限公司_202511205528.7
    本发明公开了一种印制电路板用化学铜及其制备方法。该印制电路板用化学铜包括(1)调整、(2)溶胀、(3)除胶、(4)中和、(5)除油、(6)微蚀、(7)预浸、(8)活化和(9)沉铜。本发明的活化液主要由铜催化， 还添加了氯化镍和石墨烯量子点进...
    2026-02-09
  • 一种连续式非金属化学镀装置
    一种连续式非金属化学镀装置_东台瀚森智能科技有限公司_202511047049.7
    本发明属于化学镀技术领域， 公开了一种连续式非金属化学镀装置， 包括支撑架及上端固定的支撑平台， 支撑平台内嵌有化学镀槽， 所述支撑架底部设置有电动推杆， 电动推杆上端与化学镀槽底部固定， 所述化学镀槽内部设置密封隔板， 所述化学镀槽上端设...
    2026-02-09
  • 一种多腔室沉积系统
    一种多腔室沉积系统_中材人工晶体研究院(山东)有限公司_202510826178.X
    本发明实施例提供了一种多腔室沉积系统， 涉及化学气相沉积技术领域， 所述系统包括：准备室、沉积室、卸料室、传送设备、真空设备和控制设备， 准备室与沉积室以及沉积室与卸料室之间的连通性分别由第一、二隔离门控制；控制设备在基板被放置在准备室后控...
    2026-02-09
  • 基于MPCVD工艺的掺杂氧化镓薄膜及其制备方法
    基于MPCVD工艺的掺杂氧化镓薄膜及其制备方法_武汉大学_202510816149.5
    本申请提供了一种基于MPCVD工艺的掺杂氧化镓薄膜及其制备方法， 属于半导体领域。基于MPCVD工艺的掺杂氧化镓薄膜的制备方法包括：采用MPCVD工艺， 往生长腔内通入镓源、氧源、掺杂源及生长气体， 外延得到掺杂氧化镓薄膜。通过采用MPCV...
    2026-02-09
  • 一种基于PECVD生长WS2薄膜的方法
    一种基于PECVD生长WS2薄膜的方法_无锡尚积半导体科技股份有限公司_202511302864.3
    本发明提出了基于PECVD生长WS2薄膜的方法， 属于薄膜生长技术领域。本发明通过使用离化的硫源和混合保护气Ar， 以及多孔WO3或WF6作为前驱体， 实现WS2薄膜的高效生长。本发明方法步骤包括：前驱体准备；气体引入：等离子体激发；薄膜生...
    2026-02-09
  • 一种多工位薄膜沉积工艺均匀性的提升方法及系统
    一种多工位薄膜沉积工艺均匀性的提升方法及系统_安徽邦皓半导体科技有限公司_202510701119.X
    本发明公开了一种多工位薄膜沉积工艺均匀性的提升方法及系统， 涉及半导体芯片制造技术领域；其方法包括包括：根据各工位的沉膜厚度差异性， 获取每个调节支路的Ki值；将每个调节支路的Ki值添加至PECVD设备RECIPE参数中；获取陶瓷电容阵列的...
    2026-02-09
  • 加热器及其制备方法、半导体工艺设备
    加热器及其制备方法、半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202510914388.4
    本公开提供一种加热器及其制备方法、半导体工艺设备， 属于半导体技术领域， 其可解决现有的加热器杂质阻隔性差、结构稳定性差以及维护成本高的问题。本公开的加热器包括：主体部， 具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；一个以上的支撑部， 设...
    2026-02-09
  • 一种石墨过渡件
    一种石墨过渡件_深圳市重投天科半导体有限公司_202511243728.1
    本发明提供了一种石墨过渡件。通过进气过渡件衔接石英方管， 并在进气过渡件设置用于使石英方管分流后的气源进行二次分流和使进入生长腔室气源的流速均匀的气流匀速梯， 以及通过出气过渡件衔接生长腔室。
    2026-02-09
  • 分气装置及半导体薄膜沉积设备
    分气装置及半导体薄膜沉积设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511158478.1
    本发明公开了一种分气装置及半导体薄膜沉积设备， 该分气装置包括：分气块、进气挡板、连接件和多个导气板， 分气块沿其轴向开设有贯穿其自身的进气通道， 连接件和多个导气板均设于进气通道中， 连接件沿进气通道的轴向设置， 多个导气板围绕连接件的圆...
    2026-02-09
  • 一种用于CVD的供气系统及控制方法
    一种用于CVD的供气系统及控制方法_湖南联合半导体科技有限公司_202511293199.6
    本发明公开了一种用于CVD的供气系统及控制方法， 供气系统包括储料罐和鼓泡罐， 储料罐和鼓泡罐通过进液管道连通， 鼓泡罐还设置有载气管道和出气管道， 载气管道的出口位于鼓泡罐的液面之下， 出气管道的入口位于鼓泡罐的液面之上；还包括有补料罐，...
    2026-02-09
  • 化学气相沉积保护涂层的金属源供给方法
    化学气相沉积保护涂层的金属源供给方法_山东中晶芯源半导体科技有限公司_202511191854.7
    本申请提供一种化学气相沉积保护涂层的金属源供给方法， 通过将金属颗粒分层放置于沉积反应室中的反应器内；向所述反应器内通入含卤素气体及惰性驱动气体， 以通过含卤素气体与金属颗粒直接反应生成金属卤化物气体；控制所述反应器内温度在金属卤化物气化温...
    2026-02-09
  • 一种便于冷却的化学气相沉积设备
    一种便于冷却的化学气相沉积设备_峰郅科技(上海)有限公司_202511310348.5
    本发明公开了一种便于冷却的化学气相沉积设备， 本发明涉及化学气相沉积设备技术领域。材料的温度较高时无法进行快速冷却， 导致材料的温度较高， 导致表面的致密膜层沉积效果降低， 通过搅轮与导孔环配合， 使弧形搅叶与导水环的通孔在导入冷却液体的过...
    2026-02-09
  • 一种抽气环及薄膜沉积设备
    一种抽气环及薄膜沉积设备_拓荆科技股份有限公司_202511250533.X
    本发明提供了一种抽气环及薄膜沉积设备。所述抽气环设于工艺腔室的侧壁， 其外侧环绕有抽气通道， 其中， 所述抽气环上分布有多个抽气孔， 所述抽气通道的至少一处设有连通抽气泵的抽气口， 用于经由所述多个抽气孔从所述工艺腔室内部抽气。至少一个所述...
    2026-02-09
  • 一种抽气环及薄膜沉积设备
    一种抽气环及薄膜沉积设备_拓荆科技股份有限公司_202511250530.6
    本发明提供了一种抽气环及薄膜沉积设备。抽气环设于工艺腔室的侧壁， 其外侧环绕有抽气通道。抽气环上分布有多个抽气孔， 抽气通道的至少一处设有连通抽气泵的抽气口， 用于经由多个抽气孔从工艺腔室内部抽气。位于抽气环第一位置的第一抽气孔到其最近抽气...
    2026-02-09
  • 进气挡板结构， 半导体工艺的处理方法和设备
    进气挡板结构， 半导体工艺的处理方法和设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511037420.1
    本发明公开了一种进气挡板结构、半导体工艺的处理方法和设备。该进气挡板结构包括：挡板本体， 位于反应腔的进气区域；以及驱动器， 由记忆合金制成， 所述驱动器连接所述挡板本体， 用于根据所述反应腔内的进气模式的温度反馈， 主动伸缩调节所述挡板本...
    2026-02-09
  • 一种沉积腔室的清洁方法和清洁系统
    一种沉积腔室的清洁方法和清洁系统_拓荆科技(上海)有限公司_202510979335.0
    本发明公开了一种沉积腔室的清洁方法和清洁系统。该清洁方法包括以下步骤：从腔室顶部通入解离的NF3， 以至少对腔室中的上半区域的钨残留物进行一次清洁；停止通入解离的NF3， 从腔室顶部通入解离的O2， 以至少对上半区域的碳残留物进行一次清洁；...
    2026-02-09
  • 一种用于氧化物外延的石墨盘表面涂层保护方法
    一种用于氧化物外延的石墨盘表面涂层保护方法_福建晶旭半导体科技有限公司_202511072544.3
    本申请公开了一种用于氧化物外延的石墨盘表面涂层保护方法， 涉及半导体技术领域， 包括如下步骤：步骤1、将石墨盘置于高温烘烤， 获得高温处理石墨盘；步骤2、将高温处理石墨盘置入外延反应腔中待用；步骤3、在高温处理石墨盘的表面施加抗高温氧化反应...
    2026-02-09
首页 上一页 5 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证