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最新专利技术
  • 散热器、散热结构及芯片模组
    散热器、散热结构及芯片模组_深圳光感半导体有限公司_202511088857.8
    本申请提供一种散热器、散热结构及芯片模组。散热器包括单向震动组件和导热件， 导热件的一侧用于和发热件连接， 单向震动组件连接于导热件背离发热件的一侧， 其中， 单向震动组件和导热件之间具有腔体， 腔体用于容纳冷却介质；单向震动组件用于带动腔...
    2025-11-26
  • 半导体结构及封装结构
    半导体结构及封装结构_长鑫科技集团股份有限公司_202510968856.6
    本公开提供了一种半导体结构及封装结构， 涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：基板；芯片组， 包括多个芯片， 多个所述芯片堆叠于所述基板上；封装层， 位于所述基板上， 且覆盖所述芯片组；散热件， 所述散热件设置于相邻两个所述芯片之间， 所述...
    2025-11-26
  • 一种基于HTCC工艺的小型通用化收发模块及方法
    一种基于HTCC工艺的小型通用化收发模块及方法_电子科技大学长三角研究院(湖州)_202510940262.4
    本发明属于收发组件技术领域， 公开了一种基于HTCC工艺的小型通用化收发模块， 该装置包括：盖板1、芯片腔体层2、芯片粘接层3、HTCC基板4和PCB基板5；所述HTCC基板4、芯片粘接层3、芯片腔体层2为一个整体， 通过HTCC基板4的焊...
    2025-11-26
  • 多材质异构集成射频微模组及高功率多通道TR组件
    多材质异构集成射频微模组及高功率多通道TR组件_中国电子科技集团公司第十三研究所_202510661871.6
    本发明提供一种多材质异构集成射频微模组及高功率多通道TR组件， 涉及半导体技术领域。该多材质异构集成射频微模组， 包括：SiC介质基板、混合三维堆叠结构及芯片；混合三维堆叠结构由至少两层半导体介质基板堆叠形成；混合三维堆叠结构的下表面与Si...
    2025-11-26
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510470670.8
    一种半导体器件， 包括：衬底；具有第一表面和第二表面的裸片， 其中， 所述裸片嵌入所述衬底中；第一散热器， 其布置在所述衬底的第一表面处；以及第二散热器， 其布置在所述衬底的第二表面处， 其中， 所述衬底包括导热结构和热隔离结构， 所述导热...
    2025-11-26
  • 具有集成冷却单元的多堆叠存储器系统
    具有集成冷却单元的多堆叠存储器系统_美光科技公司_202510406739.0
    本申请涉及一种具有集成冷却单元的多堆叠存储器系统。一种多堆叠存储器系统可以包含第一存储器装置， 所述第一存储器装置包括第一逻辑裸片和第一存储器裸片堆叠。所述多堆叠存储器系统可以包含第二存储器装置， 所述第二存储器装置包括第二逻辑裸片和第二存...
    2025-11-26
  • 封装结构及电子设备
    封装结构及电子设备_华为技术有限公司_202410446746.9
    本申请涉及电子元件封装技术领域， 公开了一种封装结构， 包括基板、第一电子元件、第二电子元件、第三电子元件和第一导电体。其中， 基板包括沿第一方向相反设置的第一表面和第二表面。第一电子元件埋嵌于基板内。第二电子元件设于第一表面上。第三电子元...
    2025-11-26
  • 半导体器件及其制备方法、封装结构
    半导体器件及其制备方法、封装结构_武汉新芯集成电路股份有限公司_202510779497.X
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法、封装结构。该半导体器件包括：导电层；连接垫， 位于所述导电层上， 并与所述导电层电连接；保护层， 覆盖所述连接垫， 并露出所述连接垫的部分；其中， 所述连接垫通过所述保护层露出的部分作为接线部， 所述接...
    2025-11-26
  • 封装结构及电子设备
    封装结构及电子设备_华为技术有限公司_202410434287.2
    本申请涉及电子元件封装技术领域， 公开了一种封装结构， 包括基板、第一电子元件、第二电子元件、至少一个导电组件和导热件。其中， 基板包括沿第一方向相反设置的第一表面和第二表面。第一电子元件埋嵌于基板内。第二电子元件设于第一表面上。导电组件沿...
    2025-11-26
  • 三维存储器阵列中的存储器单元密封剂材料
    三维存储器阵列中的存储器单元密封剂材料_美光科技公司_202510452011.1
    本申请案涉及三维存储器阵列中的存储器单元密封剂材料。在形成存储器单元之后， 可形成密封剂材料。所述密封剂材料可包含所述存储器单元上的具有相对高介电常数的一些材料。所述密封剂材料可定位于所述存储器单元与支柱之间且可防止或减少所述存储器单元与所...
    2025-11-26
  • 一种量子芯片封装装置
    一种量子芯片封装装置_南通登煌机械制造科技有限公司_202511025663.3
    本发明提供一种量子芯片封装装置， 涉及芯片封装装置领域， 包括：基板， 所述基板上设有封装台， 且封装台上端面中部开设有阶梯状芯片槽， 所述阶梯状芯片槽内部放置有量子芯片；所述封装台上部安装电路板支撑框， 且安装电路板支撑框内部固定连接有电...
    2025-11-26
  • 含能CMOS晶体管结构及其制备方法
    含能CMOS晶体管结构及其制备方法_南京理工大学_202411197568.7
    本发明属于自毁芯片领域， 具体涉及一种应用于自毁芯片的含能CMOS晶体管及制备方法。包括依次设置的基底、栅极、由氧化层和金属层构成的含能层、绝缘层、半导体区和源漏电极， 含能层为铝热剂体系， 含能CMOS晶体管具备开关性、逻辑性和自毁性。本...
    2025-11-26
  • 晶圆级芯片封装结构及其制作方法
    晶圆级芯片封装结构及其制作方法_江苏凯嘉电子科技有限公司_202510972627.1
    本发明涉及芯片封装领域， 具体为晶圆级芯片封装结构及其制作方法， 包括晶圆， 晶圆上涂覆设有第一绝缘层， 第一绝缘层上溅射有金属种子层， 金属种子层上依次设有多层再分布层， 再分布层的上端设有第二绝缘层， 第二绝缘层上设有接线焊球， 通过在...
    2025-11-26
  • 封装件及其形成方法
    封装件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510454901.6
    形成封装件的方法包括：对晶圆的划线执行第一多个激光开槽工艺以形成第一组合沟槽， 以及对晶圆的划线执行第二多个激光开槽工艺以形成第二组合沟槽。对衬底的划线执行第一锯切工艺。第一锯切工艺在第一组合沟槽和第二组合沟槽之间的划线的分部中执行。执行第...
    2025-11-26
  • 制造半导体器件的方法
    制造半导体器件的方法_瑞萨电子株式会社_202510419457.4
    本公开的各实施例涉及制造半导体器件的方法。在半导体衬底SB的背表面研磨成使得半导体衬底中央部分的厚度小于半导体衬底周边部分的厚度之后， 在半导体衬底的背表面形成包括由银或铜制成的膜的金属膜。之后， 通过金属膜将划片带粘合到半导体衬底的背表面...
    2025-11-26
  • 一种金属互连方法、半导体器件制备方法以及半导体器件
    一种金属互连方法、半导体器件制备方法以及半导体器件_粤芯半导体技术股份有限公司_202511337612.4
    本申请实施例公开了一种金属互连方法、半导体器件制备方法以及半导体器件。本申请实施例提供的技术方案通过在光学功能层上蚀刻出第一预设图案， 在蚀刻出所述第一预设图案的所述光学功能层上依次沉积第一金属层和介质层， 在所述第一金属层和所述介质层上蚀...
    2025-11-26
  • 形成用于低介电常数材料层的缓冲层的方法及互连结构
    形成用于低介电常数材料层的缓冲层的方法及互连结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511328011.7
    本申请公开了一种形成用于低介电常数材料层的缓冲层的方法及互连结构， 所述方法包括：提供半导体前段器件结构， 所述半导体前段器件结构上具有刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上沉积一层介质薄层；在螺旋等离子体环境下利用乙醚清洗所述介质薄层；以及按照设...
    2025-11-26
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511326619.6
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法， 在具有台阶的基底上依次形成具有不同刻蚀选择比的第一介质层和第二介质层， 并于台阶高处和台阶低处分次曝光， 在分次曝光时， 利用第二介质层和第一介质层的刻蚀选择比差异， 分区域分次进行接触孔图形的转移，...
    2025-11-26
  • 高深宽比TSV结构的制造方法及TSV结构
    高深宽比TSV结构的制造方法及TSV结构_陛通半导体设备(苏州)有限公司_202511326015.1
    本发明提供了一种高深宽比TSV结构的制造方法及TSV结构， 在该制造方法中， TSV结构中扩散阻挡层的形成包括：在第一腔体压强下， 在绝缘层的表面沉积第一扩散阻挡层， 并对第一扩散阻挡层执行冷却工艺；在第二腔体压强下， 在第一扩散阻挡层的表...
    2025-11-26
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511318736.8
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法， 制造方法包括：提供基底， 基底上形成有自下而上层叠的介质层、硬掩膜层和阻挡层；刻蚀阻挡层、硬掩膜层和介质层， 以形成贯穿阻挡层、硬掩膜层和介质层的通孔；修整硬掩膜层， 使位于硬掩膜层的通孔的横向尺寸扩...
    2025-11-26
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