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最新专利技术
  • 一种高功率车载芯片模块化液冷散热系统及散热方法
    一种高功率车载芯片模块化液冷散热系统及散热方法_江苏文轩热管理系统有限公司_202510960935.2
    本发明涉及车载域控制器散热技术领域， 尤其涉及一种高功率车载芯片模块化液冷散热系统及散热方法， 包括芯片， 所述芯片上方设置有消散其热量的散热机构。本发明通过设置散热机构， 采用模块化设计， 将高功率单芯片独立为散热模块， 从而避免了多芯片...
    2025-12-06
  • 一种用于储能高压箱的防逆流二极管
    一种用于储能高压箱的防逆流二极管_浙江柳晶整流器有限公司_202510997742.4
    本申请涉及二极管的技术领域， 公开了一种用于储能高压箱的防逆流二极管， 其包括导热底座以及设置于底座上方的壳体， 所述壳体上开设有散热孔， 所述导热底座的下方设置有冷却板， 所述冷却板内开设有呈蛇形的第一流道， 所述第一流道沿长度方向的一端...
    2025-12-06
  • 基于负泊松比和负热膨胀系数的多材料微流道螺旋散热器
    基于负泊松比和负热膨胀系数的多材料微流道螺旋散热器_湘潭大学_202511066628.6
    本发明涉及一种基于负泊松比和负热膨胀系数的多材料微流道螺旋散热器， 其特征在于由基板、相变材料填充层螺旋微流道、等离子水螺旋微流道、纳米粒子、等离子水注水处、等离子水出水处、盖板和外涂层组成。采用负泊松比和负热膨胀系数集成的多材料超材料微结...
    2025-12-06
  • 一种电力电子器件浸没式相变换热结构
    一种电力电子器件浸没式相变换热结构_清华大学深圳国际研究生院_202511336086.X
    一种电力电子器件浸没式相变换热结构， 包括：散热基板， 用于与电力电子器件热源接触；散热结构主体， 竖直浸没于相变工质中， 包括板状结构及间隔分布于其上的鳍状结构， 所述鳍状结构沿高度方向逐渐倾斜偏离所述板状结构， 所述鳍状结构的尾部设有内...
    2025-12-06
  • 一种封装结构及电子设备
    一种封装结构及电子设备_华为技术有限公司_202410524362.4
    本申请公开了一种封装结构及电子设备， 封装结构包括：基板、芯片和导热盖板；芯片设置于基板上；导热盖板包括支撑部、导热部和环形连接部， 其中， 支撑部围绕芯片， 且与基板固定连接， 导热部位于芯片背离基板的一侧， 且导热部与支撑部相互固定形成...
    2025-12-06
  • 一种芯片散热方法、芯片、电子设备及存储介质
    一种芯片散热方法、芯片、电子设备及存储介质_成都海光微电子技术有限公司_202510808225.8
    本申请的实施例公开了一种芯片散热方法、芯片、电子设备及存储介质， 涉及半导体技术领域， 能够有效提高对芯片散热的调控效果。所述方法包括：根据芯片的待散热区域， 在预设位置设置流体通道， 以利用所述流体通道对所述待散热区域进行散热；设置调控开...
    2025-12-06
  • 基于鳍片式散热框架的TO封装结构及其制备方法
    基于鳍片式散热框架的TO封装结构及其制备方法_苏州泓冠半导体有限公司_202511055188.4
    本发明涉及电子封装技术领域， 公开了基于鳍片式散热框架的TO封装结构及其制备方法， 包括：封装主体， 其内部为封装芯片的主要容纳空间， 所述封装主体底端安装有引脚， 且引脚用于实现封装结构与外部电路的电气连接。该基于鳍片式散热框架的TO封装...
    2025-12-06
  • 半导体器件的金属层、叠层结构及半导体器件
    半导体器件的金属层、叠层结构及半导体器件_苏州苏纳光电有限公司_202511004104.4
    本发明公开了一种半导体器件的金属层、叠层结构及半导体器件。半导体器件的金属层具有相对设置的第一边缘和第二边缘， 所述第一边缘上形成有背离所述第二边缘方向设置的第一凸部；所述第二边缘上形成有背离所述第一边缘方向设置的第二凸部。本发明的半导体器...
    2025-12-06
  • 一种具备热插拔功能的芯片冷却模块的连接结构
    一种具备热插拔功能的芯片冷却模块的连接结构_兰州理工大学_202510945789.6
    本发明公开了一种具备热插拔功能的芯片冷却模块的连接结构， 涉及电子散热技术领域， 该结构由芯片冷却组件、主系统冷却槽道及弹簧组成， 采用模块化设计实现芯片冷却模块独立插拔；冷却组件通过液冷槽与主系统流道对接， 内置弹簧驱动冷却触点块压紧芯片...
    2025-12-06
  • 具有散热复合浅沟隔离区的半导体电路结构及其制作方法
    具有散热复合浅沟隔离区的半导体电路结构及其制作方法_日日新半导体架构股份有限公司_202510537787.3
    本发明提供一种具有散热复合浅沟隔离区的半导体电路结构及其制作方法。其中， 半导体电路结构， 包括半导体基材、位于半导体基材内部的第一组有源区以及围绕第一组有源区的第一浅沟渠隔离区。其中， 第一浅沟渠隔离区包括设置在位于第一组有源区之间的间隙...
    2025-12-06
  • 散热器装置
    散热器装置_恩智浦有限公司_202510530476.4
    一个例子公开了一种散热器装置， 包括：引线框架， 所述引线框架具有管芯焊盘、第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘；其中所述引线框架还包括一组散热器， 所述一组散热器包括：第一散热器， 所述第一散热器位于所述引线框架的所述第一边缘和所述第四...
    2025-12-06
  • 管芯堆叠对准结构、管芯堆叠结构及其制备方法
    管芯堆叠对准结构、管芯堆叠结构及其制备方法_湖北星辰技术有限公司_202511013949.X
    本申请涉及半导体制造技术领域， 具体涉及一种管芯堆叠对准结构、管芯堆叠结构及其制备方法， 管芯堆叠对准结构包括第一子标记以及第二子标记；所述第二子标记有多个且设于底层基板表面的不同位置；所述第一子标记有多个且分别对应设于多个需要堆叠设置的管...
    2025-12-06
  • 一种芯片扇出封装器件及其制备方法
    一种芯片扇出封装器件及其制备方法_深圳修远电子科技有限公司_202511011629.0
    本申请提供一种芯片扇出封装器件及其制备方法， 涉及半导体技术领域， 利用金属散热基板、贴合材料和芯片构建更短、散热效率更高的热传导路径， 由于该热传导路径的加入， 使得芯片所累积的热量能够经由所构建的热传导路径， 快速向外界传递， 以维持芯...
    2025-12-06
  • 背封结构、半导体结构及背封结构的制备方法
    背封结构、半导体结构及背封结构的制备方法_上海芯导电子科技股份有限公司_202511000713.2
    本发明提供了一种背封结构、半导体结构及背封结构的制备方法， 该背封结构中设置有掺杂抑制层， 即在衬底的侧面和底面设置掺杂抑制层， 并且， 该掺杂抑制层用于抑制衬底中的掺杂离子从衬底的底面和侧面析出， 使得在衬底的正面生长外延层时能够精确控制...
    2025-12-06
  • 一种基于金丝键合的超宽带毫米波过渡结构
    一种基于金丝键合的超宽带毫米波过渡结构_清华大学_202510895771.X
    本发明提供一种基于金丝键合的超宽带毫米波过渡结构， 涉及毫米波芯片封装技术领域， 所述过渡结构包括：基板、矩形腔体、芯片、并联金丝连接结构、阶梯型接地共面波导GCPW匹配结构以及多个盲孔；所述基板， 包括：顶层介质层、中间金属层以及底层金属...
    2025-12-06
  • 电子装置及制造电子装置的方法
    电子装置及制造电子装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510864979.5
    电子装置及制造电子装置的方法。在一个实例中， 一种电子装置包含：电子组件， 所述电子组件包括传感器和电互连件；衬底， 所述衬底包括导电材料和半透明模制化合物， 其中所述导电材料耦合到所述半透明模制化合物， 并且其中所述电子组件的所述电互连件...
    2025-12-06
  • 电子装置及制造电子装置的方法
    电子装置及制造电子装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510511609.3
    电子装置及制造电子装置的方法。在一个实例中， 一种电子装置可包含有源区、位于所述有源区上方的掩埋氧化物层以及安置于所述掩埋氧化物层的第一端和所述掩埋氧化物层的与所述第一端相对的第二端上方的加强件。所述加强件的内侧壁可在所述掩埋氧化物层上方界...
    2025-12-06
  • 半导体装置及制造半导体装置的方法
    半导体装置及制造半导体装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510511540.4
    半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个范例中， 一种电子装置可包含包括通道区的有源区。第一隔离区可安置在所述通道区的横向侧处。源极区可位于所述通道区的覆盖面积中且安置在所述通道区与所述第一隔离区之间。装置钝化层可覆盖所述通道区的与所述源极...
    2025-12-06
  • 底部填充膜、包括底部填充膜的半导体封装及其制造方法
    底部填充膜、包括底部填充膜的半导体封装及其制造方法_三星电子株式会社_202411616605.3
    底部填充膜可以包括：第一膜层， 具有第一介电常数；以及第二膜层， 在第一膜层上并具有第二介电常数， 其中， 第二介电常数高于第一介电常数。
    2025-12-06
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410502721.6
    一种封装结构及其形成方法， 其中方法包括：中介层， 所述中介层包括中心区和包围所述中心区的边缘区， 所述中介层包括相对的第一面和第二面， 所述第二面具有若干中介层凸点；封装至所述中心区的所述第一面的至少一个第一芯片和至少一个第二芯片；框架结...
    2025-12-06
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