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最新专利技术
  • 一种通过氧气流量调控择优生长ε相氧化镓外延薄膜的方法
    一种通过氧气流量调控择优生长ε相氧化镓外延薄膜的方法_南京邮电大学_202511070577.4
    本发明属于半导体材料领域，公开了一种通过氧气流量调控择优生长ε相氧化镓外延薄膜的方法。制备方法包括：将蓝宝石衬底清洗后放入金属有机物化学气相沉积系统的腔室中；设置反应腔内气压，通入载气，升温至第一预设温度，通入第一预设高流量氧气，进入衬底高...
    2025-12-28
  • 一种晶圆级晶向可控碲薄膜的制备方法和碲薄膜
    一种晶圆级晶向可控碲薄膜的制备方法和碲薄膜_中国科学院上海技术物理研究所_202511029700.8
    本发明提供一种晶圆级晶向可控碲薄膜的制备方法和碲薄膜，涉及半导体技术领域。该制备方法包括以下步骤：S1、提供一洁净单晶衬底；S2、将所述衬底传入分子束外延预处理室进行除气处理；S3、将经过除气处理后的衬底传入分子束外延生长室进行脱氧处理；S...
    2025-12-28
  • 碳化硅晶体生长容器和具有其的碳化硅晶体生长设备
    碳化硅晶体生长容器和具有其的碳化硅晶体生长设备_江苏集芯先进材料有限公司_202511043735.7
    本发明公开了一种碳化硅晶体生长容器和具有其的碳化硅晶体生长设备，碳化硅晶体生长容器包括：容器主体；容器盖，容器盖设在容器主体上；固定环，固定环安装在容器盖上，固定环上设有台阶槽；长晶石墨纸，长晶石墨纸夹持在固定环和容器盖之间；第一石墨纸环，...
    2025-12-28
  • 泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体的方法及装置
    泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体的方法及装置_天通银厦新材料有限公司_202510823954.0
    本发明公开了一种泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体的方法及装置，炉体内设底保温板、顶保温板、主保温筒及侧保温筒，主保温筒通过由石墨碳毡制成的筒状结构拼接而成，该装置的热场结构能够满足达到晶体生长所需的较小温度梯度和“微凸”固液界面，得到较高质量的晶...
    2025-12-28
  • 高阻高氧高BMD单晶硅及其掺杂剂浓度补偿方法与制备方法
    高阻高氧高BMD单晶硅及其掺杂剂浓度补偿方法与制备方法_上海新昇半导体科技有限公司_202511405495.0
    本发明提供了一种高阻高氧高BMD单晶硅掺杂剂浓度补偿方法、高阻高氧高BMD单晶硅及其制备方法与系统，该补偿方法包括：根据高阻高氧高BMD单晶硅的目标电阻率计算P型掺杂剂的理论掺杂浓度；根据高阻高氧高BMD单晶硅中的氮元素的初始掺杂浓度以及高...
    2025-12-28
  • 低电阻率12寸重掺砷硅单晶拉制方法及产品
    低电阻率12寸重掺砷硅单晶拉制方法及产品_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511067360.8
    本发明属于半导体材料加工技术领域，具体涉及一种低电阻率12寸重掺砷硅单晶拉制方法及其产品，方法包括等径过程中，通过增加炉压并改变拉速，其中，增加炉压包括通过控制惰性气体的阀门开度将炉压由转肩完成时的12Kpa逐步抬升至30Kpa，并保持稳定...
    2025-12-28
  • 热屏蔽部件、单晶提拉装置及单晶硅锭的制造方法
    热屏蔽部件、单晶提拉装置及单晶硅锭的制造方法_胜高股份有限公司_202511088640.7
    本发明提出一种能够扩大可获得无缺陷的单晶硅的晶体的提拉速度的界限的热屏蔽部件、单晶提拉装置及使用该单晶提拉装置的单晶硅锭的制造方法。本发明的热屏蔽部件(1)设置在从被配置于石英坩埚的周围的加热器加热并贮存在石英坩埚的硅熔液提拉单晶硅锭(I)...
    2025-12-28
  • 单晶炉真空度抽吸装置
    单晶炉真空度抽吸装置_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511070148.7
    本发明提供的单晶炉真空度抽吸装置，属于单晶炉抽真空技术领域，包括真空泵、防堵塞组件、过滤除尘组件，真空泵通过管道与防堵塞组件连接，防堵塞组件通过管道与过滤除尘组件连接，使用本申请提供的抽吸装置对单晶炉内的废气进行抽吸时，首先真空泵抽取单晶炉...
    2025-12-28
  • 液氩输送管道的冷量回收装置、控制方法及氩气供给系统
    液氩输送管道的冷量回收装置、控制方法及氩气供给系统_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511069101.9
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种液氩输送管道的冷量回收装置、控制方法及氩气供给系统；所述液氩输送管道穿设于套管式换热组件的通道内，管道外壁与通道内壁间形成的环形间隙作为空气传热介质，使液氩冷量依次经环形间隙空气、套管式换热组件内壁...
    2025-12-28
  • 一种单晶炉加热系统及调控方法
    一种单晶炉加热系统及调控方法_云南嘉泰来新材料有限公司_202511050412.0
    本发明涉及单晶炉加热技术领域，具体涉及一种单晶炉加热系统及调控方法，包括主加热器、辅加热器和分控模型，主加热器套设于坩埚外围且与炉体底壁固定连接，辅加热器与炉体底壁固定连接且位于主加热器底部，辅加热器与主加热器同轴布设，主加热器和辅加热器通...
    2025-12-28
  • 一种掺杂金属离子的氟化钙晶体及其制备方法和在光学元件中的应用
    一种掺杂金属离子的氟化钙晶体及其制备方法和在光学元件中的应用_河南微米光学科技有限公司_202511069558.X
    本申请属于晶体技术领域，尤其涉及一种掺杂金属离子的氟化钙晶体及其制备方法和在光学元件中的应用。该晶体为掺杂镁离子和钡离子的氟化钙晶体，在该晶体的制备方法中，先将用于掺杂的镁离子和钡离子进行预处理，用氟化钙前驱体进行包覆，采用传统坩埚下降法结...
    2025-12-28
  • 一种用于单晶高温合金铸件的定向凝固设备及其制备方法
    一种用于单晶高温合金铸件的定向凝固设备及其制备方法_中国科学院金属研究所_202510943874.9
    本发明提供一种用于单晶高温合金铸件的定向凝固设备，涉及单晶高温合金技术领域，包括炉体；炉体内设有熔炼室、冷却室、冷却结构和隔热装置；熔炼室和冷却室相互热隔离，且熔炼室位于冷却室的顶部；熔炼室用于对型壳进行加热；冷却室用于使型壳内的合金液凝固...
    2025-12-28
  • Rb2CuBr3单晶及晶片的制备方法与应用
    Rb2CuBr3单晶及晶片的制备方法与应用_重庆大学_202511066392.6
    本发明属于无机晶体材料领域，具体涉及Rb2CuBr3单晶及晶片的制备方法与应用。Rb2CuBr3单晶的制备方法通过优化原料配比、溶剂用量，采用同成分籽晶诱导的降温法生长，使离子沿籽晶结构无缝外延生长，避免多晶或缺陷产生，溶质更易在籽晶表面定...
    2025-12-28
  • 一种大尺寸钛合金锻件等温锻造与单晶再生协同制备方法
    一种大尺寸钛合金锻件等温锻造与单晶再生协同制备方法_西安科技大学_202511301421.2
    本申请涉及钛合金晶体制备技术领域，具体涉及一种大尺寸钛合金锻件等温锻造与单晶再生协同制备方法，该方法包括：加热锻料铸锭，保温后出炉进行镦粗、拔长，锻后空冷，再次加热至β相变点以上，继续镦粗、拔长，锻后空冷，得到坯料；将坯料加热至β相变点以下...
    2025-12-28
  • 一种单晶型镍锰酸锂的制备方法
    一种单晶型镍锰酸锂的制备方法_苏州博萃循环科技有限公司_202511042513.3
    本发明提供了一种单晶型镍锰酸锂的制备方法，所述制备方法包括将硝酸锂、硝酸镍和硝酸锰按照化学计量比进行混合，分散在水溶液中，得到第一混合溶液；向得到的第一混合溶液中加入二氧化铈和添加剂，得到前驱体溶液；将前驱体溶液依次进行喷雾热解处理和煅烧处...
    2025-12-28
  • 一种延长单晶镍基合金器件使用寿命的方法、系统、设备及介质
    一种延长单晶镍基合金器件使用寿命的方法、系统、设备及介质_中国人民解放军空军工程大学_202511041897.7
    本发明提供一种延长单晶镍基合金器件使用寿命的方法、系统、设备及介质。该方法，包括：对待处理器件进行电化学抛光处理；对待处理器件进行表征，得到第一几何必需位错密度分布；根据第一几何必需位错密度分布，确定预热处理工艺参数；按照预热处理工艺参数对...
    2025-12-28
  • 一种螺栓电镀锌工艺的分段式电流自适应控制方法与系统
    一种螺栓电镀锌工艺的分段式电流自适应控制方法与系统_苏州剑派实业有限公司_202511161773.2
    本发明公开了一种螺栓电镀锌工艺的分段式电流自适应控制方法与系统，应用于螺栓电镀锌生产线，旨在通过分段式电流自适应控制优化镀锌层质量。该方法包括：获取螺栓电镀锌工艺中的工艺参数序列，包含各分段电镀槽的电流强度特征和分段电镀时间特征；根据电流强...
    2025-12-28
  • 带有斜板梳结构的可调节挂篮装置
    带有斜板梳结构的可调节挂篮装置_广东成功自动化设备有限公司_202510768612.3
    本发明提供了带有斜板梳结构的可调节挂篮装置，包括竖杆；所述竖杆的顶端固定安装有安装座；还包括；伸缩架，所述伸缩架的中部与竖杆的底端固定连接；斜板梳机构，所述斜板梳机构的数目为两个，且两个斜板梳机构对称设置在伸缩架的底部两侧；角度调节机构，所...
    2025-12-28
  • 一种耐腐蚀六角螺母生产用电镀装置及其电镀方法
    一种耐腐蚀六角螺母生产用电镀装置及其电镀方法_浙江安盛汽车零部件有限公司_202511424683.8
    本发明公开了一种耐腐蚀六角螺母生产用电镀装置及其电镀方法，涉及电镀装置技术领域，包括放置架、电镀池与设置在电镀池上方的龙门吊，所述放置架的顶部活动插接有调节架，所述调节架的活动端固定设置有底壳。本发明通过调节架推动底壳与落料盘移动，此时通过...
    2025-12-28
  • 一种VCP镀铜设备及镀铜方法
    一种VCP镀铜设备及镀铜方法_广东硕成科技股份有限公司_202511217144.7
    本发明涉及电镀铜技术领域，具体的，涉及一种VCP镀铜设备及镀铜方法。包括依次连接的镀铜前处理槽(1)、电镀槽(2)及镀铜后处理槽(3)；所述电镀槽(2)内连接有直流整流机(4)和脉冲整流机(6)。本发明在电镀槽内连接有直流整流机和脉冲整流机...
    2025-12-28
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