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最新专利技术
  • 一种反应烧结氮化硅瓷片制备方法
    一种反应烧结氮化硅瓷片制备方法_江苏富乐华功率半导体研究院有限公司_202511181322.5
    本发明涉及氮化硅瓷片技术领域，具体为一种反应烧结氮化硅瓷片制备方法，包括以下步骤：S1制备纳米分散液；S2将六方多孔氮化硼加入纳米分散液中进行混合；S3将烧结助剂、硅粉和六方多孔氮化硼纳米混合液放入到球磨机中进行制浆，得到浆料；S4将浆料经...
    2025-12-29
  • 一种高透明AlON陶瓷的低温无压烧结制备方法
    一种高透明AlON陶瓷的低温无压烧结制备方法_四川大学_202511095718.8
    本发明提供了一种高透明AlON陶瓷的低温无压烧结制备方法，属于透明陶瓷的制备技术领域。本发明提供的高透明AlON陶瓷的低温无压烧结制备方法包括以下步骤：S1、将氧化钡加入到乙醇和AlON粉体中，以球磨介质进行球磨，经过筛、煅烧，得到AlON...
    2025-12-29
  • 一种Si-O-M基固态电解质及其制备方法和电池应用
    一种Si-O-M基固态电解质及其制备方法和电池应用_安徽工程大学_202511090780.8
    本申请提出了一种Si‑O‑M基固态电解质及其制备方法和电池应用。首先，将合成Si‑O‑M基固态电解质的原料制成固态电解质胚体然后特定氛围下进行相转化；最后高温焙烧和离子交换处理，制备得到所述Si‑O‑M基固态电解质。该固态电解质固相之间形成...
    2025-12-29
  • 一种3D打印用碳化硅陶瓷浆料及其制备的陶瓷晶舟
    一种3D打印用碳化硅陶瓷浆料及其制备的陶瓷晶舟_山东华美新材料科技股份有限公司_202510916613.8
    本发明公开了一种3D打印用碳化硅陶瓷浆料及其制备的陶瓷晶舟，属于3D打印技术领域，所述碳化硅陶瓷浆料的制备方法包括：制备氧化处理后的碳化硅粉，复合处理，制备光敏树脂预混液，混合处理；所述制备氧化处理后的碳化硅粉，包括：微氧化处理，吸附处理，...
    2025-12-29
  • 复合碳化硅材料及其制备方法
    复合碳化硅材料及其制备方法_湖南德智新材料股份有限公司_202511453919.0
    本发明提供一种复合碳化硅材料及其制备方法。本发明的复合碳化硅材料包括N层功能层和N‑1层界面层，第N‑1界面层位于第N功能层和第N‑1功能层之间，其中N为3‑5的正整数，功能层包括碳化硅材料和功能烧结助剂，第N功能层中碳化硅材料的粒径Dv9...
    2025-12-29
  • 光固化3D打印TPMS结构碳化硅陶瓷及其制备方法
    光固化3D打印TPMS结构碳化硅陶瓷及其制备方法_湖南天雅科技有限公司_202511085287.7
    本发明属于碳化硅3D打印技术领域，具体涉及光固化3D打印TPMS结构碳化硅陶瓷及其制备方法。将碳化硅粉、氧化镁、氧化铈和光敏树脂混合均匀，得到碳化硅浆料，碳化硅粉中平均粒径为30～60μm的碳化硅粉和平均粒径为0.5～5μm的碳化硅粉的质量...
    2025-12-29
  • 一种高绝缘性碳化硅金刚石复合材料及其制备方法
    一种高绝缘性碳化硅金刚石复合材料及其制备方法_河南联合精密材料股份有限公司_202511032510.1
    本发明提出了一种高绝缘性碳化硅金刚石复合材料及其制备方法，包括：S1、多级粒度金刚石颗粒混合后与酚醛树脂以乙醇为溶剂进行湿法混合，干燥后破碎成复合粉体A；S2、将AlN或Si3N4、Al₂O₃和Y₂O₃按比例混合后，与水性树脂按5‑15 w...
    2025-12-29
  • 高密度C/SiC陶瓷复合材料的制备方法及其产品
    高密度C/SiC陶瓷复合材料的制备方法及其产品_湖北三江航天江北机械工程有限公司_202510977991.7
    本发明公开了一种高密度C/SiC陶瓷复合材料的制备方法及其产品，包括以下步骤：1)对碳纤维编织体进行脱胶和热解碳沉积，得到预制体；2)以聚碳硅烷为先驱体制备先驱体溶液，采用PIP工艺对预制体进行多次浸渍裂解处理，获得密度≥1.75g/cm3...
    2025-12-29
  • 一种氢化钨/碳化硼复合中子屏蔽材料、制备方法及应用
    一种氢化钨/碳化硼复合中子屏蔽材料、制备方法及应用_山东理工大学_202511454095.9
    本发明提供了一种氢化钨/碳化硼复合中子屏蔽材料、制备方法及应用，属于辐射屏蔽材料领域，按照质量比例包括：氢化钨5‑40份、碳化硼60‑90份、外加酚醛树脂10‑15份、分散剂0.1‑0.4份、pH调节剂0.02‑0.1份。本发明采用上述的一...
    2025-12-29
  • 一种碳化硼防弹陶瓷材料及其制备方法
    一种碳化硼防弹陶瓷材料及其制备方法_上海泛翌新材料有限公司_202511095063.4
    本发明属于防弹陶瓷制备技术领域，提供了一种碳化硼防弹陶瓷材料及其制备方法；首先，将三氧化钼在氢气氛围中进行还原处理，制备还原的二氧化钼；其次，将碳化硼、还原的二氧化钼及特定比例的助剂与溶剂混合，通过球磨工艺均匀混合后，经过真空干燥及过筛处理...
    2025-12-29
  • 一种超强微纳三维结构SiOC陶瓷的制备方法
    一种超强微纳三维结构SiOC陶瓷的制备方法_中国科学技术大学_202511179293.9
    本发明属于先进制造领域，尤其涉及一种超强微纳三维结构SiOC陶瓷的制备方法，包括以下步骤：将式(I)结构的液态聚碳硅烷和光引发剂混合后进行前烘处理，然后采用飞秒激光双光子聚合技术对其进行三维结构成型，之后进行无氧烧结，得到超强微纳三维结构S...
    2025-12-29
  • 一种抗烧蚀型(Hf-Zr-Ta)C三元中熵陶瓷材料及其制备方法
    一种抗烧蚀型(Hf-Zr-Ta)C三元中熵陶瓷材料及其制备方法_河南省科学院碳基复合材料研究院_202511093373.2
    本本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种抗烧蚀型(Hf‑Zr‑Ta)C三元中熵陶瓷材料及其制备方法；首先将HfC、ZrC和TaC粉混合后，加入无水乙醇溶剂，进行球磨得到混合浆料；随后将混合浆料进行烘干和过筛，得到混合粉体，最后将充分混合的复...
    2025-12-29
  • 一种抗高温烧蚀(Hf-Zr-Ti-Ta)C四元中熵陶瓷及其制备方法
    一种抗高温烧蚀(Hf-Zr-Ti-Ta)C四元中熵陶瓷及其制备方法_河南省科学院碳基复合材料研究院_202511093371.3
    本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种抗高温烧蚀(Hf‑Zr‑Ti‑Ta)C四元中熵陶瓷及其制备方法；首先将HfC、ZrC、TiC和TaC粉混合后，加入无水乙醇溶剂，进行球磨得到混合浆料；随后将混合浆料进行烘干和过筛，得到混合粉体，最后将充...
    2025-12-29
  • 一种抗辐照中熵陶瓷材料及其制备方法和应用
    一种抗辐照中熵陶瓷材料及其制备方法和应用_中国科学院上海硅酸盐研究所_202410570315.3
    本发明属于核反应堆材料技术领域，具体涉及一种抗辐照中熵陶瓷及其制备方法和应用。为了使第四代反应堆的核心材料具有较好的抗辐照性能，本发明提供一种抗辐照中熵陶瓷材料，所述抗辐照中熵陶瓷材料的化学组成为(TiaZrbNbc)C；其中，a＝5at％...
    2025-12-29
  • 一种原子层分相共生结构碳化物陶瓷及其制备方法
    一种原子层分相共生结构碳化物陶瓷及其制备方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202410570314.9
    本发明属于结构陶瓷材料技术领域，具体涉及一种原子层分相共生结构碳化物陶瓷及其制备方法。为了解决当前极端环境用陶瓷材料韧性较低和不易加工的问题，本发明提供一种原子层分相共生结构碳化物陶瓷所述原子层分相共生结构碳化物陶瓷是由过渡金属元素M、C元...
    2025-12-29
  • 废阳极炭块的回收再生系统及方法
    废阳极炭块的回收再生系统及方法_上海弘数新材料科技有限公司_202511124456.3
    本发明涉及炭材料回收技术领域，且公开了废阳极炭块的回收再生系统及方法，系统包括预处理模块、热解再生模块、精炼成型模块以及中央控制单元，通过建立多级杂质分离机制，针对不同金属杂质类型分步执行靶向筛选，使得铁磁性金属与非铁金属杂质得以深度分离；...
    2025-12-29
  • 一种石墨电级接头降低成本提高质量的生产工艺
    一种石墨电级接头降低成本提高质量的生产工艺_江国利_202511101078.7
    本发明涉及一种石墨电级接头降低成本提高质量的生产工艺，涉及石墨电极制造领域，先将压型坯焙烧形成整支焙烧坯，通过对该焙烧坯实施首次机械加工——将整支坯体切割为长度预留0‑20mm的单件坯段，同时车削或磨削其外形至与成品接头相同的几何轮廓并在径...
    2025-12-29
  • 一种等摩尔比七元高熵氧化物及其制备工艺
    一种等摩尔比七元高熵氧化物及其制备工艺_洛阳理工学院_202511453466.1
    本发明属于无机非金属材料合成领域，具体涉及一种等摩尔比七元高熵氧化物及其制备工艺。所述制备工艺包括如下步骤：将七种氧化物粉末Al2O3、Y2O3、TiO2、ZrO2、NiO、CuO、CeO2按照摩尔比1：1：2：2：2：2：2放入球磨罐中，...
    2025-12-29
  • 基于非化学计量比调控的锆酸钆陶瓷及超快烧结方法
    基于非化学计量比调控的锆酸钆陶瓷及超快烧结方法_天目山实验室_202511423494.9
    本发明公开了一种基于非化学计量比调控的锆酸钆陶瓷及超快烧结方法，其化学式为Gd2‑xZr2+xO7+x/2，其中0.5≥x≥‑0.5，且x≠0；所述锆酸钆陶瓷具有单一的萤石相结构；其微观结构无明显孔洞、晶粒的生长程度随着化学计量比的偏离程度...
    2025-12-29
  • 一种超低损耗BaSm2O4微波介质材料及其制备方法
    一种超低损耗BaSm2O4微波介质材料及其制备方法_桂林理工大学_202511047653.X
    本发明涉及电子陶瓷制备技术领域，具体涉及一种超低损耗BaSm2O4微波介质材料及其制备方法：以纯度≥99％的BaCO3和Sm2O3按BaSm2O4配料，之后将物料以无水乙醇为球磨介质湿式球磨混合，干燥后造粒、压制成型、烧结获得样品，通过对传...
    2025-12-29
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