Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 基于NiO耗尽技术的增强型高耐压AlN沟道晶体管及制备方法
    基于NiO耗尽技术的增强型高耐压AlN沟道晶体管及制备方法_西安电子科技大学_202511155363.7
    本发明公开了一种基于NiO耗尽技术的增强型高耐压AlN沟道晶体管及制备方法，晶体管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层和缓冲层，设置在缓冲层上的n型AlN沟道层，且AlN沟道层在远离缓冲层的一面设置有一凹槽，包括第一NiO耗尽层和第二...
    2026-01-13
  • 一种压接型IGBT器件子结构、压接型IGBT器件及其铜烧结方法
    一种压接型IGBT器件子结构、压接型IGBT器件及其铜烧结方法_华中科技大学_202511105144.8
    本申请属于新型封装材料和技术领域，更具体地，涉及一种压接型IGBT器件子结构、压接型IGBT器件及其铜烧结方法。本发明提供的压接型IGBT器件子结构中含有烧结铜层，其为将背面附着铜膏或铜膜的芯片与制备有Cu种子层的集电极钼块置于腔室内，烘干...
    2026-01-13
  • 锗硅异质结双极晶体管及其制造方法
    锗硅异质结双极晶体管及其制造方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511000340.9
    本申请公开了一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，特别涉及半导体器件及集成电路工艺设计和制造领域。本申请提供的锗硅异质结双极晶体管，包括：衬底；重掺杂硅集电区和场区氧化硅层，分别形成在衬底上；硅外延集电区和外集电区，分别...
    2026-01-13
  • 基于异质结RESURF结构的氧化镓SBD及制备方法
    基于异质结RESURF结构的氧化镓SBD及制备方法_西安理工大学_202511443253.0
    本发明公开了基于异质结RESURF结构的氧化镓SBD及制备方法，涉及电力电子应用技术领域，包括衬底、P型SiC层、N型β‑Ga2O3层、电极和N+型β‑Ga2O3层；所述衬底设置在底部，所述衬底上方依次为P型SiC层、N型β‑Ga2O3层；...
    2026-01-13
  • PIN二极管及其制备方法、电子设备
    PIN二极管及其制备方法、电子设备_京东方科技集团股份有限公司_202410658308.9
    本公开提供一种PIN二极管及其制备方法、电子器件，属于电子器件技术领域，其可解决现有的PIN二极管载流子注入效率低，PIN二极管正向电阻高的问题。本公开的PIN二极管包括衬底基板；有源层，设置在所述衬底基板上，所述有源层包括依次设置的P型半...
    2026-01-13
  • 一种压接式大功率高压二极管芯片的制造方法
    一种压接式大功率高压二极管芯片的制造方法_浙江正邦电子股份有限公司_202511553891.8
    本发明提供了一种压接式大功率高压二极管芯片的制造方法，涉及电力半导体器件制造技术领域，该方法通过在半导体晶圆表面通过激光开槽形成环形沟槽，结合闭管镓铝扩散工艺在沟槽内形成单个芯片的圆形PN结隔离墙；在隔离墙围成的单胞区域内进行硼磷双质扩散，...
    2026-01-13
  • MIM电容器及其制作方法
    MIM电容器及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511576119.8
    本发明提供一种MIM电容器及其制作方法，所述方法包括：提供包括器件区与虚拟区的基底，在基底内形成第一浅沟槽；在第一浅沟槽内填充第一多晶硅；刻蚀第一多晶硅在第一浅沟槽内形成第二浅沟槽；在第二浅沟槽内填充介质层；刻蚀介质层在第二浅沟槽内形成第三...
    2026-01-13
  • 具有MIM电容的半导体器件及其制作方法
    具有MIM电容的半导体器件及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511564465.4
    本发明公开了一种具有MIM电容的半导体器件及其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：提供金属间介电层；形成位于该金属间介电层上的中间介质层；在中间介质层及金属间介电层上形成金属层；研磨金属层至其表面平坦并暴露出中间介质层；在距离中间介质层一定...
    2026-01-13
  • 一种硅电容器、光刻掩模版及硅电容器的制造方法
    一种硅电容器、光刻掩模版及硅电容器的制造方法_杭州富芯半导体有限公司_202511553390.X
    本申请公开了一种硅电容器，包括：在硅衬底上设置的沟槽；所述沟槽用于设置电容器结构；述沟槽在硅衬底的表面方向的布置如下：所述沟槽包括复数个纵向分布的第一类沟槽和复数个横向分布的第二类沟槽；其中，至少部分所述第一类沟槽和部分第二类沟槽贯通连接。...
    2026-01-13
  • 硅电容结构及其制造方法
    硅电容结构及其制造方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202511183172.1
    本申请公开了一种硅电容结构及其制造方法，方法包括：将第一衬底与第二衬底键合，所述第一衬底包括相对的第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第二衬底键合；在所述第一衬底中形成深沟槽；在所述深沟槽中形成第一绝缘层和多晶硅层，所述第一绝缘层分隔所述...
    2026-01-13
  • 存储器及其制备方法
    存储器及其制备方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202511022976.3
    本申请公开了一种存储器及其制备方法，涉及存储器技术领域，用于解决现有第一导电层与选通膜层同步刻蚀，会导致选通膜层出现形貌改变，进而影响存储器性能的问题。本申请提供的存储器的制备方法包括：形成第一导电层；在第一导电层的表面形成存储结构层，存储...
    2026-01-13
  • 一种存储器的形成方法以及存储器
    一种存储器的形成方法以及存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202511015820.2
    本申请公开了一种存储器的形成方法以及存储器。所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成器件层，所述器件层包括存储单元；在所述器件层远离所述衬底的一侧形成第一介质层以及第二介质层，所述第二介质层位于所述第一介质层远离所述器件层的一侧，所述第一介...
    2026-01-13
  • 一种存储器的形成方法和存储器
    一种存储器的形成方法和存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202510946512.5
    本申请涉及一种存储器的形成方法和存储器，其包括提供基底；在存储区的基底上形成间隔排布的堆叠结构和填充于堆叠结构之间的第一介质层，堆叠结构包括：第一导电层、存储结构以及位于存储结构顶部表面的牺牲层；去除各牺牲层，形成相对于第一介质层表面凹陷的...
    2026-01-13
  • 半导体结构和半导体结构的形成方法
    半导体结构和半导体结构的形成方法_复旦大学_202511174376.9
    一种半导体结构和半导体结构的形成方法，结构包括：基底，基底具有相对的正面和背面，背面具有背部供电网络；若干鳍部，若干鳍部相互独立，鳍部位于正面，鳍部用于构成半导体结构中的逻辑电路；鳍部隔离层，鳍部隔离层位于正面，并位于相邻的鳍部之间；若干嵌...
    2026-01-13
  • 半导体器件的形成方法和半导体器件
    半导体器件的形成方法和半导体器件_新存科技(武汉)有限责任公司_202510960268.8
    本申请提供了一种半导体器件的形成方法和半导体器件，该形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成存储叠层以及位于存储叠层上的掩膜层，存储叠层包括依次叠置的第一电极层、初始存储层和第二电极层；以掩膜层为掩膜，对初始存储层进行若干次等离子体刻蚀处理，以...
    2026-01-13
  • 单晶体管双电阻式存储器的结构及其制作方法
    单晶体管双电阻式存储器的结构及其制作方法_联芯集成电路制造(厦门)有限公司_202410674372.6
    本发明公开一种单晶体管双电阻式存储器的结构及其制作方法，其中单晶体管双电阻式存储器的结构包含一基底，一晶体管设置基底上，晶体管包含一第一源极/漏极掺杂区埋入于晶体管的一侧的基底中，一第一源极/漏极插塞、一第一金属线、一第一插塞、一第二金属线...
    2026-01-13
  • 磁阻式随机存取内存及其形成方法
    磁阻式随机存取内存及其形成方法_联华电子股份有限公司_202410776699.4
    本发明公开一种磁阻式随机存取内存及其形成方法，磁阻式随机存取内存包括：下部金属层以及下部介电层，设置于半导体基底上，且其中所述下部金属层设置于所述下部介电层中；介电层，设置于所述下部介电层以及所述下部金属层上；穿孔插塞、磁性隧穿结以及额外金...
    2026-01-13
  • 一种可重构布尔逻辑单元及其制备方法
    一种可重构布尔逻辑单元及其制备方法_南方科技大学_202511216944.7
    本发明公开了一种可重构布尔逻辑单元及其制备方法，可重构布尔逻辑单元包括：P型金属氧化物半导体场效应管和N型铁电场效应晶体管；P型金属氧化物半导体场效应管包括：第一栅极、第一介电层、第一沟道层、第一漏极、第一源极和第二介电层；所述N型铁电场效...
    2026-01-13
  • 半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统
    半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410683228.9
    本公开提供一种半导体结构，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决电容结构的电容值提升困难的问题。本公开提供的一种半导体结构包括支撑层和电容结构。电容结构贯穿至少部分支撑层，电容结构包括第一电极层、第二电极层以及介电层；其中，第一电极层包括第一子电...
    2026-01-13
  • 半导体器件及其制作方法、电子设备
    半导体器件及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410674921.X
    本公开涉及一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及集成电路技术领域，制作方法包括：提供衬底，在衬底上形成绝缘层和牺牲层交替堆叠的叠层结构；形成多个阵列分布的沟道孔，沟道孔贯穿叠层结构；形成依次覆盖沟道孔的侧壁的栅介质层、介电叠层和半导体层...
    2026-01-13
首页 上一页 5 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证