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最新专利技术
  • 在混合接合中的高强度选择性电介质
    在混合接合中的高强度选择性电介质_应用材料公司_202480027269.0
    一种用于半导体装置的在顶表面上具有高介电常数介电膜的结构可以用于形成由具有减少的介电表面区域及减少的金属柱的节距的混合接合结构所组成的装置。介电膜的介电常数可以是约或大于8。可以将结构的介电膜与类似结构的介电膜混合接合来形成装置。用于形成结...
    2025-12-20
  • 在焊合系统上处理基板的方法以及相关的焊合系统
    在焊合系统上处理基板的方法以及相关的焊合系统_库利克和索夫工业公司_202480019963.8
    提供一种在焊合系统上处理基板的方法。所述方法包括：(a)在焊合系统上提供氧化物还原传送系统；(b)在所述焊合系统的支撑结构上支撑基板；以及(c)相对于彼此移动所述氧化物还原传送系统和所述支撑结构的至少其中之一，使得由所述氧化物还原传送系统提...
    2025-12-20
  • 静电吸盘
    静电吸盘_巴川集团股份有限公司_202480030934.1
    本发明的静电吸盘具备：第一电极(11)、第二电极(12)以及绝缘部件(13)，在至少一个部位包括在绝缘部件(13)相对于第一电极(11)的一侧和绝缘部件(13)相对于第二电极(12)的一侧中的至少一侧具有间隙(14、15)的结构，对于选自第...
    2025-12-20
  • 基片处理系统
    基片处理系统_东京毅力科创株式会社_202480024797.0
    本发明提供一种提高设置在运送臂上的传感器的测量精度的技术。本发明提供一种包括基片处理装置、运送装置和控制部的基片处理系统。基片处理装置包括基片处理腔室、基片支承部以及具有第一水平面和第一倾斜面的边缘环。运送装置包括运送腔室、运送臂、光学传感...
    2025-12-20
  • 用于基于垫的化学磨光的后CMP清洁的压迫间隙控制
    用于基于垫的化学磨光的后CMP清洁的压迫间隙控制_应用材料公司_202480029087.7
    本公开案的实施方式包括清洁基板的设备及方法。清洁基板的方法包括：通过第一马达来旋转基板桌，输送流体至基板的表面，所述基板放置于清洁模块的所述基板桌的支撑表面上；以清洁速度来旋转清洁垫，且使用控制器来感测由第二马达所产生的初始扭力值；使用升降...
    2025-12-20
  • 制造系统中的晶片的光学检查
    制造系统中的晶片的光学检查_应用材料公司_202480027343.9
    本案揭露了用于快速且有效地检测晶片中的缺陷的系统和技术，包括具有耦接到晶片载器和装载闸腔室的工厂接口(FI)的系统。FI包括机器人，机器人从晶片载体取得晶片并将第一晶片移送至对准器装置。对准器装置向晶片施加旋转运动并使用晶片的旋转运动来识别...
    2025-12-20
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_雅马哈智能机器株式会社_202480024426.2
    半导体装置的制造方法是制造如下半导体装置的方法，所述半导体装置包括具有构成电性连接的连接区域以及不构成电性连接的非连接区域的芯片的主表面。半导体装置的制造方法具有：第一工序，通过将具有与连接区域R1的平面形状对应的拾取部的工具压接到烧结基材...
    2025-12-20
  • 层叠体、层叠体的制造方法、半导体装置的制造方法
    层叠体、层叠体的制造方法、半导体装置的制造方法_东丽株式会社_202480027617.4
    本发明涉及一种在激光透过性基板1上依次层叠有激光吸收性临时接着层1、保护层1、以及半导体层1的层叠体。
    2025-12-20
  • 基片处理方法
    基片处理方法_东京毅力科创株式会社_202480030507.3
    本发明的一个方式的基片处理方法包括第一蚀刻工序，向形成有栅极电极和用于调节栅极电极的功函数的功函数调节膜的基片供给第一蚀刻液，来对功函数调节膜进行蚀刻。在第一蚀刻工序中，将氢氟酸、SPM(硫酸与过氧化氢水溶液的混合液)或SC1(氨与过氧化氢...
    2025-12-20
  • 用于金属间隙填充的方法
    用于金属间隙填充的方法_应用材料公司_202480028165.1
    一种金属间隙填充的方法，包括通过等离子体增强原子层沉积，在存在于场上和/或特征开口中的介电层上沉积金属层，所述方法使用金属卤化物前驱物和含有氢及惰性气体的等离子体；并在场上和开口中直接在金属层上方沉积金属间隙填充材料，其中金属间隙填充材料完...
    2025-12-20
  • 半导体结构和存储器单元及其制造方法
    半导体结构和存储器单元及其制造方法_凌北卿_202480030635.8
    本公开涉及半导体结构、存储器器件及其制造方法。半导体结构包括第一衬底、第二衬底、键合层、第一导电层和第一介质层。第二衬底设置在第一衬底上。第二衬底是单晶衬底。键合层设置在第一衬底与第二衬底之间。第一导电层设置在键合层与第二衬底之间。第一介质...
    2025-12-20
  • 基板接合装置
    基板接合装置_株式会社斯库林集团_202480031182.0
    基板接合装置具有：第一夹具11；第二夹具21，在第二基板与被第一夹具11保持的第一基板W1铅垂地相向的位置保持第二基板；Z致动器18，变更第一夹具11以及第二夹具21在铅垂方向上的间隔；以及第一变形致动器71A，使第一夹具11在平坦形状与凸...
    2025-12-20
  • 具增进的电气、机械及蚀刻特性的掺杂的含硅材料
    具增进的电气、机械及蚀刻特性的掺杂的含硅材料_应用材料公司_202480029763.0
    半导体处理的范例方法可包括提供沉积前体至半导体处理腔室的处理区。基板可安置在所述处理区内。所述沉积前体可包括含硅前体。所述方法可包括提供掺杂物前体至所述半导体处理腔室的所述处理区。所述掺杂物前体可包括含磷前体。所述方法可包括产生所述沉积前体...
    2025-12-20
  • 放电管
    放电管_浜松光子学株式会社_202380097998.9
    本发明的放电管包括：容器；具有开口部的板状的阳极部；响应于通过了开口部的光的入射而释放光电子的板状的阴极部；沿阳极部与阴极部相对的相对方向延伸的棒状的阳极电极部；和沿相对方向延伸的棒状的阴极电极部。在相对方向上，将阳极部相对于阴极部所处一侧...
    2025-12-20
  • 用于半导体制造处理腔室的高生产量等离子体盖
    用于半导体制造处理腔室的高生产量等离子体盖_应用材料公司_202480027588.1
    描述了半导体制造处理腔室，其具有在支撑环及喷头之间的RF隔离器、和/或在喷头及气体漏斗之间的RF垫圈。帽插件具有围绕帽插件的帽外壳，所述帽插件在气体漏斗上，且RF馈送件与喷头接触。可包括基板支撑件且基板支撑件可具有引导穿过基板支撑件的RF返...
    2025-12-20
  • 隔离阀垫片
    隔离阀垫片_朗姆研究公司_202480026189.3
    在一些示例中，设置隔离阀以隔离半导体制造中的气体与等离子体。一示例性隔离阀包含阀本体、阀致动器、以及提动件。该提动件包含由聚四氟乙烯(PTFE)材料所制成的垫片。该提动件设置成通过该阀致动器而在该阀本体中移动至(1)接合位置、或(2)脱离位...
    2025-12-20
  • 用于使用等离子体形成薄膜的接地装置
    用于使用等离子体形成薄膜的接地装置_应用材料公司_202480025034.8
    本公开的实施例提供了一种射频(RF)回程装置。一个示例的RF回程装置通常包括用于连接至腔室主体的支架、连接至支架的盖、以及连接至盖并配置为接触基板支撑的接触板。使用本文描述的RF回程装置通常能够减少RF回程装置及其各种元件所暴露的温度，从而...
    2025-12-20
  • 用于接线装置的散热器
    用于接线装置的散热器_豪倍公司_202480031561.X
    一种接线装置，其包括具有前盖和后盖的外壳、设置在外壳内的第一印刷电路板(PCB)、第一直流(DC)端口、由第一PCB的表面支撑并被配置成向第一DC端口提供电力的多个电力电子器件、以及与多个电力电子器件中的至少一个直接接触并设置在后盖的内部中...
    2025-12-20
  • 继电器
    继电器_松下知识产权经营株式会社_202480027702.0
    本发明的课题在于容易地抑制固定端子的发热。继电器(A1)具备盖(90)、固定端子(60)和可动触头(50)。盖(90)具有贯通孔(93)，由导电性材料形成。固定端子(60)形成有向上方开口的凹部(65)，以盖(90)的贯通孔(93)与凹部(...
    2025-12-20
  • 具有带有第一电容器和第二电容器的电容器元件的电容器组件
    具有带有第一电容器和第二电容器的电容器元件的电容器组件_罗伯特·博世有限公司_202480030855.0
    本发明涉及一种电容器组件(1)，该电容器组件包括电容器元件(2)，该电容器元件包括第一电容器(3)和第二电容器(4)。在此，第一电容器(3)和第二电容器(4)分别具有层叠的或卷绕的结构，其中，通过相应的电容器(3、4)的第一侧部上的第一接触...
    2025-12-20
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