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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202480043852.0
    半导体装置具备半导体元件(30L)、作为金属板材的导电夹(50L)、以及焊料(81)。半导体元件(30L)具有源极电极(32)、作为信号线的栅极布线(36)、以及绝缘膜(35)。栅极布线(36)配置在与半导体基板(34)的一面上的元件区域重...
    2026-02-06
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202480043849.9
    半导体装置(21)具备具有布线的基板(40)、漏极电极(31)与共通的布线接合而相互并联连接的多个半导体元件(30)、以及金属板材(100)。金属板材(100)使并联连接的多个半导体元件(30)的源极电极(32)短路。由于通过金属板材(10...
    2026-02-06
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202480043848.4
    基板具有配置于绝缘基材的一面的P布线(421)和N布线(422)。在P布线连接有P端子(611)，在N布线连接有N端子(612)。半导体元件(30H)与P布线电连接。缓冲电路(70)包含电容器(71)，将P布线和N布线电桥接。基板配置在半导...
    2026-02-06
  • 半导体模块
    半导体模块_株式会社电装_202480043843.1
    在冷却器(23)的一面(23a)上配置有树脂制的壳体(22)。在包含冷却器和壳体而构成的收容空间中收容有基板，半导体元件安装于基板的导体。嵌入于壳体的主端子被与基板的导体接合。密封材料(25)介于冷却器的一面与壳体的下表面之间，在收容空间中...
    2026-02-06
  • 半导体模块
    半导体模块_株式会社电装_202480043840.8
    半导体模块具备冷却器、配置在冷却器上的基板(40)、以及多个半导体元件。基板(40)具有绝缘基材(41)、配置在绝缘基材上且被图案化的导体(42)、以及配置在与导体(42)相反的面上的导体(43)。接合材料介于冷却器与背面导体之间。导体(4...
    2026-02-06
  • 半导体装置、电力转换装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置、电力转换装置以及半导体装置的制造方法_安斯泰莫株式会社_202380099937.6
    一种半导体装置，具备：基体部件；半导体基板，其安装于所述基体部件的表面；框体，其以包围所述半导体基板的方式固定于所述基体部件的表面，所述基体部件具有：突部，其以沿着所述半导体基板的安装区域的方式设置，并且以从所述基体部件的表面突出的方式形成...
    2026-02-06
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202480043841.2
    半导体装置(21)具备基板(40)、配置在基板(40)的一面上的相互并联连接的多个半导体元件(30L)、以及N端子(612)。多个半导体元件(30L)的源极电极(32)与共通的N端子(612)电连接。N端子(612)与源极电极(32)之间的...
    2026-02-06
  • 嵌入具有双侧连接性的玻璃层中的管芯
    嵌入具有双侧连接性的玻璃层中的管芯_英特尔公司_202480042785.0
    一种IC管芯封装包括：在玻璃层的第一表面上的第一IC管芯和第二IC管芯、在玻璃层中的开口内的位于第一IC管芯和第二IC管芯下方的桥接、以及在玻璃层的与第一侧相对的第二表面上的第一封装导电特征和第二封装导电特征。包括焊料的第一互连将桥接与第一...
    2026-02-06
  • 半导体基板以及电力转换装置
    半导体基板以及电力转换装置_安斯泰莫株式会社_202380100027.5
    第一导体层具有一对第一开关部连接部位，该一对第一开关部连接部位沿着绝缘基板的一侧的面在与基准轴线正交的方向即正交方向上配置为将第三导体层夹在彼此之间，第三导体层具有一对第二开关部连接部位和焊盘形成部位，所述一对第二开关部连接部位在正交方向上...
    2026-02-06
  • 具有含侧向突起的栅极电极结构的竖直半导体器件和用于制造半导体器件的方法
    具有含侧向突起的栅极电极结构的竖直半导体器件和用于制造半导体器件的方法_日立能源有限公司_202480042840.6
    公开了半导体器件和用于制造半导体器件的方法。根据实施例，半导体器件(100)包括半导体本体(1)，该半导体本体具有第一导电类型的至少一个接触区(11)、第二导电类型的基极区(12)、以及第一导电类型的漂移区(14)。半导体器件进一步包括主电...
    2026-02-06
  • 半导体装置、显示装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置、显示装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480044815.1
    提供一种包括微型晶体管且集成度高的半导体装置。半导体装置包括两个垂直晶体管及绝缘层。绝缘层中设置有使用曝光装置形成的线状开口部，以开口部的相对的侧壁为沟道长度方向的两个垂直晶体管相对。两个垂直晶体管共同使用源电极和漏电极中的一个，并且其上不...
    2026-02-06
  • 晶体管结构、栅极驱动电路和显示面板
    晶体管结构、栅极驱动电路和显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202480001018.5
    本公开提供一种晶体管结构、栅极驱动电路和显示面板。所述晶体管结构中的晶体管组包括：至少两个控制部，至少两个第一电极部，以及至少两个第二电极部；第二电极部和第一电极部沿沟道长度方向交替排列，相邻的第二电极部在衬底基板上的正投影和第一电极部在衬...
    2026-02-06
  • 电路基板以及具备该电路基板的显示装置
    电路基板以及具备该电路基板的显示装置_夏普显示科技株式会社_202380100136.7
    在有机EL显示装置(1)中，覆盖第一TFT(50A)的第一栅极(24)的层叠体(36p)由两种无机绝缘膜层叠而成。在层叠体的内部构成有第二TFT(50B)。在由覆盖第一TFT的第一半导体层(22)的第一栅极绝缘膜(23)和层叠体构成的层叠绝...
    2026-02-06
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202480044319.6
    半导体装置(70)在第一导电型的半导体基板(1)上具备有源区(50)和终端区(60)。在有源区(50)具有第一导电型的第一半导体层(2)和第二导电型的第二半导体区(4a、6)。在终端区(60)具有：第一半导体层(2)；第二导电型的第一半导体...
    2026-02-06
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202480043836.1
    提出在温度上升时耐压难以降低的半导体元件。一种半导体装置，具有：在外周区域内与元件p型层相接的外周p型层；外周n型层，与外周p型层隔开间隔地配置于比所述外周p型层靠外周侧的位置；耐压p型层，配置于位于所述外周p型层与所述外周n型层之间的包含...
    2026-02-06
  • 半导体器件、半导体模块和无线通信装置
    半导体器件、半导体模块和无线通信装置_索尼集团公司_202480044793.9
    按照本公开的一个实施例的半导体器件包括：衬底；沟道层，所述沟道层包括设置在所述衬底的一个表面上的第一氮化物半导体；势垒层，所述势垒层包括设置在所述沟道层的与所述衬底相对的表面上的第二氮化物半导体；第一半导体层，所述第一半导体层部分埋入所述沟...
    2026-02-06
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480043702.X
    本发明抑制在IGBT的关断时在通过有源区域的内部的配线区域的近旁发生破坏。半导体装置(1)具备通过具有IGBT的有源区域(2)的内部的配线区域(4)，配线区域(4)具有第一导电型的漂移层(11)、设于比漂移层(11)靠背面侧的第二导电型的集...
    2026-02-06
  • 与接触垫结构集成的电容器结构
    与接触垫结构集成的电容器结构_BAE系统信息和电子系统集成有限公司_202480041439.0
    描述了一种集成电容器结构。在一个示例中，互连结构包含第一导电材料层及第二导电材料层。该第一层包含第一水平部及第一垂直部，该第一水平部具有第一开口且沿第一水平平面延伸。该第二层包含第二水平部及第二垂直部，该第二水平部具有第二开口且沿第二水平平...
    2026-02-06
  • 芯片封装结构及电子设备
    芯片封装结构及电子设备_荣耀终端股份有限公司_202380099545.X
    本申请公开了一种芯片封装结构及电子设备，该芯片封装结构包括主基板、第一芯片、过渡基板以及第二芯片。其中，第一芯片设置于主基板的一侧，过渡基板设置于第一芯片远离主基板的一侧，第二芯片设置于过渡基板远离第一芯片的一侧。本申请提供的芯片封装结构，...
    2026-02-06
  • 非对称的竖直薄膜晶体管选择器
    非对称的竖直薄膜晶体管选择器_美光科技公司_202480044921.X
    提供用于非对称的竖直薄膜晶体管选择器的系统、方法及设备。一种设备包含：第一及第二源极/漏极区，其形成在衬底上；沟道，其分离所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区；及栅极，其通过栅极介电材料与所述沟道分离。所述第一源极/漏极区、所述第二源...
    2026-02-06
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