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最新专利技术
  • 锂离子二次电池用正极活性物质、锂离子二次电池用正极活性物质的制造方法、锂离子二次电池
    锂离子二次电池用正极活性物质、锂离子二次电池用正极活性物质的制造方法、锂离子二次电池_住友金属矿山株式会社_202480049415.X
    一种锂离子二次电池用正极活性物质，其包含多个一次粒子相互凝聚而成的二次粒子，包含具有层状岩盐型结构的锂过渡金属复合氧化物和结晶化的磷酸锂，基于具有所述层状岩盐型结构的锂过渡金属复合氧化物的中子衍射的晶体结构解析中，占据锂位点(3b位点)的锂...
    2026-03-11
  • 锂二次电池的负极材料用前驱体、由该前驱体制备的负极材料及其制备方法
    锂二次电池的负极材料用前驱体、由该前驱体制备的负极材料及其制备方法_浦项控股股份有限公司_202480051154.5
    本发明的一个方面提供一种锂二次电池的负极材料用前驱体、由该前驱体制备的负极材料及其制备方法，所述负极材料用前驱体通过在高硬度人造石墨中分布天然石墨微粉的结构，具有高容量特性、优异的加工性和优异的寿命特性。
    2026-03-11
  • 正极活性材料及包含其的正极和锂二次电池
    正极活性材料及包含其的正极和锂二次电池_株式会社LG新能源_202480049016.3
    本发明涉及一种正极活性材料以及包含该正极活性材料的正极和锂二次电池，所述正极活性材料包含：镍含量为50摩尔%至75摩尔%并且掺杂有掺杂元素M1的单颗粒形式的锂镍类氧化物；以及形成在单颗粒形式的锂镍类氧化物上并且包含涂覆元素M2的涂覆层，其中...
    2026-03-11
  • 蓄电装置用的负极和蓄电装置
    蓄电装置用的负极和蓄电装置_株式会社丰田自动织机_202480051303.8
    一种蓄电装置用的负极(22)，具备：负极集电体(22a)，其具有第1表面(22a1)；以及负极活性物质层(22b)，其形成于负极集电体(22a)的第1表面(22a1)。负极活性物质层(22b)的单位面积重量为20mg/cm2以上。负极活性物...
    2026-03-11
  • 用于全固态可再充电电池的负电极和包括负电极的全固态可再充电电池
    用于全固态可再充电电池的负电极和包括负电极的全固态可再充电电池_三星SDI株式会社_202480049520.3
    本发明提供用于全固态可再充电电池的负电极，该用于全固态可再充电电池的负电极即使在快速充电时也不太可能造成短路，并且即使在重复充电和放电循环时，也可保持高电池容量。用于全固态可再充电电池的负电极包括：负电极集流体和负电极混合层，其中负电极混合...
    2026-03-11
  • 电池制造设备和使用所述电池制造设备的电池制造方法
    电池制造设备和使用所述电池制造设备的电池制造方法_株式会社LG新能源_202480048875.0
    根据本公开的实施例的电池制造设备包括：第一加压辊，所述第一加压辊围绕第一旋转轴旋转；第二加压辊，所述第二加压辊围绕第二旋转轴旋转，并且与所述第一加压辊一起形成供基材从中穿过的轧制间隔；第一传感器，所述第一传感器用于测量所述基材的厚度；以及第...
    2026-03-11
  • 准分子灯壳体UV滤波器
    准分子灯壳体UV滤波器_埃赛力达科技公司_202480050293.6
    本文所述技术涉及准分子灯。一种示例性准分子灯包括灯壳体，所述灯壳体被配置为将气体限制在密封腔内，所述灯壳体的至少一部分被配置为衰减或阻挡波长大于230纳米(nm)的紫外光，并且透射波长在190和230nm之间的紫外光。
    2026-03-11
  • 离子阱质谱仪操作方法
    离子阱质谱仪操作方法_塞莫费雪科学(不来梅)有限公司_202480033703.6
    提供了一种操作带离子阱的质谱仪的方法。该方法包括：将具有特定质荷比的离子引入离子阱；测量对应离子在阱内振荡的时间序列数据；从时间序列数据中提取表征离子振荡的第一特征值及表征离子振荡轨迹的第二特征值；并运用离子阱函数结合所提取的第一、第二特征...
    2026-03-11
  • 用于RF和PVT整合的等离子体处理组件
    用于RF和PVT整合的等离子体处理组件_应用材料公司_202480051255.2
    本公开案的实施方式涉及用于在等离子体处理系统中处理基板的系统及方法。在实施方式中，提供了一种等离子体处理系统，所述等离子体处理系统包括射频(RF)产生器，所述射频(RF)产生器耦合至安置在所述等离子体处理系统内的基板支撑底座并经配置以将RF...
    2026-03-11
  • 离子注入装置及离子注入方法
    离子注入装置及离子注入方法_住友重机械离子科技株式会社_202480050711.1
    离子注入装置具备：射束生成装置，按照多个动作参数进行动作而生成离子束；注入处理室，离子束照射到被处理物；测定装置，测定离子束的射束特性；存储器，存储用于从多个动作参数的设定值的集合推算射束特性的模型和规定的程序；及处理器，执行规定的程序。处...
    2026-03-11
  • 粒子显微镜系统中的倾斜度测量
    粒子显微镜系统中的倾斜度测量_卡尔蔡司SMT有限责任公司_202480051084.3
    本发明的各种实例关于在粒子显微镜系统的情况下对待检查的样本的倾斜度和/或高度的测量，特别是具备产生聚焦离子束的附加柱的电子束显微镜。例如根据自准直原理使用光学检测系统。
    2026-03-11
  • 具有纳米管发射体的X射线装置及形成方法
    具有纳米管发射体的X射线装置及形成方法_万睿视影像有限公司_202480049591.3
    一些实施例包括一种方法，包括：提供基底，基底包括纳米管层，纳米管层包括纳米管；对纳米管层进行加热；以及因加热而使纳米管层的至少一部分发生破坏，使得在纳米管层的所述至少一部分中的纳米管被活化用于电子发射。其他实施例包括一种X射线装置，包括基底...
    2026-03-11
  • 风险评估装置、风险评估程序以及风险评估方法
    风险评估装置、风险评估程序以及风险评估方法_医疗法人大宫城市诊所_202480049404.1
    本发明提供一种能够简易、迅速且精确地评估运动障碍综合征的风险的风险评估装置。本发明的第一实施方式的风险评估装置(10)包括：获取部(101)，获取与身体脂肪量相关的第一信息和与肌肉量相关的第二信息；以及判定部(102)，至少基于第一信息和第...
    2026-03-11
  • 用于训练数据的选择和用于训练分类器的方法，以及用于训练分类器的系统
    用于训练数据的选择和用于训练分类器的方法，以及用于训练分类器的系统_昕诺飞控股有限公司_202480050479.1
    提供了一种用于为训练机器可学习分类器(120)的计算机实现的训练方法(110)进行训练数据集的选择的方法(100)、用于训练机器可学习分类器的计算机实现的训练方法(110)、经训练的机器可学习分类器、计算机程序产品以及用于训练机器可学习分类...
    2026-03-11
  • 提供数据互通的血糖管理系统
    提供数据互通的血糖管理系统_上海移宇科技有限公司_202480047624.0
    本发明公开了一种提供数据互通的血糖管理系统，包括医院内使用的血糖管理系统和医院外使用的血糖管理系统，将医院内血糖管理系统的中央服务器和医院外血糖管理系统的中央服务器建立通信连接，可互相补全缺失的血糖历史数据，患者在住院时和出院后，医护人员、...
    2026-03-11
  • 药包验收装置及方法
    药包验收装置及方法_美迪利特有限公司_202380101090.0
    本发明提供通过至少一个处理器执行的药包验收方法及装置。该方法可包括如下步骤：接收通过第一摄像头拍摄的药包的第一图像；接收通过第二摄像头拍摄的所述药包的第二图像；接收与药包有关的药物信息；以及基于第一图像、第二图像及药物信息验收所述药包。并且...
    2026-03-11
  • 肽可制造性确定
    肽可制造性确定_亚马逊科技公司_202480036601.X
    提供了用于预测肽的可制造性的方法。可以接收针对与肽的可制造性有关的信息的请求。可以诸如通过使用机器学习模型来作出关于肽是否被预测为可合成的确定。机器学习模型可以在包括制造商规格和与肽相关联的描述以及针对肽的特征的数据上进行训练。可以使用用针...
    2026-03-11
  • 一种3D集成电荷耦合器件存储器
    一种3D集成电荷耦合器件存储器_IMEC非营利协会_202480050495.0
    本公开涉及三维(3D)集成电荷耦合器件(CCD)块可寻址存储类存储器(SCM)。该3D CCD存储器包括层堆叠，该层堆叠包括沿着第一方向以一个在另一个之上的方式交替排列的多个栅极层和间隔层。该存储器还包括在堆叠中延伸的多个基于半导体的沟道，...
    2026-03-11
  • 用于交叉开关电路的跨阻抗放大器
    用于交叉开关电路的跨阻抗放大器_特忆智能科技_202480049814.6
    本公开提供了用于交叉开关电路的跨阻抗放大器。所述交叉开关电路包括与多个字线交叉的多个位线和多个交叉点器件。所述多个交叉点器件中的每一个连接至至少一个字线和至少一个位线。所述交叉开关电路可进一步包括一个跨阻抗放大器，以生成表示流经所述多个位线...
    2026-03-11
  • 高密度3D磁存储器器件
    高密度3D磁存储器器件_IMEC非盈利协会_202480050777.0
    本公开提出了一种3D磁存储器器件，其包括具有交替布置的介电层和硅基层的叠层、以及穿过叠层形成的磁性材料通道。通道在其延伸穿过硅基层处具有第一直径，并且在其延伸穿过介电层处具有第二直径。在通道中形成由层限定的钉扎位点，每个钉扎位点被配置为存储...
    2026-03-11
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