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最新专利技术
  • 用于三维存储器的半导体结构及其制造方法
    用于三维存储器的半导体结构及其制造方法_旺宏电子股份有限公司_202410458009.0
    本公开提供一种用于三维存储器的半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：基底， 具有存储元件区与围绕存储元件区的周边区， 且存储元件区包括存储阵列区与阶梯区；电路结构层， 设置于基底上；第一导电层， 设置于电路结构层上；堆叠结构， 设置于存储...
    2025-10-31
  • 半导体工艺方法
    半导体工艺方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510896762.2
    本发明提供了一种半导体工艺方法， 涉及半导体加工技术领域， 以解决现有对叠层结构刻蚀过程中OX层和W层刻蚀侧壁凹凸不平的问题。半导体工艺方法包括主刻蚀步， 使用第一工艺气体对叠层结构进行刻蚀， 所述叠层结构由交替设置的OX层和W层形成， 所...
    2025-10-31
  • 快闪存储器装置及其形成方法
    快闪存储器装置及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202410880625.5
    本申请提供一种快闪存储器装置及其形成方法， 形成方法包括提供衬底， 其中衬底具有多个浅沟槽隔离部件形成于其中；于浅沟槽隔离部件上形成相应的多个隔离部件， 其中隔离部件具有第一应力；对隔离部件的多个表面部分进行表面处理工艺， 使隔离部件的表面...
    2025-10-31
  • 半导体装置及其制备方法
    半导体装置及其制备方法_鸿海精密工业股份有限公司_202410357348.X
    提供一种半导体装置， 包含基板、氧化层、两金属栅极、两浮动栅极及共用栅极。基板包含复数主动区依序包含第一、第二、中央、第三与第四主动区。氧化层设置于基板上， 两金属栅极设置于氧化层上， 且分别位于第一与第二主动区及第三与第四主动区之间。两浮...
    2025-10-31
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410331402.3
    一种半导体结构及其形成方法， 半导体结构包括：衬底， 所述衬底包括相邻设置的第一区和第二区；浮栅结构， 位于第一区的衬底上；控制栅结构， 位于浮栅结构上， 控制栅结构与浮栅结构之间相绝缘；第一介质层， 位于浮栅结构和控制栅结构朝向第二区一侧...
    2025-10-31
  • 用于形成三维存储器件的方法和三维存储器件
    用于形成三维存储器件的方法和三维存储器件_英特尔NDTM美国有限公司_202410375170.1
    本发明提供一种形成三维存储器件的方法， 包括以下步骤：i)在垂直于衬底的表面的方向上形成绝缘层和导电层交替层叠的堆叠结构， 堆叠结构包括核心部分和台阶部分， 台阶部分位于核心部分的至少一侧；ii)在台阶部分的每级台阶的顶部， 形成覆盖导电层...
    2025-10-31
  • 反熔丝存储单元及其制造方法、反熔丝OTP存储器
    反熔丝存储单元及其制造方法、反熔丝OTP存储器_上海华力集成电路制造有限公司_202510890700.0
    本发明提供了一种反熔丝存储单元及其制造方法、反熔丝OTP存储器， 属于半导体领域。该反熔丝存储单元包括形成于基底表面的阱区， 形成于所述阱区表面的栅极、第一隔离区结构和第二隔离区结构， 所述栅极作为控制管的栅极， 所述栅极两侧的阱区设置有源...
    2025-10-31
  • 一种动态随机存储器及其制备方法
    一种动态随机存储器及其制备方法_兰州交通大学_202511153905.7
    本发明提供一种动态随机存储器及其制备方法， 其中器件包括：第二介质电极层、源电极、漏电极、源区、沟道区域、存储窗口、漏区、第一介质电极层， 其中， 源电极、漏电极、源区、沟道区域、存储窗口和漏区设置于所述第二介质电极层上表面；第一介质电极层...
    2025-10-31
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司_202511150144.X
    公开了一种半导体结构及其制作方法。用于解决如何改善横向刻蚀形成的多个间隙的均一性差的技术问题。该制作方法包括：在衬底上形成包括交替堆叠的多个牺牲层和多个半导体层的叠层结构；多个牺牲层包括多个第一牺牲层和多个第二牺牲层， 任意一个第二牺牲层和...
    2025-10-31
  • 半导体结构及其形成方法、电子设备
    半导体结构及其形成方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202510900059.4
    本公开是关于半导体技术领域， 涉及一种半导体结构及其形成方法、电子设备， 半导体结构包括有源柱、第一绝缘层、第二绝缘层以及栅极， 其中：有源柱沿第一方向延伸， 有源柱包括沿第一方向依次分布的第一源漏区、第二源漏区及沟道区；第一绝缘层和第二绝...
    2025-10-31
  • 叠层结构、半导体器件及其制备工艺
    叠层结构、半导体器件及其制备工艺_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510885711.X
    本发明提供一种叠层结构、半导体器件及其制备工艺， 涉及半导体技术领域。该叠层结构包括自下而上交替堆叠的支撑层和牺牲层， 支撑层中， 位于底部的一者为底支撑层、其余为上支撑层；叠层结构所在区域包括第一区域和第二区域， 第一区域中上支撑层的总层...
    2025-10-31
  • 半导体结构的形成方法及半导体结构
    半导体结构的形成方法及半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202510855923.3
    本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构， 涉及半导体技术领域。该形成方法包括：在衬底上形成叠层结构， 叠层结构包括沿多个有源柱组， 相邻两个有源柱组具有第一间隙， 有源柱组包括多个有源柱， 相邻两个有源柱具有第二间隙， 有源柱沿第...
    2025-10-31
  • 半导体结构及其形成方法、电子设备
    半导体结构及其形成方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202510855887.0
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其形成方法、电子设备；其中， 半导体结构的形成方法包括：提供基底；基底包括阵列区域， 阵列区域包括沿第一方向和第二方向排布、且沿第三方向延伸的多个有源柱；有源柱包括沟道结构， 以及位于沟道结构沿第三方向两侧...
    2025-10-31
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410379832.2
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备， 属于半导体技术领域， 制造方法包括：提供第一衬底， 第一衬底具有第一表面和第二表面；在第一表面形成呈阵列分布的晶体管， 晶体管包括沿垂直于第一衬底的第一表面延伸的半导体柱和至少部分环绕半导体柱的栅电极...
    2025-10-31
  • 半导体器件及动态随机存取器
    半导体器件及动态随机存取器_长鑫科技集团股份有限公司_202410374584.2
    本公开提供了一种半导体器件包括：衬底；设置于衬底上的第一结构单元， 第一结构单元包括：晶体管， 多个晶体管沿第一方向堆叠设置；晶体管包括：栅极结构， 有源层， 第一电极和第二电极， 第一电极和第二电极沿第二方向设置于栅极结构两侧， 有源层连...
    2025-10-31
  • 半导体结构以及半导体结构的制造方法
    半导体结构以及半导体结构的制造方法_爱普科技股份有限公司_202411097443.7
    本发明提供一种半导体结构， 其包括半导体晶片、元件层以及虚拟静态随机存取记忆体(PSRAM)晶粒。元件层设置于半导体晶片的表面上， 其中元件层包括有机层。PSRAM晶粒设置于半导体晶片的表面上且与半导体晶片电性连接。本发明另提供一种半导体结...
    2025-10-31
  • 基于多层PCB的移动空调面板制造工艺
    基于多层PCB的移动空调面板制造工艺_广州庆源电子有限公司_202510945665.8
    本发明涉及移动空调面板制造工艺技术领域， 尤其涉及一种基于多层PCB的移动空调面板制造工艺， 包括形成PCB贴附基板；将元器件贴片贴附至贴片位置形成预固定PCB板；获取焊盘上的焊料的若干帧三维图像并确定致密区域和分散区域， 基于其持续时长定...
    2025-10-31
  • 一种五金件上焊PCB板的自动化机组
    一种五金件上焊PCB板的自动化机组_意拉德电子(东莞)有限公司_202510932282.7
    本发明涉及自动化焊接的技术领域， 尤其是涉及一种五金件上焊PCB板的自动化机组， 包括：分度转盘， 设有定位治具， 并驱动定位治具依次停放在装配工位、焊接工位与出料工位；上料机构， 对五金件或PCB板进行上料操作；装配机构， 抓取上料机构内...
    2025-10-31
  • 带有可释放压缩的机械堆叠组装件
    带有可释放压缩的机械堆叠组装件_英特尔公司_202510227219.3
    本公开涉及带有可释放压缩的机械堆叠组装件。一种装置提供了盖子和与盖子耦合的压缩机构。压缩机构包括延伸穿过盖子的锚定件， 布置在与盖子相交的第一平面中的杠杆， 以及布置在与盖子相对的第二平面中的接触部分。杠杆和接触部分处于围绕共同轴线受偏置关...
    2025-10-31
  • 一种电磁屏蔽膜和线路板
    一种电磁屏蔽膜和线路板_广州方邦电子股份有限公司_202511003820.0
    本发明公开了一种电磁屏蔽膜和线路板， 所述电磁屏蔽膜包括依次层叠设置的保护层、金属层和胶膜层；所述保护层和所述金属层层叠设置形成镀片， 所述镀片的第一应变强度σ1和所述电磁屏蔽膜整体的第一应变强度σ2满足：其中， 所述第一应变强度指的是当应...
    2025-10-31
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