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最新专利技术
  • 一种全钒液流电池储能系统充电待机策略
    一种全钒液流电池储能系统充电待机策略_中国科学院大连化学物理研究所_202311737195.3
    本申请公开了一种全钒液流电池储能系统充电待机策略，通过用3.5价钒电解液或4价、3价钒电解液置换电堆内充电后的电解液，既能解决系统充电待机时漏电流导致温升过高，造成5价钒析出及电堆零部件的电化学腐蚀问题，保护了电堆零部件，延长了电池系统使用...
    2025-07-04
  • 电堆散热系统、控制方法及车辆
    电堆散热系统、控制方法及车辆_北汽福田汽车股份有限公司_202311732922.7
    本发明公开了一种电堆散热系统、控制方法及车辆，包括：电堆散热组件，所述散热器内形成有液冷腔，所述液冷腔串联于所述循环水路中，所述换热器安装于所述液冷腔内，且所述换热器内形成有换热流路；所述第一侧水腔连通于所述废水水路与所述换热流路的进水口之...
    2025-07-04
  • 一种用于反应器快速启动的电加热器结构
    一种用于反应器快速启动的电加热器结构_中国科学院大连化学物理研究所_202311728510.6
    本发明属于燃料电池领域，具体地说是一种用于反应器快速启动的电加热器结构，下多孔网板、导热固体颗粒及上多孔网板位于加热器壳体内部，下多孔网板及上多孔网板将导热固体颗粒夹在中间；多根直管道贯穿整个加热器壳体，直管道内部安装有电加热棒；在加热器壳...
    2025-07-04
  • 一种抑制锌基液流电池锌腐蚀的方法
    一种抑制锌基液流电池锌腐蚀的方法_中国科学院大连化学物理研究所_202311737172.2
    本申请公开了一种抑制锌基液流电池锌腐蚀的方法，方法包括：在锌基液流电池中的负极电极与隔膜之间设置导电隔膜；在锌基液流电池充电过程中所述导电隔膜表面沉积金属锌。导电隔膜将锌基液流电池在充电过程中生成的金属锌与负极电极物理分隔可以抑制电池搁置过...
    2025-07-04
  • 一种碱性锌铁液流电池及其制备方法
    一种碱性锌铁液流电池及其制备方法_中国科学院大连化学物理研究所_202311737108.4
    本申请公开了一种碱性锌铁液流电池及其制备方法，属于液流电池技术领域。本申请提供的碱性锌铁液流电池，包括正极电解液、复合隔膜、负极电解液；所述正极电解液、负极电解液分别对称位于复合隔膜的两侧；所述复合隔膜包括磺化聚醚醚酮隔膜和聚苯并咪唑隔膜；...
    2025-07-04
  • 一种锌镍电池负极集流体及其应用
    一种锌镍电池负极集流体及其应用_中国科学院大连化学物理研究所_202311737059.4
    本申请公开了一种锌镍电池负极集流体及其应用，属于储能技术领域。本申请提供的一种锌镍电池负极集流体，包括电流汇集区和电流分布区；所述电流汇集区和电流分布区独立地为矩形；所述电流汇集区的一个短边与电流分布区的一个长边平齐；所述电流汇集区的一个长...
    2025-07-04
  • 一种磺化聚醚醚酮作为粘结剂在锌镍电池负极材料中的应用
    一种磺化聚醚醚酮作为粘结剂在锌镍电池负极材料中的应用_中国科学院大连化学物理研究所_202311737181.1
    本申请公开了一种磺化聚醚醚酮作为粘结剂在锌镍电池负极材料中的应用，所述锌镍电池负极材料包括负极原料粉体、粘结剂；所述负极原料粉体包括氧化锌、锌粉、碳纳米管和析氢抑制添加剂，所述粘结剂为磺化聚醚醚酮。该应用可使涂布于集流体上的负极浆料稳定性良...
    2025-07-04
  • 一种柔性氯化物正极材料的制备方法及其应用
    一种柔性氯化物正极材料的制备方法及其应用_中国科学院大连化学物理研究所_202311735045.9
    本申请公开了一种柔性氯化物正极材料的制备方法及其应用，所述制备方法包括：(1)在非活性气氛I条件下，将含有锂源、氯源的混合粉末进行机械球磨I，获得氯化物正极前驱体；(2)在非活性气氛II条件下，将步骤(1)获得的氯化物前驱体与导电添加剂混合...
    2025-07-04
  • 负极材料、负极极片、二次电池和装置
    负极材料、负极极片、二次电池和装置_蔚来电池科技(安徽)有限公司_202311738062.8
    本申请提供了一种负极材料、其制备、负极极片和二次电池，该负极材料包括负极材料基材，位于所述负极材料基材表面上的第一包覆层，以及位于所述第一包覆层表面上的第二包覆层，其中，所述第一包覆层中包括碳基材料；所述第二包覆层中包括金属氧化物，其中，所...
    2025-07-04
  • 一种墨水直写3D打印厚电极其制备方法和应用
    一种墨水直写3D打印厚电极其制备方法和应用_中国科学院大连化学物理研究所_202311736525.7
    本申请公开了一种墨水直写3D打印厚电极其制备方法和应用，所述制备方法包括：步骤S1，将含有固体电极活性材料、导电剂和粘接剂的混合物，干研磨，再加入分散剂继续研磨，经搅拌，制得膏状的3D打印电极浆料；步骤S2，设定3D打印机打印参数，以步骤S...
    2025-07-04
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311742152.4
    一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底；位于基底上的电互连层，电互连层包括若干信号金属线、以及排布于信号金属线外围的若干冗余金属线，且沿第一方向和第二方向，冗余金属线均为不等间距排布，第一方向与第二方向垂直。通过将若干冗余金属线沿第...
    2025-07-04
  • 混合键合结构及其制备方法
    混合键合结构及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202311735909.7
    本公开提供一种混合键合结构及其制备方法。混合键合结构包括在竖直方向上键合的第一半导体结构和第二半导体结构；第一半导体结构包括：第一基底；第一介质层，位于第一基底上；多个第一导电层，沿第一方向间隔设于第一介质层中；第一接合层，设于第一介质层中...
    2025-07-04
  • 包括平台部分的封装器件基板
    包括平台部分的封装器件基板_力特保险丝公司_202311741137.8
    公开了一种包括平台部分的封装器件基板。公开了一种用于减小封装器件的基板的曲率和应力的方法。在一些实施例中，器件可以包括衬底，该衬底包括与平台部分连接的基部部分，其中平台部分从基部部分的第一主侧延伸。该器件还可以包括耦合到衬底的直接‑铜键合(...
    2025-07-04
  • 一种围堰结构、半导体器件及其封装方法
    一种围堰结构、半导体器件及其封装方法_苏州能讯高能半导体有限公司_202311734017.5
    本发明公开了一种围堰结构、半导体器件及其封装方法，其中，半导体器件包括引线框架和至少一个元器件，围堰结构应用于半导体器件的封装，元器件和围堰结构位于引线框架的同一侧，围堰结构包括第一保护胶和多个辅助部件，多个辅助部件围绕元器件所在区域间隔设...
    2025-07-04
  • 引线键合结构及其制造方法
    引线键合结构及其制造方法_瑞昱半导体股份有限公司_202311724832.3
    提供一种引线键合结构及其制造方法。引线键合结构适用于芯片封装装置且包括引线键合垫层、金属层及缓冲层。金属层接触且位于引线键合垫层的下方。缓冲层接触且位于金属层的下方。缓冲层具有彼此间隔开的多个贯穿孔，所述多个贯穿孔从上到下贯穿缓冲层而在剖视...
    2025-07-04
  • 一种芯片的散热系统
    一种芯片的散热系统_沐曦科技(北京)有限公司_202311726096.5
    本发明涉及芯片封装散热技术领域，特别是涉及一种芯片的散热系统，其包括温差电薄膜层、微尺度散热器层和微量泵，温差电薄膜层包括热端、冷端和发电层，热端连接芯片的表面，冷端连接微尺度散热器的散热基板，发电层用于根据热端和冷端之间的温差形成电动势，...
    2025-07-04
  • 一种3D封装散热系统
    一种3D封装散热系统_沐曦科技(北京)有限公司_202311726094.6
    本发明涉及芯片封装散热技术领域，特别是涉及一种3D封装散热系统，其包括多个芯片散热层，每个芯片散热层包括芯片层和散热器层，散热器层包括温差电薄膜层、微尺度散热器层和微量泵层，微尺度散热器层和微量泵层之间连通；多个芯片散热层之间通过片间总线连...
    2025-07-04
  • 一种散热系统
    一种散热系统_沐曦科技(北京)有限公司_202311726089.5
    本发明涉及芯片封装散热技术领域，特别是涉及一种散热系统，系统包括温差电薄膜层和微尺度散热器层，温差电薄膜层包括热端、冷端和发电层，热端连接芯片的表面，冷端连接微尺度散热器的散热基板；发电层位于热端和冷端之间，用于根据热端和冷端之间的温差形成...
    2025-07-04
  • 铝-铜-氮化硼复合材料及含其的散热元件
    铝-铜-氮化硼复合材料及含其的散热元件_财团法人工业技术研究院_202311745788.4
    本揭露的铝‑铜‑氮化硼(Al‑Cu‑BN)复合材料包括Al‑Cu合金晶粒、Al2Cu析出物以及BN粒子，其中BN粒子位于Al‑Cu合金晶粒的边界。铜在Al‑Cu‑BN复合材料中的重量百分比为大于0wt％且小于或等于5w...
    2025-07-04
  • 一种在高深宽比状况下改善铜填孔的方法
    一种在高深宽比状况下改善铜填孔的方法_成都紫光半导体科技有限公司_202311742907.0
    本公开涉及一种在高深宽比状况下改善铜填孔的方法，该方法通过使待镀铜半导体元件经一次镀铜处理后，进行化学机械研磨，得到待填孔半导体元件，能够将镀铜层中产生的缺陷和铜空洞暴露在外；然后对待填孔半导体元件进行二次镀铜处理，能够使暴露在外的缺陷和铜...
    2025-07-04
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