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最新专利技术
  • 电阻变化材料、开关元件用材料、开关层、开关元件和存储装置
    电阻变化材料、开关元件用材料、开关层、开关元件和存储装置_国立大学法人东北大学_202480012998.9
    本发明提供一种能够获得优异的OTS特性的电阻变化材料、开关元件用材料、开关层、开关元件和存储装置。电阻变化材料是含有Te的电阻变化材料，在将施加了阈值电压的1/2的电压时的电流密度设为OFF电流密度时，OFF电流密度为3.1×10...
    2025-10-28
  • 电阻变化材料、开关元件用材料、开关层、开关元件和存储装置
    电阻变化材料、开关元件用材料、开关层、开关元件和存储装置_国立大学法人东北大学_202480013021.9
    本发明提供一种能够获得稳定的开关作用的电阻变化材料、开关元件用材料、开关层、开关元件和存储装置。本发明的电阻变化材料，以原子％计含有40％～90％的Te、大于0％且小于等于40％的Ge、大于0％且小于等于40％的Ga，其中，在利用X射线光电...
    2025-10-28
  • 光检测装置和电子设备
    光检测装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480012562.X
    [技术问题]为了实现更高的分辨率和提高拍摄图像的图像质量。[技术方案]一种光检测装置包括：其上布置有多个像素的第一基板；其上布置有多个第一像素电路和多个第二像素电路的第二基板；和其上布置有逻辑电路的第三基板，其中第一基板、第二基板和第三基板...
    2025-10-28
  • 作为薄CAR的底层以改良图案转移的EUV敏感金属氧化物材料
    作为薄CAR的底层以改良图案转移的EUV敏感金属氧化物材料_应用材料公司_202480016308.7
    本文所公开的实施方式包括一种图案化基板的方法。在实施方式中，所述方法包括在基板之上沉积金属氧代层，并在所述金属氧代层之上涂覆化学放大抗蚀剂(CAR)。在实施方式中，所述方法进一步包括曝光所述CAR，并显影所述CAR以在所述CAR中形成图案。...
    2025-10-28
  • FGFR2和FGFR3的抑制剂及其用途
    FGFR2和FGFR3的抑制剂及其用途_英矽智能科技知识产权有限公司_202480015716.0
    本文描述了FGFR2和FGFR3抑制剂以及包含所述抑制剂的药物组合物。所述化合物和组合物可用于治疗与FGFR2和/或FGFR3相关的疾病或障碍。
    2025-10-28
  • 能够离网操作的EV充电电站、用于EV充电电站的控制系统以及管理EV充电电站的电源的方法
    能够离网操作的EV充电电站、用于EV充电电站的控制系统以及管理EV充电电站的电源的方法_金赛尔有限公司_202480003629.3
    一种EV充电电站包括一或多个充电器，以及作为电源的一或多个氢动力燃料电池及一或多个蓄电池以及任选地与电网、光伏设备或风力设备中的一或多者的连接。所述站进一步包括经配置以控制及管理所述电源的控制系统。所述控制系统考虑到以下各项中的一或多者：电...
    2025-10-28
  • 包括加热器的气溶胶生成装置
    包括加热器的气溶胶生成装置_韩国烟草人参公社_202480016096.2
    气溶胶生成装置可以包括：腔体，其配置为容纳气溶胶生成制品；以及加热器，其配置为加热所述气溶胶生成制品，其中，所述加热器包括：等离子放电空间；隔板，其配置为分隔所述腔体和所述等离子放电空间；以及多个等离子电极，其设置在所述隔板上。
    2025-10-28
  • 半导体结构的制造方法、半导体结构以及存储器系统
    半导体结构的制造方法、半导体结构以及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410318720.6
    本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法、半导体结构以及存储器系统。该半导体结构的制造方法包括：形成第一介电层和贯穿第一介电层的牺牲结构；在第一介电层的一侧形成牺牲层；形成贯穿牺牲层和第一介电层的电容孔；在电容孔中形成导电柱；以及去除牺牲...
    2025-10-28
  • 显示面板、显示面板的制备方法及电子设备
    显示面板、显示面板的制备方法及电子设备_合肥维信诺科技有限公司_202410337322.9
    本申请实施例提供的一种显示面板、显示面板的制备方法及电子设备，涉及显示技术领域，该显示面板包括显示区和堤坝区，显示面板包括衬底、至少一个导电层、绝缘层和触控层。至少一个导电层位于衬底的一侧，导电层包括信号走线；绝缘层位于至少一个导电层远离的...
    2025-10-28
  • 一种叠层有机电致发光器件及显示装置
    一种叠层有机电致发光器件及显示装置_合肥鼎材科技有限公司_202410314980.6
    本发明提供一种叠层有机电致发光器件及显示装置，所述叠层有机电致发光器件包括m个发光单元，m为≥2的整数；每个发光单元包括发光层和电子传输层，每个电子传输层包括第一电子传输材料；至少一个第i个发光单元中的第一电子传输材料的电子迁移率≥1.0×...
    2025-10-28
  • 一种通孔刻蚀方法及CMOS图像传感器
    一种通孔刻蚀方法及CMOS图像传感器_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410316116.X
    本申请公开了一种通孔刻蚀方法及CMOS图像传感器，属于半导体制造领域，该方法包括：提供一个待刻蚀的衬底；衬底表面预先沿厚度方向依次设置上层金属层、阻挡层、层间介质层、上电极层和光刻胶层；上电极层设置在预设的像素区域；曝光显影光刻胶层，在非像...
    2025-10-28
  • CMOS结构及其形成方法
    CMOS结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410317327.5
    一种CMOS结构及其形成方法，其中CMOS结构包括：衬底；位于所述衬底上的栅极结构，所述栅极结构沿第一方向延伸，所述栅极结构包括相邻的第一栅极和第二栅极以及位于第一栅极和第二栅极之间的防扩散结构，所述第一栅极、第二栅极和所述防扩散结构沿第一...
    2025-10-28
  • 电子设备和供电方法
    电子设备和供电方法_OPPO广东移动通信有限公司_202410319379.6
    本申请实施例涉及一种电子设备和供电方法，电子设备包括通信平台、待配置模组、选通模组和控制器；通信平台用于发送第一配置信号，控制器用于发送第二配置信号；选通模组的两个输入端分别与通信平台、控制器对应连接，选通模组的输出端与待配置模组连接，选通...
    2025-10-28
  • 任务处理方法、终端及网络侧设备
    任务处理方法、终端及网络侧设备_维沃软件技术有限公司_202410315455.6
    本申请公开了一种任务处理方法、终端及网络侧设备，属于通信技术领域，本申请实施例的任务处理方法包括：终端向第一网元发送第一消息，所述第一消息用于请求修改目标任务或目标任务中的子任务；所述终端接收来自所述第一网元的第一响应，所述第一响应用于指示...
    2025-10-28
  • 车辆定位方法和装置、电子设备、计算机可读介质
    车辆定位方法和装置、电子设备、计算机可读介质_北京京东乾石科技有限公司_202410317131.6
    本公开提供了一种车辆定位方法和装置。该方法的一具体实施方式包括：获取目标车辆的定位信息和网点格子划分信息，网点格子划分信息用于表征为地理区域中划分的多个格子与各个格子与网点围栏之间的对应关系；基于网点格子划分信息和定位信息，确定目标车辆所在...
    2025-10-28
  • 视频处理方法、装置及计算机设备、存储介质、程序产品
    视频处理方法、装置及计算机设备、存储介质、程序产品_腾讯科技(深圳)有限公司_202410320693.6
    本申请实施例提供一种视频处理方法、装置及计算机设备、存储介质、程序产品。该视频处理方法包括：解析视频码流中当前块的编码模式指示信息；解析视频码流中当前块的预测模式指示信息，预测模式指示信息包括当前块的预测模式索引；若编码模式指示信息指示当前...
    2025-10-28
  • 电源电量管理方法、装置、监护设备及存储介质
    电源电量管理方法、装置、监护设备及存储介质_深圳市理邦精密仪器股份有限公司_202410313862.3
    本发明涉及电源设备技术领域，公开了一种电源电量管理方法、装置、监护设备及存储介质，方法包括：获取电源设备的电源在当前采集周期的多个电压值；对当前采集周期的多个电压值进行处理，得到当前比对电压，当前比对电压用于表征当前采集周期下电源的电压情况...
    2025-10-28
  • 二次电池负极无机粘结剂、包含其的二次电池负极极片及制备方法
    二次电池负极无机粘结剂、包含其的二次电池负极极片及制备方法_杭州建德盛开新材料有限公司_202410319664.8
    本公开涉及二次电池负极无机粘结剂、包含其的二次电池负极极片及制备方法，提供了一种二次电池负极无机粘结剂，所述无机粘结剂包含属于元素周期表第1主族和/或第2主族的金属和/或其合金，用于粘结负极材料和/或导电剂。还提供了包含该无机粘结剂的二次电...
    2025-10-28
  • 二次电池用负极增强膜、二次电池和用电装置
    二次电池用负极增强膜、二次电池和用电装置_杭州建德盛开新材料有限公司_202410316082.4
    本发明涉及一种二次电池用负极增强膜，所述负极增强膜包括与负极基底层接触的至少一层结构层，且所述结构层至少部分嵌入所述负极基底层中。本发明中，所述结构层在负极基底层的表面形成凸凹结构，能够有效增大负极极片的比表面积，提升电极充放电能力及对副反...
    2025-10-28
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410316069.9
    本申请公开了一种半导体结构，其包括键合在一起的第一半导体结构层和第二半导体结构层；所述第一半导体结构层包括第一衬底，所述第二半导体结构层包括第二衬底，其中，第二衬底的第四互连结构与第一衬底的第二互连结构对准并形成直接的电连接。一方面，提出的...
    2025-10-28
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