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  • 本申请公开了一种碱性锌铁液流电池及其制备方法,属于液流电池技术领域。本申请提供的碱性锌铁液流电池,包括正极电解液、复合隔膜、负极电解液;所述正极电解液、负极电解液分别对称位于复合隔膜的两侧;所述复合隔膜包括磺化聚醚醚酮隔膜和聚苯并咪唑隔膜;...
  • 本申请公开了一种锌镍电池负极集流体及其应用,属于储能技术领域。本申请提供的一种锌镍电池负极集流体,包括电流汇集区和电流分布区;所述电流汇集区和电流分布区独立地为矩形;所述电流汇集区的一个短边与电流分布区的一个长边平齐;所述电流汇集区的一个长...
  • 本申请公开了一种磺化聚醚醚酮作为粘结剂在锌镍电池负极材料中的应用,所述锌镍电池负极材料包括负极原料粉体、粘结剂;所述负极原料粉体包括氧化锌、锌粉、碳纳米管和析氢抑制添加剂,所述粘结剂为磺化聚醚醚酮。该应用可使涂布于集流体上的负极浆料稳定性良...
  • 本申请公开了一种柔性氯化物正极材料的制备方法及其应用,所述制备方法包括:(1)在非活性气氛I条件下,将含有锂源、氯源的混合粉末进行机械球磨I,获得氯化物正极前驱体;(2)在非活性气氛II条件下,将步骤(1)获得的氯化物前驱体与导电添加剂混合...
  • 本申请提供了一种负极材料、其制备、负极极片和二次电池,该负极材料包括负极材料基材,位于所述负极材料基材表面上的第一包覆层,以及位于所述第一包覆层表面上的第二包覆层,其中,所述第一包覆层中包括碳基材料;所述第二包覆层中包括金属氧化物,其中,所...
  • 本申请公开了一种墨水直写3D打印厚电极其制备方法和应用,所述制备方法包括:步骤S1,将含有固体电极活性材料、导电剂和粘接剂的混合物,干研磨,再加入分散剂继续研磨,经搅拌,制得膏状的3D打印电极浆料;步骤S2,设定3D打印机打印参数,以步骤S...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中结构包括:基底;位于基底上的电互连层,电互连层包括若干信号金属线、以及排布于信号金属线外围的若干冗余金属线,且沿第一方向和第二方向,冗余金属线均为不等间距排布,第一方向与第二方向垂直。通过将若干冗余金属线沿第...
  • 本公开提供一种混合键合结构及其制备方法。混合键合结构包括在竖直方向上键合的第一半导体结构和第二半导体结构;第一半导体结构包括:第一基底;第一介质层,位于第一基底上;多个第一导电层,沿第一方向间隔设于第一介质层中;第一接合层,设于第一介质层中...
  • 公开了一种包括平台部分的封装器件基板。公开了一种用于减小封装器件的基板的曲率和应力的方法。在一些实施例中,器件可以包括衬底,该衬底包括与平台部分连接的基部部分,其中平台部分从基部部分的第一主侧延伸。该器件还可以包括耦合到衬底的直接‑铜键合(...
  • 本发明公开了一种围堰结构、半导体器件及其封装方法,其中,半导体器件包括引线框架和至少一个元器件,围堰结构应用于半导体器件的封装,元器件和围堰结构位于引线框架的同一侧,围堰结构包括第一保护胶和多个辅助部件,多个辅助部件围绕元器件所在区域间隔设...
  • 提供一种引线键合结构及其制造方法。引线键合结构适用于芯片封装装置且包括引线键合垫层、金属层及缓冲层。金属层接触且位于引线键合垫层的下方。缓冲层接触且位于金属层的下方。缓冲层具有彼此间隔开的多个贯穿孔,所述多个贯穿孔从上到下贯穿缓冲层而在剖视...
  • 本发明涉及芯片封装散热技术领域,特别是涉及一种芯片的散热系统,其包括温差电薄膜层、微尺度散热器层和微量泵,温差电薄膜层包括热端、冷端和发电层,热端连接芯片的表面,冷端连接微尺度散热器的散热基板,发电层用于根据热端和冷端之间的温差形成电动势,...
  • 本发明涉及芯片封装散热技术领域,特别是涉及一种3D封装散热系统,其包括多个芯片散热层,每个芯片散热层包括芯片层和散热器层,散热器层包括温差电薄膜层、微尺度散热器层和微量泵层,微尺度散热器层和微量泵层之间连通;多个芯片散热层之间通过片间总线连...
  • 本发明涉及芯片封装散热技术领域,特别是涉及一种散热系统,系统包括温差电薄膜层和微尺度散热器层,温差电薄膜层包括热端、冷端和发电层,热端连接芯片的表面,冷端连接微尺度散热器的散热基板;发电层位于热端和冷端之间,用于根据热端和冷端之间的温差形成...
  • 本揭露的铝‑铜‑氮化硼(Al‑Cu‑BN)复合材料包括Al‑Cu合金晶粒、Al2Cu析出物以及BN粒子,其中BN粒子位于Al‑Cu合金晶粒的边界。铜在Al‑Cu‑BN复合材料中的重量百分比为大于0wt%且小于或等于5w...
  • 本公开涉及一种在高深宽比状况下改善铜填孔的方法,该方法通过使待镀铜半导体元件经一次镀铜处理后,进行化学机械研磨,得到待填孔半导体元件,能够将镀铜层中产生的缺陷和铜空洞暴露在外;然后对待填孔半导体元件进行二次镀铜处理,能够使暴露在外的缺陷和铜...
  • 本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述方法包括:提供衬底,所述衬底中设有沿第一方向延伸的多个有源区;在所述衬底上形成沿第二方向延伸的多个图案化的掩膜层;利用所述图案化的掩膜层刻蚀所述有源区,以形成沿所述第一方向和所述第二方向呈阵列...
  • 本申请提供一种基板的处理方法,所述方法包括:在第一基板的第一表面形成下凹的台阶部;在所述台阶部内设置键合材料,所述键合材料的上表面与所述第一基板的所述第一表面的高度一致;将第二基板的第二表面与所述第一基板的所述第一表面贴合,并通过所述键合材...
  • 本发明提供一种互锁电路和一种半导体工艺设备,互锁电路包括第一控制开关和第二控制开关,其中第一控制开关用于在静电卡盘的静电吸附电压小于预设电压阈值时,断开工控机输出的泄压阀控制信号,并将工控机输出的进气阀控制信号连通至第二控制开关的控制端;第...
  • 本发明涉及半导体领域,公开一种晶圆储料系统,包括:储料器和分片机;储料器包括连通内部空间的第一接入口和第二接入口,且第一接入口和第二接入口位于储料器的不同侧面;分片机经第一接入口部分嵌入储料器,且分片机悬置于储料器的侧面。本发明提供的晶圆储...
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