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信息存储应用技术
  • 存储器阵列
    存储器阵列_联华电子股份有限公司_202110198021.9
    本发明公开一种存储器阵列，包含至少一带区域，包含多个源极线带和多个字线带；至少两个子阵列，包含多个交错的主动磁存储元件，其中，所述至少两个子阵列被所述带区域分开；以及多个交错的虚设磁存储元件，设置在所述带区域内。
    2025-09-25
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202411762488.1
    一种集成电路装置，包括：单元区域，其中设置有多个存储器存储体，每个存储器存储体包括其中具有多个存储器单元的相应存储器单元阵列；连接到存储器单元阵列的行解码器；以及读出放大器电路。提供外围电路区域，其包括控制多个存储器存储体的逻辑电路。逻辑电...
    2025-09-25
  • 存储器
    存储器_长鑫存储技术有限公司_202510937734.0
    本公开实施例提供一种存储器，包括多个存储模块、列选择电路，每个存储模块包括存储器阵列和放大器阵列，存储器阵列包括多个存储单元、多根字线、多根位线，每一根字线与相应行的存储单元连接，每一根位线与相应列的存储单元连接；存储模块还包括多个放大单元...
    2025-09-25
  • 一种抗侧信号攻击存储单元
    一种抗侧信号攻击存储单元_安徽大学_202211010294.7
    本申请公开一种抗侧信号攻击存储单元，该抗侧信号攻击存储单元包括写操作电路，具有一对互补存储节点；行为模仿电路，与所述写操作电路结构一致，所述行为模仿电路具有一对互补伪存储节点；读操作电路，与所述写操作电路连接；其中，所述行为模仿电路用于在所...
    2025-09-25
  • 一种减法存内计算装置
    一种减法存内计算装置_中科南京智能技术研究院_202210889509.0
    本发明涉及一种减法存内计算装置。该装置中每个SRAM存储单元分别与字线驱动模块、位线BL以及位线BLB连接；开关SW1的一端与位线BL连接；开关SW1的另一端分别与电容C1的一端以及ADC模块连接；电容C1的另一端与开关SW4的一端以及电容...
    2025-09-25
  • 一种内存刷新计数的方法、装置以及内存控制器
    一种内存刷新计数的方法、装置以及内存控制器_海光信息技术股份有限公司_202111539586.5
    本申请实施例提供一种内存刷新计数的方法、装置以及内存控制器，该内存刷新计数的方法，应用于内存控制器中，所述方法包括：获取影响自刷新计数值的目标命令；根据所述目标命令的类型确认调整与所述命令对应的逻辑块的刷新计数值，其中，所述刷新计数值采用随...
    2025-09-25
  • 用于非易失性两端存储器的预充电电路以及预充电方法
    用于非易失性两端存储器的预充电电路以及预充电方法_昕原半导体(上海)有限公司_202510573214.6
    本申请公开了一种用于非易失性两端存储器的预充电电路以及预充电方法。其中，非易失性两端存储器包括M*N个非易失性两端存储部组成的存储阵列，M和N均为大于或等于1的整数；存储阵列中，每列的非易失性两端存储部连接至同一位线；预充电电路包括：预充电...
    2025-09-25
  • 一种2T0C动态随机存储器阵列实现存内加速点云的平方欧式距离计算方法
    一种2T0C动态随机存储器阵列实现存内加速点云的平方欧式距离计算方法_北京大学_202510729370.7
    本发明公开一种2T0C动态随机存储器阵列实现存内加速点云的平方欧式距离计算方法，属于新型存内计算技术和三维点云识别领域。本发明基于2T0C DRAM阵列构成点云存储阵列，在2T0C DRAM阵列存储输入点云数据的同时，得到三维空间中向量M与...
    2025-09-25
  • 用于闪存存储器系统的低功率操作
    用于闪存存储器系统的低功率操作_硅存储技术公司_202510774117.3
    本发明涉及一种用于闪存存储器系统中的低功率操作的电路和方法。在选择解码电路路径的所公开实施方案中，在省电或关闭模式期间使用上拉电路和下拉电路在某些输出节点处保存值，从而允许主电源关闭，同时仍然保持所述值。
    2025-09-25
  • 半导体器件以及驱动半导体器件的方法
    半导体器件以及驱动半导体器件的方法_瑞萨电子株式会社_202010201893.1
    本公开的实施例涉及半导体器件以及驱动半导体器件的方法，其目的是为具有大寄生电阻或大负载容量的布线提供能够提高在远离驱动器的位置处的布线的电压的升高或降低速度的技术。半导体器件包括：第一布线，具有第一部、第二部、在第一部和第二部之间提供的第三...
    2025-09-25
  • 参考电压确定方法、装置、计算机设备和存储介质
    参考电压确定方法、装置、计算机设备和存储介质_芯来智融半导体科技(上海)有限公司_202210416167.0
    本申请实施例提供了一种参考电压确定方法、装置、计算机设备和存储介质，涉及存储器技术领域。该参考电压确定方法应用于随机存储器，根据各初始参考电压对随机存储器进行数据写入训练，得到各初始参考电压对应的各数据写入延时窗口；确定多个数据写入延时窗口...
    2025-09-25
  • 非一致磁化的存储单元
    非一致磁化的存储单元_浙江驰拓科技有限公司_202011391011.9
    本发明提供了一种非一致磁化的存储单元。该存储单元包括自旋霍尔效应层以及位于自旋霍尔效应层的同一侧表面的两个并列的磁性隧道结，各磁性隧道结包括：沿远离自旋霍尔效应层的方向顺序层叠的自由层、势垒层和参考层，两个参考层具有固定的磁化方向，两个磁性...
    2025-09-25
  • 电子设备、非易失存储器、存储单元及控制方法
    电子设备、非易失存储器、存储单元及控制方法_中国科学院微电子研究所_202211430293.8
    本发明公开了一种电子设备、非易失存储器、存储单元及控制方法，其中的存储单元包括非易失性存储器、第一反相器、第二反相器、第一开关元件和第二开关元件；第一反相器包括第一存储节点，第二反相器包括第二存储节点；第一开关元件连接在第一存储节点和位线之...
    2025-09-25
  • 用于铁电存储器的可集成多元实时温度补偿系统及方法
    用于铁电存储器的可集成多元实时温度补偿系统及方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202510774170.3
    本申请涉及铁电存储器技术领域，特别涉及一种用于铁电存储器的可集成多元实时温度补偿系统及方法，包括：内置温度检测模块检测铁电存储阵列中每个子阵列的温度信息和每个子阵列之间的相对位置，并确定铁电存储阵列中各子阵列的最高温度；动态调频补偿模块可以...
    2025-09-25
  • 存储装置、电子设备和控制存储装置的方法
    存储装置、电子设备和控制存储装置的方法_索尼半导体解决方案公司_202480011904.6
    根据本公开的实施方式的存储装置包括：磁阻元件，其电阻值是可变的；选择元件，连接到所述磁阻元件；以及写入电路，包括电阻值可变的负载电阻电路，其中，所述写入电路经由所述负载电阻电路向所述磁阻元件施加电压。
    2025-09-25
  • 存储器及其操作方法、存储器系统、计算机系统
    存储器及其操作方法、存储器系统、计算机系统_长江存储科技有限责任公司_202410287997.7
    本公开实施例提供一种存储器及其操作方法、存储器系统、计算机系统。该存储器包括存储单元阵列，存储单元阵列包括M个存储体组，存储体组包括N个存储体；外围电路，耦接存储单元阵列；外围电路被配置为：响应于第一访问模式信号对内部时钟信号进行调节，并输...
    2025-09-25
  • 一种Cr-MOF/聚苯胺复合凝胶及其制备方法和应用
    一种Cr-MOF/聚苯胺复合凝胶及其制备方法和应用_盐城师范学院_202510944104.6
    本发明属于超级电容器电极材料技术领域，具体涉及一种Cr‑MOF/聚苯胺复合凝胶及其制备方法和应用。所述Cr‑MOF/聚苯胺复合凝胶的制备方法如下：在第一溶剂体系下，将铬源和有机配体置于80℃～160℃下反应，形成连续的三维网络结构，陈化后，...
    2025-09-25
  • 存储器装置及其操作方法、存储器系统
    存储器装置及其操作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410302444.4
    本公开提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统，所述存储器装置包括至少一个存储块；所述存储器装置的操作方法包括：对与所述存储块中的第一字线耦接的存储单元执行第一编程操作；对与所述第一字线耦接的存储单元执行软擦除操作；对所述存储块中的存储...
    2025-09-25
  • 用以感测存储器单元的两种状态的感测电路
    用以感测存储器单元的两种状态的感测电路_美光科技公司_202111614588.6
    本申请涉及用于感测存储器单元的两种状态的感测电路。一种装置包含存储器阵列和与所述存储器阵列耦合的感测电路。所述感测电路包含与所述存储器阵列的数据线耦合的感测节点。第一感测路径包含具有与所述感测节点耦合的第一栅极的第一晶体管。第二感测路径包含...
    2025-09-25
  • 一种碳基水系锌离子超级电容器及其制备方法
    一种碳基水系锌离子超级电容器及其制备方法_上海工程技术大学_202511101295.6
    本发明公开了一种碳基水系锌离子超级电容器及其制备方法，属于锌离子超级电容器技术领域。该电容器包括正极、负极、多元电解液和多空隔膜；正极为活性炭复合材料；负极为辊压处理的锌箔；多元电解液为由三氟甲烷磺酸锌、硫酸锌、氯化锌、高氯酸锌和电解液添加...
    2025-09-25
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