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信息存储应用技术
  • 本发明涉及DRAM电路设计技术领域,具体涉及基于电容补偿位线失调电压的DRAM灵敏放大器、放大电路、芯片。本发明公开了一种基于电容补偿位线失调电压的DRAM灵敏放大器,包括:信号放大部、预充电路部。其中,信号放大部包括:9个NMOS管N1~...
  • 本公开涉及半导体装置及该半导体装置的操作方法。一种半导体装置可以包括:连接在位线和字线之间的存储单元;以及单元阈值电压感测电路,其被配置为每当脉冲被激活时向存储单元提供第一电压。单元阈值电压感测电路可以在每当脉冲被激活时生成与流过存储单元的...
  • 本申请提供一种低功耗写辅助电路及静态随机存取存储器,低功耗写辅助电路包括:写驱动电路、写辅助模块和存储器单元。写辅助模块则负责在写周期内,将写0的信号耦合至负压水平,同时确保写1的信号保持不被影响,这样处理后的位线电压差增大,增强了存储器单...
  • 本公开涉及存储装置及其操作方法。一种存储装置可以包括:存储单元阵列,其中堆叠有多个单元层;控制电路,配置为对多个单元层中的目标单元层执行读取或写入操作;电流检测电路,配置为测量流过多个单元层中的至少一个单元层的潜行电流,至少一个单元层与目标...
  • 本发明公开了用于将正确的电荷量精确快速地沉积在人工神经网络中的矢量‑矩阵乘法(VMM)阵列内的非易失性存储器单元的浮栅上的精确编程算法和装置的多个实施方案。因此,可极精确地对所选单元进行编程,以保持N个不同值中的一个值。
  • 本申请案针对用于存储器装置的行锤击保护。存储器装置可识别用于存储器阵列的相关行存取的阈值(例如,对同一行地址或行地址空间的存取命令或激活)。在第一操作模式中,所述存储器装置可在所述存储器阵列上执行从主机装置接收的命令。所述存储器装置可确定所...
  • 本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统,涉及半导体技术领域,用于缓解半导体结构的信号延迟现象。半导体结构包括:半导体层、至少两个晶体管、第一隔离部和保护层。至少两个晶体管沿第一方向间隔排列;所述晶体管包括栅极,所述栅极...
  • 本发明公开了一种基于自旋转移矩磁性随机存储器的无参考单端读电路,该电路包括位线分压产生电路、电压‑电流感知电路、以及电流‑电压锁存电路。存储单元由一个磁隧道结和一个访存晶体管构成,该电路在读取时不需要参考单元,在锁存电路预存数据,根据磁隧道...
  • 本发明属于存储器技术领域,公开了一种匹配STT‑MRAM不对称读取和写入电流的电路结构及方法,包括串联在过渡线TL和STT‑MRAM的源线SL之间的电流匹配电路,包括:N个连接的晶体管,N≥2;在一个或多个晶体管的栅极连接有三个控制信号:写...
  • 本申请涉及超级电容器技术领域,提出一种水泥基超级电容器、制备方法及应用。水泥基超级电容器包括:水泥基电解质,以及设置在水泥基电解质两侧的两个结构电极;水泥基电解质由水泥、碱、碱金属盐、水和添加剂制得,碱金属盐包括锂盐;每个结构电极由负载有掺...
  • 本公开的实施例涉及一种存储器系统、存储器控制器以及操作该存储器系统的方法。根据本公开的实施例,存储器系统可以在从电源管理内核向闪存接口层内核传输突然断电(SPO)信号时,在将待输入到存储器装置的命令排队的多个命令队列中搜索在进入断电状态之前...
  • 检测数据存储设备从存储系统中移除涉及首先确定存储设备的电连接器的较短引脚与配合电连接器断开连接,诸如通过感测该引脚上的电压降,然后在稍后的时间确定该连接器的较长引脚与该配合连接器断开连接。响应于确定该较长引脚在该较短引脚之后的预定时间段之后...
  • 本实用新型提供了一种主体结构检测的装置,包括有主框架,主框架上方设置有多组支撑柱,多组支撑柱穿设在主框架上,主框架内设置有下挡板,多组支撑柱与下挡板固定连接;主框架内设置有伸缩组件,主框架与下挡板开设有通孔,伸缩组件穿设在通孔内并与主框架与...
  • 本申请涉及内部电压发生电路和包括其的半导体存储器设备。一种内部电压发生电路可包括:电压比较电路,其被配置为通过将基准电压与反馈给其的内部电压进行比较来生成控制电压;电压驱动电路,其被配置为基于控制电压来生成内部电压;以及可驱动性控制电路,其...
  • 本实用新型涉及存储设备领域,尤其涉及一种可组合拼接的分布式存储设备。技术方案:箱体的内部设置有用于进行高度调节的调节组件;调节组件包括固定滑轨;固定滑轨上滑动连接有移动框架;移动框架的内部设置有凹槽板;凹槽板的内部设置有弹簧阻尼器;弹簧阻尼...
  • 本实用新型提供一种便于检修的耐磨型溜煤管,包括:至少一组输送单元,所述输送单元包括竖向管道、倾斜管道,倾斜管道顶端与竖向管道底端连通,相邻的两组输送单元的竖向管道顶端与倾斜管道底端连通,倾斜管道内朝上一侧内壁为受煤面,受煤面内设置有检修口,...
  • 本发明公开一种记忆芯片防误写控制方法、装置及用电设备。其中,该方法包括:判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求;当有写需求时,将写需求对应的记忆芯片页码进行记录;延时第一预设时间后,再次判断主控芯片是否对记忆芯片有新的写需求;当有新的写需求时,...
  • 本申请公开了一种孔壁轮廓检测仪用于检测工件的孔壁轮廓,包括转台、运动控制模块、数据采集模块;所述转台用于安装工件;所述数据采集模块包括传感器,所述传感器固定于运动控制模块,以能沿工件内孔轮廓线运动,并通过转台带动工件旋转,来检测内孔轮廓。相...
  • 本文提供一种存储器装置和执行该存储器装置的验证操作的方法。该存储器装置包括:存储器单元阵列,包括存储器单元;源极线放电晶体管,被配置为将存储器单元阵列的源极线联接到地;电压生成器,被配置为生成施加至源极线放电晶体管的栅极的栅极电压;以及控制...
  • 本发明提供一种存储装置、存储装置的操作方法以及计算系统。当在从主机装置接收到命令的存储装置中发生不可恢复的错误时,存储装置向主机装置发送请求发送硬件复位信号的提示,并且存储装置通过从主机装置接收与提示相对应的硬件复位信号来执行复位操作。利用...
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