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信息存储应用技术
  • 锤击预防电路及具有其的存储器
    锤击预防电路及具有其的存储器_合肥芯存半导体有限公司_202510416098.7
    本申请提供一种锤击预防电路及具有其的存储器，其中，锤击预防电路包括：使能模块被配置为接收第一锁存控制信号和第二锁存控制信号，并基于第一锁存控制信号和第二锁存控制信号产生锁存使能信号；锁存模块基于锁存使能信号处于有效激活状态时，锁存对应的输入...
    2025-09-06
  • 一种静态随机存储器
    一种静态随机存储器_昀光科技(杭州)有限公司_202510692815.9
    本发明公开了一种静态随机存储器，静态随机存储器包括：Q个存储阵列，存储阵列包括M行存储单元；行译码电路，用于对输入的地址信号进行译码以获得片选信号和行选信号；逐行压控电路，用于选中片选信号所对应的第一存储阵列以及行选信号所对应的目标行存储单...
    2025-09-06
  • 存储器装置、数据存储装置及数据存储装置的操作方法
    存储器装置、数据存储装置及数据存储装置的操作方法_爱思开海力士有限公司_202411750841.4
    本发明可以提供一种存储器装置、数据存储装置及数据存储装置的操作方法，该存储器装置可以包括：多个存储器单元；以及操作控制器，被配置为控制字线控制器和位线控制器，使得执行向多个存储器单元施加与目标状态相对应的写入电压的正常写入操作，并基于正常写...
    2025-09-06
  • 一种锤击预防电路和存储装置
    一种锤击预防电路和存储装置_合肥芯存半导体有限公司_202510416076.0
    本申请提供一种锤击预防电路和存储装置，锤击预防电路用于调整存储器的锤击刷新操作，包括：判别模块接收锤击刷新命令和激活命令并计数，基于接收到的锤击刷新命令的次数确定当前锤击刷新的阶层，并基于当前锤击刷新的阶层从相邻两次锤击刷新操作之间所接收的...
    2025-09-06
  • 一种基于8T-SRAM单元的电路结构、芯片和模块
    一种基于8T-SRAM单元的电路结构、芯片和模块_安徽大学_202210564062.X
    本发明涉及一种基于8T‑SRAM单元的电路结构、芯片和模块。8T‑SRAM单元包括：NMOS晶体管N1～6；PMOS晶体管P1～2。P1、P2和N1、N2交叉耦合，对存储节点Q、QB的数据进行锁存，P1的源极与P2源极电连接到VDD，开启存...
    2025-09-06
  • 多比特运算模块以及使用了该模块的存内计算电路结构
    多比特运算模块以及使用了该模块的存内计算电路结构_安徽大学_202310026356.1
    本发明涉及静态随机存储器技术领域，更具体的，涉及多比特运算模块，以及使用了该模块的存内计算电路结构。本发明的多比特运算模块通过计算位线负载电容的放电累加完成了多比特乘累加运算，分比特权重和分离全局位线的设计具有良好的计算并行度和稳定性，具有...
    2025-09-06
  • 基于SRAM阵列的多位同或运算的电路结构及方法
    基于SRAM阵列的多位同或运算的电路结构及方法_安徽大学_202210625161.4
    本发明涉及基于SRAM阵列的多位同或运算的电路结构及方法。基于SRAM阵列的多位同或运算的电路结构包括N×N个SRAM存储单元，呈阵列分布，位于同一列的SRAM存储单元，所有的晶体管T5的源极与位线BL电连接，所有的晶体管T6的源极与位线B...
    2025-09-06
  • 记忆体装置
    记忆体装置_台湾积体电路制造股份有限公司_202422332903.1
    一种记忆体装置包括一基板，该基板具有一前侧及与该前侧相对的一背侧。一互连结构位于该基板上或上方，且具有第一金属层及第二金属层以及电连接该第一金属层与该第二金属层的一通孔。一字线驱动器电路用以输出一字线启用信号至一记忆体阵列的一字线。该字线驱...
    2025-09-06
  • 感测放大器的负反馈阈值补偿
    感测放大器的负反馈阈值补偿_美光科技公司_202510084324.6
    本申请案涉及感测放大器的负反馈阈值补偿。系统及方法涉及包含板线的存储器装置。所述存储器装置还包含一对铁电层，其实施一对存储器单元且耦合到所述板线的相对侧。所述存储器装置进一步包含一对数字线，其各自耦合到所述一对铁电层中的相应铁电层。所述存储...
    2025-09-06
  • 自检测电路及存储装置
    自检测电路及存储装置_兆易创新科技集团股份有限公司_202310832173.9
    本申请公开了一种自检测电路及存储装置，该存储装置包括存储电路、控制电路和自检测电路，自检测电路耦接于控制电路和存储电路之间，自检测电路包括内建自测试模块和内建自测试界面；其中，内建自测试模块通过内建自测试界面和第一定制总线连接至控制电路，内...
    2025-09-06
  • 使用内置自测控制器测试只读存储器
    使用内置自测控制器测试只读存储器_德州仪器公司_202510671854.0
    本申请涉及使用内置自测控制器测试只读存储器。一种系统包含易失性存储装置(106)、只读存储器ROM(104)、存储器内置自测BIST控制器(110)及中央处理单元CPU(102)。所述CPU(102)在发生复位事件后即刻执行来自所述ROM(...
    2025-09-06
  • 存储器装置、存储器系统以及采用存储器装置进行数据计算的方法
    存储器装置、存储器系统以及采用存储器装置进行数据计算的方法_长江存储科技有限责任公司_202380013161.1
    提供了一种存储器装置、存储器系统以及采用存储器装置进行数据计算的方法。提供了存储器装置，其包括存储器单元的阵列以及耦合到存储器单元的外围电路。外围电路包括：静态随机存取存储器(SRAM)，该静态随机存取存储器(SRAM)被配置为获得从存储器...
    2025-09-06
  • 一种编译方法、编译电路、模式寄存器和存储器
    一种编译方法、编译电路、模式寄存器和存储器_长鑫存储技术有限公司_202110777102.4
    本申请实施例提供了一种编译方法、编译电路、模式寄存器和存储器，该编译方法包括：接收待编译信号和工作频率信号；对待编译信号进行编译处理，得到编译结果信号；在待编译信号为预留码的情况下，基于工作频率信号对编译结果信号进行兼容选择处理，确定第一编...
    2025-09-06
  • 基于SRAM的浮点型存内计算电路及其芯片
    基于SRAM的浮点型存内计算电路及其芯片_安徽大学_202510651324.X
    本申请涉及一种基于SRAM的浮点型存内计算电路及其芯片，在浮点型存内计算电路中，输入尾数阵列每行包括若干输入存储单元和一个第一运算感知单元，若干输入存储单元用于存储一个输入浮点数的尾数部分，第一运算感知单元被配置为检测输入浮点数的尾数部分是...
    2025-09-06
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202411626293.4
    一种半导体存储器装置包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构和第二半导体结构彼此竖直地堆叠。第一半导体结构包括存储器单元阵列，存储器单元阵列包括多个存储器单元。第二半导体结构包括：被配置为基于多个驱动信号组对多个存储器单元执行数据...
    2025-09-06
  • 保护地址确定方法及电路、保护方法及电路、设备
    保护地址确定方法及电路、保护方法及电路、设备_长鑫存储技术有限公司_202110485223.1
    本公开是关于一种锤击保护地址确定电路、锤击保护地址确定方法、锤击保护电路、锤击保护方法及电子设备，涉及集成电路技术领域。该锤击保护地址确定电路包括：锤击监测模块，设置于阵列的外部，用于在监测到阵列的激活指令后，触发阵列的内部锤击保护使能信号...
    2025-09-06
  • 写入时钟偏置生成器和包括其的存储器装置
    写入时钟偏置生成器和包括其的存储器装置_三星电子株式会社_202411787527.3
    提供了写入时钟偏置生成器和包括其的存储器装置，所述写入时钟偏置生成器用于将写入时钟偏置提供给第一缓冲器。所述写入时钟偏置生成器包括：电压调节器，接收参考电压并输出反馈电压；电阻器串，连接在第一节点与第二节点之间，反馈电压从第一节点被输出；复...
    2025-09-06
  • 热辅助磁头、磁头折片组合和硬盘驱动器
    热辅助磁头、磁头折片组合和硬盘驱动器_新科实业有限公司_202410216890.3
    本发明公开了一种热辅助磁头，其包括滑块以及设于滑块的光源单元，通过提供中转焊盘，且滑块的第一光源焊盘与滑块的第二光源焊盘并排设置于同一直线上，中转焊盘不在该直线上，并使光源单元的第一极与第一光源焊盘电气连接，光源单元的第二极与第二光源焊盘分...
    2025-09-06
  • 保护地址确定电路及方法、保护电路及方法、设备
    保护地址确定电路及方法、保护电路及方法、设备_长鑫存储技术有限公司_202110484771.2
    本公开是关于一种锤击保护地址确定电路、锤击保护地址确定方法、锤击保护电路、锤击保护方法及电子设备，涉及集成电路技术领域。该锤击保护地址确定电路包括：第一锤击监测模块，设置于多个阵列的外部，用于在监测到锤击保护指令的情况下，触发外部锤击保护使...
    2025-09-06
  • I/O驱动器、电子设备
    I/O驱动器、电子设备_华为技术有限公司_202410236121.X
    本申请实施例提供一种I/O驱动器、电子设备，涉及半导体技术领域，用于提高I/O驱动器的性能。I/O驱动器包括上拉电路、下拉电路以及输入/输出端。上拉电路耦接于电源电压端和输入/输出端之间，用于根据第一控制信号生成上拉电压。下拉电路耦接于参考...
    2025-09-06
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