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信息存储应用技术
  • 执行刷新操作的半导体装置
    执行刷新操作的半导体装置_美光科技公司_202510053277.9
    本申请案涉及一种执行刷新操作的半导体装置。一种实例系统包含：存储器芯片，其具有多个外部端子；及控制器芯片，其耦合到所述存储器芯片的所述多个外部端子，且经配置以经由所述多个外部端子中的一些发出包含掉电进入命令及刷新命令的多个命令。所述存储器芯...
    2025-08-07
  • 存储器设备及其操作方法
    存储器设备及其操作方法_三星电子株式会社_201911105608.X
    公开了一种存储器设备的操作方法，包括：从外部设备顺序接收活动命令和预充电命令，在第一时间间隔期间，响应于活动命令来将第一激活电压施加到选定字线，从接收到第一活动命令的第一时间点开始经过第一时间间隔之后，将第二激活电压施加到选定字线，以及响应...
    2025-08-07
  • 存储器及存储器的操作方法
    存储器及存储器的操作方法_长鑫存储技术有限公司_202211123750.9
    本公开实施例公开了一种存储器及其操作方法。存储器包括：存储单元阵列；写驱动器，耦接存储单元阵列，被配置为根据接收的写操作命令，将待写入的数据信号发送至存储单元阵列；第一列解码器，通过第一列选择线耦接存储单元阵列的第一存储单元区，被配置为对存...
    2025-08-07
  • 脉冲产生器、错误检查与清除电路和存储器
    脉冲产生器、错误检查与清除电路和存储器_长鑫存储技术有限公司_202210901663.5
    本公开实施例提供了一种脉冲产生器、错误检查与清除电路和存储器，该脉冲产生器包括：延迟模块，配置为接收ECS命令信号，对ECS命令信号进行延迟处理，输出延迟命令信号；其中，ECS命令信号和延迟命令信号之间的延迟为第一预设值；锁存模块，配置为接...
    2025-08-07
  • 一种偏移校准方法及设备
    一种偏移校准方法及设备_华为技术有限公司_202410134616.1
    本申请提供一种偏移校准方法及设备，在方法中，通过检测出DDR控制器禁止访问SDRAM颗粒的至少一个时间段，然后在至少一个时间段内对整条数据传输链路上的数据传输延时执行偏移校准操作，这样无需单独占用系统带宽资源，能够提升带宽利用率，并且提升数...
    2025-08-07
  • 译码驱动电路及存储芯片
    译码驱动电路及存储芯片_长鑫存储技术有限公司_202110983327.5
    本申请涉及一种译码驱动电路及存储芯片，译码驱动电路包括电源控制模块、多个子驱动单元及若干个译码控制模块，电源控制模块用于根据控制信号生成不同电压幅值的电源电压信号；子驱动单元用于根据电源电压信号、第一译码输入信号和中间译码输出信号生成主字线...
    2025-08-07
  • 数据处理方法、设备以及计算机存储介质
    数据处理方法、设备以及计算机存储介质_浙江华忆芯科技有限公司_202510887763.0
    本申请提出一种数据处理方法、设备以及计算机存储介质。数据处理方法包括：获取基于第一闪存技术的目标闪存颗粒对应的阈值电压分布情况，其中，阈值电压分布情况用于表示目标闪存颗粒中不同数据状态对应的电压分布概率；基于阈值电压分布情况确定不同类型的存...
    2025-08-07
  • 存储芯片、控制方法和存储芯片系统
    存储芯片、控制方法和存储芯片系统_杭州微纳核芯电子科技有限公司_202510668259.1
    本申请涉及一种存储芯片、控制方法和存储芯片系统，包括，至少两个存储模块；以及至少两个分布式刷新控制电路，与至少两个存储模块一一对应相连接；其中，每一分布式刷新控制电路还被配置为用于接收同一主机/不同主机的刷新命令，并基于刷新命令控制对应的存...
    2025-08-07
  • 一种磁存储器及其性能调节方法
    一种磁存储器及其性能调节方法_浙江驰拓科技有限公司_202011465986.1
    本申请公开了一种磁存储器性能调节方法，包括接收性能调节指令；获取磁隧道结与CMOS电路串联时所述磁隧道结的平行态翻转电压和反平行态翻转电压；调节平行态翻转电压或者反平行态翻转电压，以调节所述磁隧道结的性能。可见，本申请中的磁存储器性能调节方...
    2025-08-07
  • 存储装置、电子设备及存储装置的控制方法
    存储装置、电子设备及存储装置的控制方法_索尼半导体解决方案公司_202380090657.9
    本公开的一方式涉及的存储装置具备：多个存储器单元，分别包括电阻值可变的磁阻元件；感测放大器，连接至所述多个存储器单元，并基于固有的参照电阻值检测所述磁阻元件的电阻状态；以及参照电阻电路，连接至所述感测放大器，并以能够变更的方式设定所述固有的...
    2025-08-07
  • 反熔丝阵列架构及存储器
    反熔丝阵列架构及存储器_长鑫存储技术有限公司_202210664729.3
    本公开实施例涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种反熔丝阵列架构及存储器，反熔丝阵列架构，包括：多个反熔丝存储阵列，其中，不同的反熔丝存储阵列基于不同的时钟信号驱动；第一控制模块，耦接多个反熔丝存储阵列，被配置为，基于初始时钟信号和多个选择信...
    2025-08-07
  • 一种铁电存储器电路及灵活控制铁电电容两端电压的方法
    一种铁电存储器电路及灵活控制铁电电容两端电压的方法_温州核芯智存科技有限公司_202510909245.4
    本发明公开了一种铁电存储器电路及灵活控制铁电电容两端电压的方法，包括若干板线、字线和位线，连接于板线的自升压控制电路，自升压控制电路用于在写“1”操作时，通过使至少一个未被选中的板线充电至高电平，以利用至少一个被选中字线打开导电沟道但相应板...
    2025-08-07
  • 包括热稳定材料层的用于热辅助磁记录的近场换能器
    包括热稳定材料层的用于热辅助磁记录的近场换能器_西部数据技术公司_202480005646.0
    本公开整体涉及用于磁介质驱动器的磁记录头。该磁记录头包括：主极；波导，该波导邻近该主极设置；近场换能器(NFT)，该NFT在面向介质的表面(MFS)处耦接在该主极与该波导之间；热分流器，该热分流器设置在该NFT上，该热分流器相对于该MFS凹...
    2025-08-07
  • 一种氮氧共掺杂改性生物炭的制备方法及生物质炭
    一种氮氧共掺杂改性生物炭的制备方法及生物质炭_合肥工业大学_202510480812.9
    本发明公开了一种氮氧共掺杂改性生物炭的制备方法及生物质炭，其中，该方法包括以下步骤将粉碎后的生物质加入到碳酸盐溶液内混合均匀、干燥后，研磨至粉末状，并在惰性气体氛围下进行热解，获得第一生物炭；将所述第一生物炭洗涤、烘干后，与含金属盐的沸石咪...
    2025-08-07
  • 通过位操作延长EEPROM寿命的方法
    通过位操作延长EEPROM寿命的方法_江苏稻源科技集团有限公司_202411708531.6
    本发明公开了一种通过位操作延长EEPROM寿命的系统及方法，所述系统包括：转换模块、功能模块及EEPROM；所述方法包括如下步骤：将EEPROM划分为不同的存储区，其中包括用于存储用户数据的用户存储区以及用于存储转换信息的转换信息存储区，使...
    2025-08-07
  • 电压转换电路与存储器
    电压转换电路与存储器_长鑫存储技术有限公司_202110808613.8
    本公开提供一种电压转换电路与存储器。电压转换电路包括：驱动电路，由第一电压供电，输出端输出第一信号，所述第一信号的高电平的电压小于所述第一电压；接收电路，由所述第一电压供电，第一输入端接收所述第一信号，第二输入端接收采样信号，用于根据所述采...
    2025-08-07
  • 灵敏放大器电路
    灵敏放大器电路_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202111344928.8
    本发明公开了一种灵敏放大器电路，包含参考单元电路和存储单元电路以及输出电路；所述的参考单元电路连接电源电压，为所述存储单元电路以及输出单元提供参考电流；所述的存储单元电路连接电源电压并接收外部控制信号，在外部控制信号的控制下由参考电流实现对...
    2025-08-07
  • 一种壳聚糖基多孔碳非对称超级电容器的制备方法
    一种壳聚糖基多孔碳非对称超级电容器的制备方法_武夷学院_202510349576.7
    本发明提供了一种壳聚糖基多孔碳非对称超级电容器的制备方法，其核心是利用壳聚糖为前驱体，通过化学聚合、水热处理、活化碳化等方法构建高性能电极材料，并结合羧甲基壳聚糖凝胶电解质，提高超级电容器的能量存储能力和循环稳定性。本方法包括以下步骤：（1...
    2025-08-07
  • 一种硼掺杂石墨烯碳纳米管复合超低温电极材料制备方法
    一种硼掺杂石墨烯碳纳米管复合超低温电极材料制备方法_电子科技大学_202510401041.X
    本发明公开了一种硼掺杂石墨烯碳纳米管复合超低温电极材料制备方法。通过硼酸和硼氢化钠化学还原与水热掺杂协同工艺，将硼原子引入石墨烯/碳纳米管三维网络的碳骨架中，显著提升材料的比表面积(175.58m2/g)和导电性。该材...
    2025-08-07
  • 伪双端口存储器及其位线控制方法、装置
    伪双端口存储器及其位线控制方法、装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202011156363.6
    一种伪双端口存储器及其位线控制方法、装置，所述方法包括：当在一存取周期内执行读取操作和所述读取操作之后的写入操作时，获取对应的读取数据和写入数据的信息；当确定所述读取数据和写入数据相同时，生成对应的第一控制信号，以使得所述位线预充电单元在所...
    2025-08-07
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