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信息存储应用技术
  • 信号处理电路及存储器
    信号处理电路及存储器_长鑫存储技术有限公司_202310596399.3
    本公开提供一种信号处理电路及存储器，该信号处理电路包括命令处理电路、时钟处理电路和命令采样电路。命令处理电路用于基于命令/地址信号CA生成并输出第一命令信号；时钟处理电路用于基于第一片选信号CS和第一时钟信号CLK生成时钟控制信号GT，并根...
    2025-09-27
  • 基于6T-SRAM的多位相乘相加运算电路及其控制方法
    基于6T-SRAM的多位相乘相加运算电路及其控制方法_安徽大学_202411171601.9
    本申请涉及一种基于6T‑SRAM的多位相乘相加运算电路及其控制方法，该电路包括多个6T‑SRAM单元、控制单元和计算单元；多个6T‑SRAM单元并联设置且分别采用不同字线控制，多个6T‑SRAM单元的第一端连接同一第一局部位线，多个6T‑S...
    2025-09-27
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410307861.8
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：依次叠设于衬底一侧的读晶体管和写晶体管；读晶体管包括第一栅电极、第一栅极绝缘层以及第一半导体层；第一栅电极沿垂直于衬底的第一方向延伸，第一栅电极与...
    2025-09-27
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_株式会社索思未来_202480011630.0
    半导体存储装置(MD)包括存储单元(11)和感测放大器电路(32)。存储单元包括P型驱动晶体管(TPM0、TPM1)、N型负载晶体管(TNM0、TNM1)以及与位线对(BL、BLB)连接的P型访问晶体管(TPM2、TPM3)。感测放大器电路...
    2025-09-27
  • 用于双功率存储器的柔性功率序列化
    用于双功率存储器的柔性功率序列化_高通股份有限公司_201980068416.8
    公开了一种双功率域SRAM，其中双功率域可以以所需的任何顺序被加功率或断功率。例如，(CX)功率域可以先被加功率，随后存储器(MX)功率域被加功率。相反，MX功率域可以在CX域之前被加功率。
    2025-09-27
  • 电阻式存储器装置
    电阻式存储器装置_三星电子株式会社_202510062671.9
    提供一种电阻式存储器装置。所述电阻式存储器装置包括：数据单元阵列，包括多个存储器单元，所述多个存储器单元的每个列具有电分离的第一位线和第二位线；行解码器，被配置为对行地址进行解码并且响应于解码后的行地址而选择所述多个存储器单元的一条或多条字...
    2025-09-27
  • 驱动电路
    驱动电路_长鑫存储技术有限公司_202310680413.8
    本申请涉及一种驱动电路。驱动电路包括：第一驱动模块，包含多个第一驱动器，用于接收数据信号和驱动选择信号，并根据驱动选择信号控制各个第一驱动器是否开启，第一驱动器在高速模式的开启数量大于在低速模式的开启数量；第二驱动模块，与第一驱动模块连接且...
    2025-09-27
  • 半导体结构、动态随机存储器及其制造方法
    半导体结构、动态随机存储器及其制造方法_长鑫科技集团股份有限公司_202510795841.4
    提供一种半导体结构，动态随机存储器，及其制造方法，包括：衬底，衬底上有叠层设置的存储阵列，存储阵列包括存取晶体管和字线结构，其中，存取晶体管由字线结构控制实现开关功能；字线选择器，字线选择器包括第一连接线，第二连接线，选择器有源层和选择器控...
    2025-09-27
  • 一种封装后修复电路和一种测试方法
    一种封装后修复电路和一种测试方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411055238.4
    本公开实施例提供了一种一种封装后修复电路和一种测试方法，其中，封装后修复电路包括：使能电路，被配置为，接收模式寄存器的寄存码生成测试模式进入信号，当测试模式进入信号有效时，指示存储器进入测试模式；地址解码器，被配置为，接收命令信号，并根据命...
    2025-09-27
  • 一种基于铁磁斯格明子的多功能赛道设计实验方法
    一种基于铁磁斯格明子的多功能赛道设计实验方法_四川师范大学_202111562682.1
    本发明公开一种基于铁磁斯格明子的多功能赛道设计实验方法，步骤一、利用光刻技术构建赛道，步骤二、磁隧道结的设置，步骤三、AND门和OR门的逻辑运算，步骤四、NOT门的逻辑运算，步骤五、二极管单向传输功能的运算；本发明试验赛道实现了AND门、O...
    2025-09-27
  • 半导体存储器件的纠错电路和半导体存储器件
    半导体存储器件的纠错电路和半导体存储器件_三星电子株式会社_202011026420.9
    一种半导体存储器件的纠错电路包括纠错码(ECC)编码器和ECC解码器。所述ECC编码器使用由生成矩阵表示的纠错码，基于主数据生成奇偶校验数据，并将包括所述主数据和所述奇偶校验数据的码字存储在存储单元阵列的目标页面中。所述ECC解码器基于从所...
    2025-09-27
  • 一种抗单粒子翻转效应累积的存储器闲时刷新方法及系统
    一种抗单粒子翻转效应累积的存储器闲时刷新方法及系统_北京控制工程研究所_202210759362.3
    一种抗单粒子翻转效应累积的存储器闲时刷新方法及系统，在处理器访问存储器稀疏或空闲时，启动读取操作对存储器中的数据进行刷新，并对已经发生单粒子翻转的数据进行校验和纠正，且记录错误现场和向处理器发送中断，将错误发生地址、读取的源数据和校验码存储...
    2025-09-27
  • 信号产生结构及存储器
    信号产生结构及存储器_长鑫存储技术有限公司_202310655668.9
    本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种信号产生结构及存储器，信号产生结构包括：脉冲产生电路，基于时钟信号生成脉冲信号，脉冲信号中的脉冲宽度等于时钟信号的周期；周期检测电路，基于脉冲信号生成数字检测信号，数字检测信号的值为脉冲信号的脉冲宽...
    2025-09-27
  • 一种MRAM写失效的检测处理方法及检测处理电路、MRAM
    一种MRAM写失效的检测处理方法及检测处理电路、MRAM_浙江驰拓科技有限公司_202110977920.9
    本发明提供了一种MRAM写失效的检测处理方法及检测处理电路、MRAM，该检测处理方法包括：采用电压值为V1的写电压，向MRAM的待测存储区写入第一数据；该待测存储区在应用时的正常写电压值为V2，且V1＜V2；读取待测存储区中所存储的数据，获...
    2025-09-27
  • 基于OpenOCD调试器的扫描USB设备的方法
    基于OpenOCD调试器的扫描USB设备的方法_上海安路信息科技股份有限公司_202510793726.3
    本申请涉及嵌入式硬件调试和测试技术领域，公开了一种基于OpenOCD调试器的扫描USB设备的方法，包括：在OpenOCD调试器中集成libusb库，初始化USB管理上下文；在OpenOCD调试器中注册usb扫描命令，通过usb扫描命令调用l...
    2025-09-27
  • 一种存储器及存储器系统
    一种存储器及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410317213.0
    本公开提供了一种存储器及存储器系统，涉及半导体芯片技术领域。存储器包括稳压电路，稳压电路包括第一分压电路，第一分压电路的第一端用于输入第一电压，第一分压电路的第二端与接地端耦接，第一分压电路被配置为根据第一电压向第二分压电路提供调整电压，第...
    2025-09-27
  • 一种耐低温高电压水系电解液及其制备方法和在微型超级电容器中的应用
    一种耐低温高电压水系电解液及其制备方法和在微型超级电容器中的应用_中国科学院大连化学物理研究所_202111543295.3
    本申请公开了一种耐低温高电压水系电解液及其制备方法和在平面微型超级电容器中的应用。所述耐低温高电压水系电解液包括溶剂水和溶质溴化锂；所述的溴化锂与水的摩尔质量比不小于5mol/Kg。此外，还可以加入一定量的凝固剂形成耐低温高电压水凝胶电解液...
    2025-09-27
  • 存储器电路中的字线故障状况的快速检测的电路和方法
    存储器电路中的字线故障状况的快速检测的电路和方法_意法半导体国际有限公司_202010079276.9
    本公开总体上涉及用于存储器电路中的字线故障状况的快速检测的电路和方法。位于存储器阵列一侧上的行解码器响应于行地址而选择性地驱动字线。位于第一存储器阵列的相对侧上的字线故障检测电路用于检测在存储器阵列的相对侧之间的断开字线故障。字线故障检测电...
    2025-09-27
  • 一种基于电沉积/水热综合法的泡沫镍基复合材料及其制备方法
    一种基于电沉积/水热综合法的泡沫镍基复合材料及其制备方法_桂林电子科技大学_202510833264.3
    本发明公开了一种基于电沉积/水热综合法的泡沫镍基复合材料，首先，以泡沫镍NF为基底，通过电沉积在NF表面负载氢氧化钴，得到片层堆叠花状结构的Co(OH)2/NF；然后，通过浸渍法转化为ZIF‑67，得到正十二面体结构的...
    2025-09-27
  • 一种碳量子点MXene复合材料的制备方法
    一种碳量子点MXene复合材料的制备方法_潍坊学院_202511186956.X
    本发明公开一种碳量子点MXene复合材料的制备方法，属于电容材料领域。所述制备方法包括制备二十烷酸修饰碳量子点、MXene插层改性、旋涂法制备复合材料。本发明制备的复合材料作为电容材料时，循环稳定性好，在多次循环后仍可以保持较高的电容量，2...
    2025-09-27
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