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电气元件制品的制造及其应用技术
  • 等效电容处理电路及射频电源设备
    等效电容处理电路及射频电源设备_深圳市瀚强科技股份有限公司_202511218673.9
    本申请提供一种等效电容处理电路及射频电源设备。等效电容处理电路用于对射频耦合器件的等效电容进行容抗中和，射频耦合器件设置于射频电能的传输路径中，射频耦合器件包括相耦合的第一绕组与第二绕组，射频耦合器件用于将第一绕组一侧的射频电能耦合至第二绕...
    2025-12-17
  • 一种用于液流电池放电的控制方法及液流电池系统
    一种用于液流电池放电的控制方法及液流电池系统_液流储能科技有限公司_202511657018.3
    本申请涉及一种用于液流电池放电的控制方法及液流电池系统。其系统部分主要包括：调整第一组电堆的功率到高于额定功率，调整第一组电堆的循环泵泵频到高于调整后功率所对应的标准泵频；调整第二组电堆的功率到低于额定功率，调整第二组电堆的循环泵泵频到高于...
    2025-12-17
  • 一种电解液及包括该电解液的电池
    一种电解液及包括该电解液的电池_广州天赐高新材料股份有限公司_202410752420.9
    本发明提供一种电解液及包括该电解液的电池。本发明的电解液包括溶剂、电解质和添加剂，所述添加剂包括成膜添加剂和式I所示的聚醚改性聚硅氧烷。该电解液通过将成膜添加剂和聚醚改性聚硅氧烷复配使用，在有效改善电解液浸润性能的同时有助于形成更薄、更致密...
    2025-12-17
  • 一种磷酸铁锂储能电池制造工艺
    一种磷酸铁锂储能电池制造工艺_山东嘉喆新能源科技有限公司_202511676764.7
    本发明公开了一种磷酸铁锂储能电池制造工艺，属于电池制造工艺技术领域。所述工艺具体如下：采用低钴掺杂且经铁源前驱体原位包覆制备得到正极材料，在氮气氛围下，烧结获得低钴掺的正极材料，将正极材料进行热压成型制备得到压片，并通过‌激光切割‌对压片切...
    2025-12-17
  • 电池组
    电池组_三星SDI株式会社_202411866212.8
    提供了一种电池组，所述电池组包括：电池单体组件，包括一个或更多个电池单体；壳体，电池单体组件的至少一部分容纳在壳体中，壳体包括第一凹槽和第二凹槽；盖，结合到壳体；以及密封构件，位于壳体与盖之间，密封构件的一部分位于第一凹槽和第二凹槽中。根据...
    2025-12-17
  • 高增益全频段卫星定位天线结构及通信设备
    高增益全频段卫星定位天线结构及通信设备_普尔思(苏州)无线通讯产品有限公司_202511134535.2
    本申请公开了一种高增益全频段卫星定位天线结构及通信设备。该天线结构包括第一辐射部、第二辐射部和馈源部，第一辐射部和馈源部分别设置在第二辐射部的两侧且分别与第二辐射部间隔设置；第一辐射部和第二辐射部之间设置有介电部，介电部分别与第一辐射部和第...
    2025-12-17
  • 多插座一体装置及蓄电池
    多插座一体装置及蓄电池_哈尔滨光宇电子有限公司_202423283140.2
    多插座一体装置及蓄电池，涉及一种组合式插座及应用该插座的蓄电池。目的是为了克服现有锂电池采用多插座组合，既增加内部线束损坏风险，同时也增加了电池电池组热失控风险问题，包括：每组插口均包括一个正极镶针和一个负极镶针；所有组插口中的正极镶针均通...
    2025-12-17
  • 用于拖链系统的组合电缆
    用于拖链系统的组合电缆_优易电缆(张家港)有限公司_202423271673.9
    本实用新型公开了一种用于拖链系统的组合电缆，包括：两个信号传输单元及两个控制单元，两个信号传输单元与两个控制单元绞合成缆，在成缆的中心处填充有中心填充绳，在各单元之间填充有间隙填充绳，在成缆的信号传输单元及控制单元上纵包有隔离带，在隔离带上...
    2025-12-17
  • 一种底板与转接导电片组合式LLC集成变压器
    一种底板与转接导电片组合式LLC集成变压器_东莞铭普光磁股份有限公司_202423090932.8
    本实用新型涉及LLC集成变压器相关技术领域，提出了一种底板与转接导电片组合式LLC集成变压器，包括磁芯，设置在磁芯内的多个线圈绕组，转接导电片以及底板；所述转接导电片上设置有第一通孔，第一通孔的位置与对应的线圈绕组的出线端的自由位置相对应，...
    2025-12-17
  • 一种天线及通信设备
    一种天线及通信设备_深圳市信维通信股份有限公司_202520253775.3
    本实用新型实施例涉及天线技术领域，特别涉及一种天线及通信设备，天线包括介质层、辐射层和接地层，介质层设置有相对的第一表面和第二表面；辐射层设置于所述第一表面，所述辐射层包括相连的馈线和辐射体，所述馈线和所述辐射体的连接处开设有第一缝隙；接地...
    2025-12-17
  • 一种NiCoSe/碳布/S复合锂硫电池正极材料及其制备方法
    一种NiCoSe/碳布/S复合锂硫电池正极材料及其制备方法_齐鲁工业大学_202210404882.2
    本发明属于锂硫电池电极材料的制备技术领域，尤其涉及一种NiCoSe/碳布/S复合锂硫电池正极材料及其制备方法。本发明采用原位生长和热处理的方法合成了具有蜂窝状的CoNiSe/碳布的复合材料，载硫后用于锂硫电池正极。本发明所述正极材料以碳纤维...
    2025-12-17
  • 一种锂电池硅负极用复合粘结剂、硅负极极片及锂电池
    一种锂电池硅负极用复合粘结剂、硅负极极片及锂电池_无锡零一未来新材料技术研究院有限公司_202211378675.0
    本发明涉及一种锂电池硅负极用复合粘结剂、硅负极极片及锂电池，至少包括A组份、B组份、C组份和D组份；其中，A组份为丙烯酸类多元共聚物，B组份为低Tg的丙烯酸树脂，C组份为碳纳米管，D组份为单宁酸；以重量份数计，A组份100份，B组份1‑30...
    2025-12-17
  • 电池、包括该电池的电池组和车辆
    电池、包括该电池的电池组和车辆_株式会社LG新能源_202310094099.5
    电池、包括该电池的电池组和车辆。公开了一种电池，该电池包括：电极组件，其具有第一未涂覆部分和第二未涂覆部分；壳体，其具有形成在一侧的开口部分并且被构造成通过开口部分容纳电极组件；第一集流体，其与第一未涂覆部分联接并且位于壳体内；盖，其被构造...
    2025-12-17
  • 一种半导体晶圆用插片机
    一种半导体晶圆用插片机_声达半导体设备(江苏)有限公司_202510827751.9
    本发明公开了一种半导体晶圆用插片机，属于半导体晶圆加工技术领域，包括主体模块和输送检测模块，所述主体模块包括固定台，所述固定台顶部的两侧均设置有输送装置，所述固定台的顶部靠近后端面的位置连接有电控滑轨，所述电控滑轨上设置有两个夹持爪，通过转...
    2025-12-17
  • 银纳米线透明导电件及其制备方法和应用
    银纳米线透明导电件及其制备方法和应用_浙江大华技术股份有限公司_202310332322.5
    本发明涉及一种银纳米线透明导电件及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在透明基板表面刻蚀至少一个凹槽并进行活化处理，得到预处理基板，其中，凹槽的深度为100nm‑200nm，宽度为100nm‑160nm；将预处理基板置于含巯基硅氧烷的银纳米...
    2025-12-17
  • 氢燃料电池系统及其控制方法和车辆
    氢燃料电池系统及其控制方法和车辆_北汽福田汽车股份有限公司_202511235761.X
    本公开涉及一种氢燃料电池系统及其控制方法和车辆，氢燃料电池系统包括氢燃料电池、氢气反应舱、储氢罐、空气气路、第一输氢流路和第二输氢流路，氢气反应舱用于使氢气与空气中的氧气催化燃烧生成水；储氢罐用于储存氢气，储氢罐被配置为选择性地向氢燃料电池...
    2025-12-17
  • 覆盖活性物质、覆盖活性物质的制造方法、正极材料以及电池
    覆盖活性物质、覆盖活性物质的制造方法、正极材料以及电池_松下控股株式会社_202480032676.0
    本公开的覆盖活性物质(100)具备正极活性物质(11)、存在于正极活性物质(11)的表面的碳酸锂和覆盖正极活性物质(11)的表面的至少一部分的覆盖层(12)，覆盖层(12)包含含锂氟化物，在通过中和滴定测定存在于正极活性物质(11)的表面的...
    2025-12-17
  • 电解液用化合物、电解液添加剂用化合物、电解液物质、电解液添加剂、二次电池用电解液及二次电池
    电解液用化合物、电解液添加剂用化合物、电解液物质、电解液添加剂、二次电池用电解液及二次电池_SFC株式会社_202480031594.4
    本发明涉及一种电解液用化合物、电解液添加剂用化合物、电解液物质、电解液添加剂、二次电池用电解液及二次电池，并且提供一种包含新型化合物或其异构体的二次电池用电解液。
    2025-12-17
  • 节约型激光脉冲生成系统
    节约型激光脉冲生成系统_赫利克斯外科公司_202480033190.9
    本发明涉及一种用于生成激光脉冲的系统(100)，包括激光器(10)、电源(11)和控制系统(6)。根据本发明，用于生成激光脉冲的系统(100)配置成周期性地生成激光脉冲串，其占空比由用于生成激光脉冲的系统发射激光脉冲串时的活动持续时间(T1...
    2025-12-17
  • 半导体装置与其制造方法
    半导体装置与其制造方法_南亚科技股份有限公司_202111645638.7
    本发明的一些实施方式包含一种制造半导体装置的方法，包含形成第一凹槽于第一晶圆中，其中第一凹槽在第一晶圆的第一前侧表面并暴露第一晶圆的第一互连结构。形成第二凹槽于第二晶圆中，其中第二凹槽在第二晶圆的第二前侧表面。以第一聚合物填充第一凹槽。以第...
    2025-12-17
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