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电气元件制品的制造及其应用技术
  • 一种高熵O3型Mn基钠离子层状氧化物正极材料及其制备方法和应用
    一种高熵O3型Mn基钠离子层状氧化物正极材料及其制备方法和应用_中南大学_202511041937.8
    本发明公开了一种高熵O3型Mn基钠离子层状氧化物正极材料及其制备方法和应用，该正极材料的结构通式为Nam[MnaNibFecCudTM1eTM2f]O2；其中，TM1和TM2为Al、Mg、Zn、Ca、Zr、La、Sb、Ti、Sn、Li中的一...
    2025-12-17
  • 一种反式钙钛矿复合石墨毡电极及其制备方法与应用
    一种反式钙钛矿复合石墨毡电极及其制备方法与应用_杭州德海艾科能源科技有限公司_202511659124.5
    本发明涉及全钒液流电池电极技术领域，公开了一种反式钙钛矿复合石墨毡电极及其制备方法与应用，包括以下步骤：反式钙钛矿制备；反式钙钛矿复合石墨毡电极制备；本发明通过使用富阳离子的反式钙钛矿并引入金属Sr，提高复合石墨毡电极的导电性，提高电池的电...
    2025-12-17
  • 一种高透的微带贴片天线及其制造方法
    一种高透的微带贴片天线及其制造方法_深圳市壹显科技有限公司_202511137807.4
    本发明公开了一种高透的微带贴片天线及其制造方法，包括透明衬底基材，透明衬底基材的一面设置有辐射单元金属网格层，透明衬底基材的另一面设置有接地板金属网格层，透明衬底基材的上下表面均开设有凹槽，凹槽内填充导电金属形成导电金属层，辐射单元金属网格...
    2025-12-17
  • 基于AsH3流量调控的应变补偿型VCSEL的外延结构及制备方法
    基于AsH3流量调控的应变补偿型VCSEL的外延结构及制备方法_山东华光光电子股份有限公司_202511083792.8
    本发明公开了基于AsH3流量调控的应变补偿型VCSEL的外延结构及制备方法，包括衬底，衬底上依次设有buffer层、N型DBR层、有源层、P型氧化限制层、P型DBR层、表面高掺GaAs层；N型DBR层包括N型的高Al组分层、Al组分过渡层、...
    2025-12-17
  • 一种稳定性好的自动化插件式旗形插片端子
    一种稳定性好的自动化插件式旗形插片端子_佛山市阜腾精密五金有限公司_202423282197.0
    本实用新型公开了一种稳定性好的自动化插件式旗形插片端子，其包括主体，所述主体的一侧设置有插部，主体的下端二侧分别设置有第一固定片和第二固定片，第一固定片和第二固定片的延伸部相对于主体的厚度方向作反向设置，第一固定片和第二固定片之间设置有第三...
    2025-12-17
  • 一种快速插拔型射频同轴连接器
    一种快速插拔型射频同轴连接器_江苏正迪微波技术有限公司_202422635356.4
    本实用新型公开了一种快速插拔型射频同轴连接器，包括公头和母头，所述公头的外周设置有连接件，所述母头的外周两侧开设有连接槽，所述连接件与连接槽之间相互配合，所述公头通过连接件卡接至母头外周的连接槽处与母头相连。本实用新型通过连接件与连接槽的卡...
    2025-12-17
  • 一种有助于散热的电池柜
    一种有助于散热的电池柜_湖南麓盟信息科技有限公司_202520244613.3
    本实用新型涉及电池存储技术领域，尤其涉及一种有助于散热的电池柜，包括：柜体，所述柜体的上表面通过插槽设置有顶盖，所述柜体的一侧固定设置有鼓风机。本实用新型通过通过鼓风机的设计，当电机驱动机体内部的涡轮转动时，涡轮旋转产生的离心力对柜体内部的...
    2025-12-17
  • 电池装置、用电设备及储能设备
    电池装置、用电设备及储能设备_宁德时代新能源科技股份有限公司_202522333863.7
    本申请涉及电池技术领域，并提供了一种电池装置、用电设备及储能设备，电池装置包括箱体以及设置于箱体内的电池单体和换热板，换热板可与电池单体的侧面换热。其中，箱体的底板内部设置有流道，并可与电池单体的底面换热；换热板底部开设连通口并可与底板内的...
    2025-12-17
  • 具有多功能冷却系统的变压器
    具有多功能冷却系统的变压器_江阴市倍安机电有限公司_202511258714.7
    本发明公开了具有多功能冷却系统的变压器，涉及变压器技术领域。该具有多功能冷却系统的变压器，包括变压器部件，所述变压器部件的外壁固定连接有连接架，所述连接架的外壁固定连接有气压机构。该具有多功能冷却系统的变压器，通过设置气压机构，利用伸缩机带...
    2025-12-17
  • 硅碳负极材料、二次电池及用电设备
    硅碳负极材料、二次电池及用电设备_欣旺达动力科技股份有限公司_202511262149.1
    本公开提供了一种硅碳负极材料、二次电池及用电设备。该硅碳负极材料包括多孔碳基底；硅晶，填充在多孔碳基底的至少部分孔隙中；以及碳包覆层，包覆在多孔碳基底的至少部分表面和硅晶的至少部分表面；硅晶在X射线衍射图谱中衍射角为28°处的晶粒大小D1为...
    2025-12-17
  • 电池组与用电设备
    电池组与用电设备_厦门新能安科技有限公司_202511232844.3
    一种电池组，包括：第一供电单元，包括第一阳极极片，第一阳极极片包括石墨；第二供电单元，与第一供电单元并联，包括第二阳极极片，第二阳极极片包括硅基材料，且基于第二阳极极片中的活性物质的质量，硅基材料的含量占比大于等于50%；电池管理系统，被配...
    2025-12-17
  • 一种贯穿式电流互感器
    一种贯穿式电流互感器_深圳市灿阳电气设备有限公司_202423241786.4
    本实用新型涉及电流互感器技术领域，尤其为一种贯穿式电流互感器，包括用于将大电流转换成小电流的电流互感器主体和用于固定电流互感器主体的支架，所述电流互感器主体外侧固定连接有呈杆状设置的支架，所述支架底部设有减震组件，所述减震组件包括固定板、橡...
    2025-12-17
  • 晶圆定位机构
    晶圆定位机构_大族激光科技产业集团股份有限公司_202422987209.3
    本实用新型公开了一种晶圆定位机构，包括回转移动组件，回转移动组件包括回转底板、回转顶板、丝杠驱动组件、传动块和传动组件，回转顶板转动设于回转底板，传动块设置于丝杠驱动组件的驱动端，传动组件滑动设于传动块上，滑动方向与丝杠驱动组件的驱动方向垂...
    2025-12-17
  • 一种电池单体及电池
    一种电池单体及电池_浙江冠宇电池有限公司_202423134679.1
    本实用新型公开了一种电池单体，所述电池单体包括：电芯；保护膜，所述保护膜包覆于所述电芯的外侧；壳体，所述电芯和所述保护膜设置在所述壳体内部；毛细软管，所述毛细软管包括竖直段和弯折段，其中，所述竖直段位于所述电芯和所述保护膜之间，所述弯折段凸...
    2025-12-17
  • 一种用于汽车动力电池的电池包壳体
    一种用于汽车动力电池的电池包壳体_海门市远翔塑料科技有限公司_202422908663.5
    本实用新型涉及一种用于汽车动力电池的电池包壳体，涉及汽车电池技术领域，其包括铝壳，所述铝壳顶部可拆卸设置顶板，所述铝壳内设置若干线束板，所述线束板与顶板相互垂直，所述线束板顶部开设走线槽，所述走线槽设置膨胀套，所述膨胀套顶部开设插线开口，所...
    2025-12-17
  • 一种接线装置和控制器
    一种接线装置和控制器_珠海格力电器股份有限公司_202423104659.X
    本实用新型公开了一种接线装置和控制器，涉及电气连接技术领域。本实用新型包括接线端子和插片，接线端子内开设有容置通槽，和与容置通槽连通的第一螺纹孔。插片内嵌于容置通槽内，且与接线端子形成压触连接，其中，插片包括本体部和延伸部，本体部和延伸部配...
    2025-12-17
  • 电池模块以及包括该电池模块的电池组和车辆
    电池模块以及包括该电池模块的电池组和车辆_株式会社LG新能源_202480032749.6
    公开了一种电池模块以及包括该电池模块的电池组和车辆。根据本发明的实施方式的电池模块包括：电池电芯堆叠件，在所述电池电芯堆叠件中堆叠有多个电池电芯；模块壳体，所述模块壳体用于容纳所述电芯堆叠件；以及火焰抑制垫，所述火焰抑制垫设置在所述模块壳体...
    2025-12-17
  • 一种储能系统电芯恒温控制方法
    一种储能系统电芯恒温控制方法_浙江华昱欣科技有限公司_202510149904.9
    本发明公开了一种储能系统电芯恒温控制方法，具体实现方案为：使用充放电设备对电芯的电池簇进行不同倍率的充放电循环，并调整液冷机组出液温度，使电芯温度保持在不同的温度目标值，获取MAPCTT图；将MAPCTT图输入至神经网络模型，生成液冷机组温...
    2025-12-17
  • 一种卷绕型锂离子电池及其制备方法
    一种卷绕型锂离子电池及其制备方法_珠海冠宇电池股份有限公司_202510385136.7
    本发明涉及锂离子电池的技术领域，提供了一种卷绕型锂离子电池及其制备方法，该电池包括负极片和电解液；负极片包括硅材料，电解液包括氟代碳酸乙烯酯；电池在0％SOC状态时，卷绕方向头部第三折的负极片A和卷绕方向尾部第一折的负极片B进行X射线光电子...
    2025-12-17
  • 一种包含半导体激光器和光探测器的光集成芯片
    一种包含半导体激光器和光探测器的光集成芯片_深圳市斑岩光子技术有限公司_202310879048.3
    本发明公开一种包含半导体激光器和光探测器的光集成芯片，包括半导体衬底，以及制作于所述半导体衬底上的半导体激光器和半导体光探测器，还包括过渡结构，所述过渡结构开设于所述半导体衬底上，并位于所述半导体激光器与所述半导体光探测器之间。本发明中的半...
    2025-12-17
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