Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
电气元件制品的制造及其应用技术
  • 一种定向排烟的储能柜
    一种定向排烟的储能柜_华为数字能源技术有限公司_202422664831.0
    本申请提供了一种定向排烟的储能柜，其中，该储能柜包括柜体、电池簇和排烟装置，电池簇收容于柜体内，包括多个沿柜体高度方向堆叠的电池包；每个电池包包括泄爆阀，设置于电池包平行于柜体高度的其中一个面；排烟装置的第一壳体安装于柜体背面，且位于柜体和...
    2025-12-20
  • 一种中高频合二为一的宽频化天线
    一种中高频合二为一的宽频化天线_广东中昱通信有限公司_202520409127.2
    本实用新型涉及天线领域，具体涉及一种中高频合二为一的宽频化天线。该中高频合二为一的宽频化天线，将一组低频振子和一组中高频振子经过合路器结合，形成覆盖低频段、中频段和高频段的宽频化天线，其中高频振子是中部镂空的长条状振片，中部镂空具体采用中间...
    2025-12-20
  • 一种平面变压器
    一种平面变压器_东莞铭普光磁股份有限公司_202423162516.4
    本实用新型属于变压器技术领域，具体涉及一种平面变压器，包括原边绕组、副边绕组和定位针，其特征在于，所述副边绕组采用铜片结构，所述铜片结构至少包括一个铜片，所述铜片包括环形部和端子部，所述环形部的表面设置有绝缘喷涂层；所述端子部采用非绝缘材质...
    2025-12-20
  • 一种晶圆转移的防脱落仿生增摩垫
    一种晶圆转移的防脱落仿生增摩垫_徐州举力新材料科技有限公司_202423272584.6
    本实用新型涉及增摩垫技术领域，特别公开了一种晶圆转移的防脱落仿生增摩垫，包括配重条，配重条内部固定安装有底垫，底垫上开设有圆槽，配重条上端部固定安装有安装垫，安装垫内部开设有内槽，内槽内部滑动安装有承载垫，承载垫上端部均匀等距固定安装有摩擦...
    2025-12-20
  • 一种高倍率铅酸蓄电池多片极板装配结构
    一种高倍率铅酸蓄电池多片极板装配结构_山东圣阳电源股份有限公司_202520245227.6
    本实用新型提供了一种高倍率铅酸蓄电池多片极板装配结构，属于蓄电池技术领域。此装配结构包括：极板相互叠装并位于槽体中，两块定位框分别位于极板两侧，在两块定位框上分别连接有插键和滑套，在插键上设有齿形部，在滑套上设有防止插键回缩的卡头，卡头与齿...
    2025-12-20
  • 一种端板结构及电池模组
    一种端板结构及电池模组_武汉亿纬储能有限公司_202423193222.8
    本实用新型公开了一种端板结构及电池模组，该端板结构包括固定件、活动件、复位件和紧固件；固定件用于与电芯组接触；活动件设置在固定件的厚度方向上，活动件和固定件活动连接，活动件用于与钢带接触；复位件设置在固定件和活动件之间，复位件处于压缩状态；...
    2025-12-20
  • 一种室外CPE高性能防水防尘天线装置
    一种室外CPE高性能防水防尘天线装置_浙江信合通信系统有限公司_202520072135.2
    本实用新型公开了一种室外CPE高性能防水防尘天线装置，包括天线主体，所述天线主体上设置有多个信号线以及与多个信号线连接的信号连接板，所述天线主体的外侧设置有通风箱，所述通风箱的出风端设置有防水组件，所述通风箱的入风端设置有防尘通风件，用于天...
    2025-12-20
  • 一种浮动连接器
    一种浮动连接器_顺科智连技术股份有限公司_202422962510.9
    本实用新型公开一种浮动连接器，包括：外壳，设置有端子安装腔；端子组，安装于所述端子安装腔中；防护盖组件，可开合式安装于所述外壳上，所述防护盖组件可盖合所述端子安装腔的插入端口，以为内部的所述端子组提供防护。在外壳上设置了能够盖合端子安装腔的...
    2025-12-20
  • 一种插接端子
    一种插接端子_乐清市双鑫电子有限公司_202423108997.0
    本实用新型公开了一种插接端子，包括端子本体、插接部、压接部，插接部包括插接端、插接末端，插接端包括插接口、插接腔、第一弹性部、第二弹性部、以及弹性回压部，压接部上形成有刺破部，在插接端上涉及可用于与插接公端插接时，通过弹性回压部的作用，就类...
    2025-12-20
  • 一种旋转插座
    一种旋转插座_佳木斯市潜兴农业机械研发有限公司_202423292598.4
    本实用新型涉及插座技术领域，提出了一种旋转插座，包括座体、输入线管，输入线管与座体之间具有用于使座体绕输入线管进行旋转的第一旋转体，座体与第一旋转体固定连接，第一旋转体转动连接于输入线管上，输入线管与第一旋转体之间设有用于保证在第一旋转体旋...
    2025-12-20
  • 柔性同轴线型铵离子超级电容器及其制备方法和用途
    柔性同轴线型铵离子超级电容器及其制备方法和用途_武夷学院_202511295255.X
    本发明公开了一种柔性同轴线型铵离子超级电容器，其包括正极、负极、隔膜、凝胶电解质和外壳，所述正极为硫钴镍/三氧化二铁复合电极，所述负极为活性炭@碳纳米管线型电极，所述隔膜为无纺布，所述凝胶电解质为聚乙烯醇‑硫酸铵‑钼酸铵凝胶。本发明通过处理...
    2025-12-20
  • 改善晶圆翘曲度的吸附方法、半导体设备
    改善晶圆翘曲度的吸附方法、半导体设备_宸微设备科技(苏州)有限公司_202511273784.X
    一种改善晶圆翘曲度的吸附方法、半导体设备，提供的改善晶圆翘曲度的吸附方法中在基座开始移动前将工艺腔室抽至底压，能够降低工艺腔室内气体的密度，从而当基座后续移动时，可以有效减小气体流动对晶圆产生的扰动效应，使得基座能够以更高速度平稳运行，确保...
    2025-12-20
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202510751483.7
    半导体装置具备基板(50、60)、半导体元件(40)及树脂成形体(30)。基板(50、60)的绝缘基材(51、61)具有从形成图案的表面金属体(52、62)露出的露出面(511、611)。半导体装置具备脆弱层(101)，该脆弱层层叠于露出面...
    2025-12-20
  • 一种用于锂金属保护的有机-无机梯度氟化复合界面的制备方法及其应用
    一种用于锂金属保护的有机-无机梯度氟化复合界面的制备方法及其应用_青岛科技大学_202511255034.X
    本发明提供了一种用于锂金属保护的梯度氟化的有机‑无机复合界面的制备方法，涉及锂离子电池锂金属负极领域。本发明中梯度氟化的有机‑无机复合界面是通过分子层沉积方法获得，分子层沉积过程中使用四氟氢醌和三甲基铝作为前驱体，在一定温度下沉积氟化的Al...
    2025-12-20
  • 电池包膜结构、电池包膜工装及其包膜方法
    电池包膜结构、电池包膜工装及其包膜方法_天津津亚电子有限公司_202511670291.X
    本发明公开了电池包膜结构、电池包膜工装及其包膜方法，该结构用于电池外膜的长翼膜和短翼膜分别贴覆在电池的表面上，该结构包括：结构安装板、电池负载机构、同步升降机构、长翼膜贴覆机构和短翼膜贴覆机构；该工装包括工作台、竖直安装在工作台上的电池抓取...
    2025-12-20
  • 一种富锂锰基电池及其活化方法与应用
    一种富锂锰基电池及其活化方法与应用_天津国安盟固利新材料科技股份有限公司_202511279842.X
    本发明提供了一种富锂锰基电池及其活化方法与应用，所述活化方法包括如下步骤：对富锂锰基电池进行静置，然后进行充电，再进行放电至截止电压，完成活化；所述放电过程中，电压在3.3V‑3.0V区间内，采用I1电流密度进行放电，其余＞3.3V的电压区...
    2025-12-20
  • 一种高效率的626nm半导体激光器件及其制备方法
    一种高效率的626nm半导体激光器件及其制备方法_山东华光光电子股份有限公司_202511081985.X
    本发明涉及一种高效率的626nm半导体激光器件及其制备方法。该半导体激光器件由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlInP下限制层、第一下波导层、第二下波导层、第一量子阱、第一垒层、第二量子阱、第二垒层、第三量子阱、第一上波导层、...
    2025-12-20
  • 一种半导体器件制造方法
    一种半导体器件制造方法_重庆平伟实业股份有限公司_202511253014.9
    本发明提供一种半导体器件制造方法，该制造方法包括：提供衬底，在衬底的正面形成至少一层外延层，在最外层外延层中形成深沟槽结构过程中，对靠近衬底的外延层进行辐照或扩铂预处理，得到具有深沟槽结构的目标外延层；填充目标外延层中的深沟槽结构，在目标外...
    2025-12-20
  • 电化学装置和应用所述电化学装置的电子装置
    电化学装置和应用所述电化学装置的电子装置_宁德新能源科技有限公司_202380013283.0
    一种电化学装置，包括正极极片、负极极片和隔离膜，隔离膜位于正极极片和负极极片之间。正极极片包括正极集流体和设置于正极集流体至少一侧的正极活性层，正极活性层包括中心区域和环绕中心区域外周缘设置的边缘区域。边缘区域的宽度为2mm至10mm，且边...
    2025-12-20
  • 碳化硅的氧化方法及其应用
    碳化硅的氧化方法及其应用_苏州龙驰半导体科技有限公司_202110914005.5
    本发明公开了一种碳化硅的氧化方法及其应用。所述碳化硅的氧化方法包括：使氧源气体与碳化硅材料在1000‑1400℃的温度条件下接触进行热氧化反应，从而在碳化硅材料表面形成预定厚度的氧化层，所述氧源气体包括氧气、含氧气体或水蒸气；以及，在所述的...
    2025-12-20
首页 上一页 34 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证