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  • 本申请涉及通信领域,具体涉及一种通信方法和通信装置。在多连接场景中,终端可以使用多个通信连接进行通信,该多个通信连接可能属于不同的小区,不同小区对应的TA可能不同。在地面网络中,TA由基站确定,因此,基站可以确定多连接场景中不同小区的TA。...
  • 本申请公开了一种确定定时同步状态变化的方法、装置及终端,属于通信技术领域,本申请实施例的确定定时同步状态变化的方法包括:在终端获取到第一事件对应的第一事件标识的情况下,所述终端根据本地是否存储有第二事件对应的第一存储事件标识,确定所述终端的...
  • 本申请公开了一种无线通信方法、装置及设备,属于通信领域,本申请实施例的无线通信方法包括:终端检测或接收第一对象;其中,该第一对象的加扰方式或加扰序列与第一信息相关;该第一信息与以下至少之一关联,或,该第一信息包括以下至少一项:该第一对象的类...
  • 本申请公开了一种无线通信方法、装置及设备,属于通信领域,本申请实施例的无线通信方法包括:终端检测或接收第一对象的参考信号序列;其中,第一对象的参考信号序列的映射方式与第一信息相关,或,第一对象的参考信号序列的映射方式与第二信息相关;其中,第...
  • 本申请实施例提供了一种协同关系的建立方法和装置、存储介质及电子装置,上述方法包括:在第一终端位于服务小区的情况下,接收第一终端发送的第一测量指令,第一测量指令用于测量第一终端的非服务小区的信号质量;在基于第一测量指令测量得到的信号质量满足预...
  • 本公开提出了一种由用户设备执行的方法以及用户设备。由用户设备执行的方法包括:在一个PSFCH传输时机中要传输的
  • 本申请提供上行传输的方法和装置,相比于四步随机接入方案和两步随机接入方案,终端设备无需执行随机接入流程,可以直接向网络设备(接入网设备或基站)发送上行数据对应的上行信号,能够提升终端设备的接入效率。该方法包括:第一终端设备接收来自网络设备的...
  • 本申请公开了一种随机接入、通信方法、装置和设备,属于通信技术领域,本申请实施例公开的随机接入方法包括:终端接收网络侧设备通过第一接入对象发送的关于第二接入对象组的第一信息,其中,所述第二接入对象组中包含不同于所述第一接入对象的一个或多个第二...
  • 本申请公开了一种随机接入、通信方法、装置和设备,属于通信技术领域,本申请实施例公开的随机接入方法包括:终端接收网络侧设备通过第一接入对象发送的关于第二接入对象组的第一信息,其中,所述第二接入对象组中包含不同于所述第一接入对象的一个或多个第二...
  • 本申请提供一种数据请求的连接确定方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括:确定待处理请求、以及连接池的当前连接池管理信息;根据连接池的当前连接池管理信息,确定第一分区中的第一有效连接;判断第一有效连接的条数是否满足预设连接条数要求;若第一...
  • 本申请提供一种线圈盘以及烹饪器具,涉及家用电器技术领域。线圈盘包括串联的内环线圈组和外环线圈组,沿内环线圈组的径向,外环线圈组围设于内环线圈组的外部。外环线圈组与内环线圈组满足如下公式,rd=ro/ri且1≤rd≤5;ro=Ro/No;ri...
  • 本发明公开了一种太阳能路灯设备控制系统的供电方法,所述方法包括控制模块获取物联网模块对应的子系统蓄电池的当前电量,并检测当前电量是否大于预设电量阈值;若是,则检测连续预设天数的天气情况;若天气情况为连续晴天,则允许子系统蓄电池与路灯设备对应...
  • 本申请涉及磁惯性约束聚变等离子体枪超快气体注入技术领域,特别涉及适用于等离子体枪超快注气的复位机构。所述复位机构包括底座部分和弹性结构部分,所述底座部分包括支撑环和分布于支撑环上的螺栓孔,所述弹性结构部分包括弹性翼,所述弹性翼上设有若干个开...
  • 本发明提供一种通信用室外机的温控系统及方法,涉及通信设备技术领域。系统包括控制单元、冷量缓存单元、冷源单元、第一换热单元和第二换热单元,冷源单元用于提供冷量,冷量缓存单元用于从冷源单元获取冷量以及提供冷量缓存或冷量释放,第一换热单元用于对电...
  • 本文公开了一种绝缘导热垫片、电控装置及空调器。绝缘导热垫片包括垫片主体,垫片主体包括易断裂段和多个接触段,垫片主体设于电控装置的散热器上,电控装置的电路板位于垫片主体的背向散热器的一侧,电路板的电器元件与接触段一一对应相抵接,易断裂段位于多...
  • 本公开涉及一种三维半导体结构及其制作方法,涉及集成电路领域,三维半导体结构包括:衬底;第一DRAM堆叠结构,包括在衬底上交替堆叠的第一半导体层和第一层间介质层,还包括沿垂直于衬底的方向间隔排布的第一DRAM单元,相邻的第一DRAM单元通过第...
  • 本申请提供一种半导体器件及其制造方法、存储系统。方法包括:于半导体层中形成沿第一方向延伸且位于阵列区和栅极隔断区的栅极凹槽,并于栅极凹槽中形成第一初始栅极导电层;于第一初始栅极导电层上形成至少填充栅极凹槽且包括位于栅极凹槽中的开口并覆盖栅极...
  • 本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备。该半导体结构的制备方法包括:提供一衬底;依次交替形成第一绝缘层和牺牲层;形成沿垂直于衬底方向延伸的第一沟槽和环绕设置在第一沟槽外周的第二沟槽;在第二沟槽内形成非晶态材料的半导...
  • 本公开提供一种半导体结构及其制造方法,包括:第一堆叠结构,所述第一堆叠结构具有用于键合的第一表面;所述第一堆叠结构内包括晶体管阵列和电荷存储阵列,所述晶体管阵列和所述电荷存储阵列在垂直于所述第一表面的方向上堆叠,所述晶体管阵列相较于所述电荷...
  • 一种动态随机存取存储单元及其形成方法、动态随机存取存储器,其中动态随机存取存储单元包括:晶体管结构,所述晶体管结构包括栅极、源极和漏极;熔丝结构,所述熔丝结构与所述漏极电连接;存储电容,所述存储电容与所述熔丝结构电连接,且所述熔丝结构的熔断...
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