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最新专利技术
  • 一种双投高压隔离开关的位置检测防护装置
    一种双投高压隔离开关的位置检测防护装置_北京鲸悦能源技术有限公司_202311740104.1
    本发明涉及电气设备技术领域，尤其为一种双投高压隔离开关的位置检测防护装置，包括开关底座、第一端部、第二端部和刀闸本体，还包括：栓接在刀闸本体一侧的接触板；设置在开关底座下方的绝缘箱体；本发明通过刀闸在合闸的过程中下压活动绝缘杆，使活动绝缘杆...
    2026-03-26
  • 毫米波通信行波管多级降压收集极及工作电压设计方法
    毫米波通信行波管多级降压收集极及工作电压设计方法_中国电子科技集团公司第十二研究所_202311743942.4
    本发明公开一种毫米波通信行波管多级降压收集极的工作电压设计方法，所述收集极包括N个内收集极，N≥3，所述方法包括导入并分析收集极的饱和入口文件及线性入口文件；根据饱和电子剩余能量曲线拐点电压值确定第1内收集极的工作电压，根据阴极电压的绝对值...
    2026-03-26
  • 一种离子源结构及加工设备
    一种离子源结构及加工设备_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311749404.6
    本发明提供了一种离子源结构及加工设备，该离子源结构包括：离子源腔体，离子源腔体包括第一侧壁，以及在第一方向上相对设置的第一底部区域和第一开口区域；N套栅网组件，栅网组件位于第一开口区域远离第一底部区域的一侧，N套所述栅网组件在所述第一方向上...
    2026-03-26
  • 一种多焦点聚焦离子源系统、加工设备及其加工方法
    一种多焦点聚焦离子源系统、加工设备及其加工方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311747426.9
    本发明提供了一种多焦点聚焦离子源系统、加工设备及其加工方法，该多焦点聚焦离子源系统包括离子源组件，离子源组件包括放电腔室，放电腔室包括侧壁以及在第一方向上相对设置的底部区域和开口区域，放电腔室内部用于产生等离子体；固定在开口区域一侧的栅网组...
    2026-03-26
  • 硅空腔结构的制备方法
    硅空腔结构的制备方法_上海集成电路研发中心有限公司_202311740442.5
    本发明提供了一种硅空腔结构的制备方法，所述方法应用于半导体技术领域。具体的，其可先在第一硅衬底上形成空腔结构模板层，之后再利用灰化工艺或湿法刻蚀工艺、外延工艺、填充工艺等在所述空腔结构模板层内形成顶部通过所述第二凹槽与外界相通且底部和侧壁由...
    2026-03-26
  • 一种碳化硅衬底晶圆的清洗方法
    一种碳化硅衬底晶圆的清洗方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202311745879.8
    本发明提供了一种碳化硅衬底晶圆的清洗方法，属于碳化硅衬底清洗技术/工艺领域，本发明中的清洗方法可以更有效地解决CMP后碳化硅衬底晶圆表面抛光液、液态蜡、氧化层、金属离子等脏污残留的问题，提供了一整套更有效的体系清洗方法，可以有效提高产品的表...
    2026-03-26
  • 制备具有超低介电常数薄膜的半导体元件的方法
    制备具有超低介电常数薄膜的半导体元件的方法_成都紫光半导体科技有限公司_202311753810.X
    本公开涉及制备具有超低介电常数薄膜的半导体元件的方法，该方法包括以下步骤：S1、将第一半导体元件放置于第一反应腔内，开始形成所述超低介电常数薄膜；将第二半导体元件放置于第二反应腔内，间隔10～50s后，开始形成所述超低介电常数薄膜；将第三半...
    2026-03-26
  • 制备具有氮化硅钝化介质薄膜的半导体元件的方法和得到的半导体元件
    制备具有氮化硅钝化介质薄膜的半导体元件的方法和得到的半导体元件_成都紫光半导体科技有限公司_202311753802.5
    本公开涉及制备具有氮化硅钝化介质薄膜的半导体元件的方法和得到的半导体元件，该方法包括：在所述半导体元件的表面，采用等离子增强化学气相沉积的方式形成氮化硅钝化介质薄膜；所述等离子增强化学气相沉积的条件包括：压力为2.0Torr以上，射频功率为...
    2026-03-26
  • 半导体结构的料盒
    半导体结构的料盒_华润润安科技(重庆)有限公司_202311746906.3
    本申请提供一种半导体结构的料盒。所述半导体结构的料盒包括料盒本体和第一限位装置。料盒本体具有用于放置半导体结构的容纳腔，料盒本体的一侧设有与容纳腔连通的第一开口。第一限位装置包括第一限位杆、与第一限位杆驱动连接的第一驱动件及用于对第一驱动件...
    2026-03-26
  • 一种半导体结构的制备方法
    一种半导体结构的制备方法_上海集成电路研发中心有限公司_202311740438.9
    本发明提供了一种半导体结构的制备方法，所述方法应用于半导体技术领域。具体的，其可先在金属互连层上形成至少包含第一绝缘介质层、牺牲介质层和第二绝缘介质层的待图形化膜层结构，然后在利用光刻、刻蚀、沉积等多步半导体制程工艺，在所述待图形化膜层结构...
    2026-03-26
  • 测试结构及测试方法
    测试结构及测试方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311750522.9
    一种测试结构及测试方法，结构包括：基底，所述基底包括切割道区；测试信号加载单元，位于所述切割道区的基底顶部，所述测试信号加载单元包括多个测试信号加载端，多个所述测试信号加载端沿第一方向和第二方向呈矩阵间隔排布，所述第一方向和第二方向相垂直；...
    2026-03-26
  • 芯片封装结构及其封装方法、电路板组件、终端
    芯片封装结构及其封装方法、电路板组件、终端_华为技术有限公司_202311754868.6
    本申请实施例提供一种芯片封装结构及其封装方法、电路板组件、终端，涉及半导体技术领域，用于减小芯片封装结构的尺寸。芯片封装结构包括衬底、第一重布线层、第一器件、第二重布线层、至少一个深槽电容。衬底的第一侧开设有多个容纳腔，深槽电容设置在衬底的...
    2026-03-26
  • 电极极片及其制备方法、二次电池和装置
    电极极片及其制备方法、二次电池和装置_蔚来电池科技(安徽)有限公司_202311744528.5
    本申请涉及电极极片及其制备方法、二次电池和装置。本申请的电极极片包括：复合集流体，复合集流体包括聚合物层和设置在聚合物层表面的金属层；干电极膜，干电极膜设置在金属层表面，干电极膜包括活性材料和粘结剂，所述粘接剂包括可纤维化粘接剂和第一粘接剂...
    2026-03-26
  • 一种干电极膜和制备其的方法
    一种干电极膜和制备其的方法_蔚来电池科技(安徽)有限公司_202311744834.9
    本发明提供了一种干电极膜，该干电极膜包括活性材料和粘结剂，所述粘结剂包括聚偏二氟乙烯，且基于所述粘结剂的总重量计，所述聚偏二氟乙烯的含量为30重量％至90重量％，其中，所述聚偏二氟乙烯包含二次颗粒，所述二次颗粒由一次颗粒聚集形成，且一次颗粒...
    2026-03-26
  • 负极活性材料、其制备方法、负极极片、二次电池和装置
    负极活性材料、其制备方法、负极极片、二次电池和装置_蔚来电池科技(安徽)有限公司_202311744857.X
    本发明提供了一种负极活性材料、其制备方法、负极极片、二次电池和装置。负极活性材料包括碳基材料和FePX3纳米片，FePX3纳米片掺杂在碳基材料中，X为S或Se，负极活性材料的粒度为550nm～75...
    2026-03-26
  • 负极材料、其制备、负极极片、二次电池和装置
    负极材料、其制备、负极极片、二次电池和装置_蔚来电池科技(安徽)有限公司_202311748480.5
    本申请提供了一种负极材料、其制备、负极极片、二次电池和装置，该负极材料包括硅基材料，位于所述硅基材料至少一部分表面上的第一包覆层，以及位于所述第一包覆层至少一部分表面上的第二包覆层，其中，所述第一包覆层包括无定形碳；所述第二包覆层包括钛酸锂...
    2026-03-26
  • 负极活性材料、其制备方法、负极极片、二次电池和装置
    负极活性材料、其制备方法、负极极片、二次电池和装置_蔚来电池科技(安徽)有限公司_202311750148.2
    本申请提供了一种负极活性材料、其制备方法、负极极片、二次电池和装置。负极活性材料包括：碳基材料和CoPX3纳米点，CoPX3纳米点掺杂在碳基材料中，X为S或Se；负极活性材料的粒径为600～100...
    2026-03-26
  • 正极浆料、正极极片、包括其的电化学装置及电子装置
    正极浆料、正极极片、包括其的电化学装置及电子装置_蔚来电池科技(安徽)有限公司_202311748616.2
    本申请提供了一种正极浆料、正极极片、包括其的电化学装置及电子装置。正极浆料包括活性材料和导电剂，该正极浆料满足：
    2026-03-26
  • 正极浆料、正极极片、包括其的电化学装置和电子装置
    正极浆料、正极极片、包括其的电化学装置和电子装置_蔚来电池科技(安徽)有限公司_202311748635.5
    本申请提供了一种正极浆料、正极极片、包括其的电化学装置和电子装置。正极浆料包括活性材料、导电剂和分散剂，正极浆料满足：
    2026-03-26
  • 多孔碳材料、硅基复合材料及制备方法、负极和二次电池
    多孔碳材料、硅基复合材料及制备方法、负极和二次电池_兰溪致德新能源材料有限公司_202311748813.4
    本发明提供了一种多孔碳材料、硅基复合材料及制备方法、负极和二次电池，具体涉及二次电池技术领域。所述多孔碳材料包含纳米碳点微晶；所述纳米碳点微晶的尺寸为2～8nm。所述纳米碳点微晶包括石墨烯量子点微晶；所述多孔碳材料包含无定形连续区域，所述纳...
    2026-03-26
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