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基于RRAM忆阻器件的简化传感器内计算架构电路
一种基于RRAM忆阻器件的简化传感器内计算架构电路, 包括:一个存算单元和一个微型控制器, 其中:存算单元缓存所有传感器阵列采集并经放大器放大后的模拟源数据, 并根据来自微型控制器的请求进行存内原位计算后, 将计算结果转换为数字信号并输出至...
分栅式闪存及操作方法
本申请公开了一种分栅式闪存及操作方法, 该分栅式闪存包括字线、位线以及存储单元, 存储单元包括衬底、浮栅以及位于衬底与浮栅之间的氧化物材料层, 该操作方法通过在对待读取的存储单元执行读取操作或验证操作之前, 对待读取的存储单元执行去缺陷操作...
存储器装置和执行编程操作的方法
本公开涉及一种存储器装置和执行编程操作的方法, 该存储器装置可以包括:存储器单元阵列, 包括连接到多条字线的存储器单元;外围电路, 被配置为在将编程电压施加到从多个字线中选择的选择字线直到选择字线的电压电平达到目标电平的电压上升时段期间, ...
存储器装置及其操作方法、存储器系统
本公开实施例公开了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统, 该存储器装置包括外围电路;外围电路包括页缓存器组、错误位信号生成电路以及多个第一晶体管;页缓存器组包括N个页缓存器, 错误位信号生成电路与页缓存器的感测节点连接;N为大于1的整数;...
存储器装置中的多遍编程
公开了示例存储器装置、系统和用于存储器装置中的多遍编程的方法。一种示例方法包括基于第一数据生成层级指示符数据, 其中, 将基于第一编程操作和第二编程操作将第一数据存储在存储器装置中。执行编程操作以将层级指示符数据存储在存储器装置的存储器单元...
一种动态擦除方法和存储系统
本发明实施例公开了一种动态擦除方法和存储系统。本发明实施例的方法为确定目标存储系统的性能需求数据和剩余可写入空间, 根据性能需求数据和剩余可写入空间确定预估擦除时间, 根据预估擦除时间确定目标存储系统对应的擦除策略, 擦除策略包括目标存储系...
包括虚设存储器块的存储器件
一种存储器件, 包括存储器单元结构, 该存储器单元结构包括多个存储器块, 其中, 该多个存储器块包括至少一个虚设存储器块和多个主存储器块, 该多个主存储器块中的每一个包括第一类型的串组, 并且, 该至少一个虚设存储器块包括第一类型的串组和第...
并发维护及写入操作
本申请案涉及并发维护及写入操作。在一些例子中, 存储器系统可正执行维护操作(例如折叠操作)且可(例如从主机系统)接收写入命令。所述存储器系统可暂停所述维护操作且可使用第一类型的写入操作(例如单遍次写入操作)来写入与所述写入命令相关联的数据。...
一种硬盘故障检测方法、系统及相关装置
本申请提供一种硬盘故障检测方法、系统及相关装置, 其中, 存储设备包含至少一个多端口设备, 每个多端口设备连接至少一个硬盘, 检测设备对存储设备中的每个多端口设备进行以下处理:对连接同一个多端口设备的每个硬盘进行逐个访问, 在检测到存在硬盘...
安全内置自测试(BIST)
描述了用于安全内置自测试的技术。一些示例包括:安全测试模式生成器, 用于使用伪随机函数(PRF)电路系统来生成安全测试模式;扫描导出散列引擎, 用于对要被测试的电路的扫描导出进行散列;以及比较电路, 用于将经散列的扫描导出与已知值进行比较以...
一种基于LDPC码译码特性降低TLC型NAND闪存读取时延的方法
本发明提出一种基于LDPC码译码特性降低TLC型NAND闪存读取时延的方法, 属于固态储存技术领域, 本发明解决TLC型NAND闪存在使用寿命的中后期, 当读取数据的可靠性下降时, LDPC码面临严重的译码时延的问题, 包括:根据LDPC译...
一种故障器件修复方法、装置、电子设备及介质
本申请公开一种故障器件修复方法、装置、电子设备及介质, 涉及存储芯片测试技术领域, 用于修复存储芯片中的故障器件, 针对当前存储芯片良率低的问题, 提供一种故障器件修复方法, 通过对寄存器进行数据读写以确定其中的故障器件;之后, 通过对故障...
一种存储芯片、修复方法及相关设备
本申请涉及芯片技术领域, 尤其涉及一种存储芯片、修复方法及相关设备, 该芯片中MBIST电路通过存储映射器与多个RAM中的每个RAM耦合;MBIST电路, 用于对多个RAM中的每个RAM进行检测, 并向存储映射器发送修复信息;修复信息用于指...
芯片测试方法、设备及存储器芯片
本公开实施例公开了一种芯片测试方法、设备及存储器芯片。芯片测试方法包括:进入压缩读写测试模式, 通过待测芯片的测试焊盘向第一目标地址选中的存储单元写入测试数据;进入正常读写测试模式, 在待测芯片内部, 将测试数据通过数据焊盘进行预设次数的内...
测试方法、装置、设备、存储介质以及程序产品
本公开公开了一种测试方法、装置、设备、存储介质以及程序产品, 该测试方法包括:在第一时钟频率下, 通过第一写命令向待测芯片的第一地址写入第一数据;在第二时钟频率下, 向待测芯片发送至少一个第一读命令和第二写命令, 且至少一个第一读命令和第二...
一种半导体测试结构及其制造方法
本公开实施例提供了一种半导体测试结构及其制造方法, 其中, 半导体测试结构包括:测试阵列区, 包括阵列排布的测试有源区。沿第一方向排列的多个测试导电线组, 每个测试导电线组包括相邻设置的两条测试导电线以及连接两条测试导电线的第一端的连接部,...
一种基于FRT表的测试方法、装置、设备及存储介质
本公开提供了一种基于FRT表的测试方法、装置、设备及存储介质, 涉及计算机技术领域。方法包括:生成测试序列;测试序列能够覆盖FRT表中的电压组合;基于测试序列, 确定测试模式;测试模式为索引模式或全域模式;基于测试模式和测试序列, 在FRT...
一种存储设备质量检测方法、装置、电子设备及存储介质
本申请公开了一种存储设备质量检测方法、装置、电子设备及存储介质, 涉及计算机技术领域, 包括以存储块为缺陷检测单位, 对存储块中每个比特位的读写错误情况进行统计, 即生成错误比特位分布图, 最后通过分析错误比特位分布图表征的存储块缺陷范围,...
存储芯片整合测试系统
本发明公开了一种存储芯片整合测试系统, 包括测试容器、测试载板、电性测试模块和多个功能测试模块, 所述测试容器设置有温度可调的测试腔体;所述测试载板放置于所述测试腔体内, 用于插置待测的存储芯片;所述功能测试载板连接至测试载板, 用于对插置...
一种用于测试存储设备读写性能的主机平台、系统及方法
本发明提供一种用于测试存储设备读写性能的主机平台、系统及方法, 该主机平台包括:配置解析模块, 用于获取配置文件, 并解析其中的内容;事务处理模块, 用于根据配置解析模块解析的内容创建测试命令, 并以主机时钟加命令引脚的方式发送给存储设备端...
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