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最新专利技术
  • 一种电感耦合等离子体质谱仪低真空的接口
    一种电感耦合等离子体质谱仪低真空的接口_四川长青松科技有限公司_202510818577.1
    本申请涉及质谱仪技术领域， 尤其是涉及一种电感耦合等离子体质谱仪低真空的接口， 其包括基座， 所述基座的顶部固定安装有电感耦合等离子体质谱仪本体。本申请应用期间通过三通管与双电磁阀构建双通路抽真空系统， 将设备本体与真空连接中转箱独立控制，...
    2026-03-22
  • 光电离检测器(PID)灯组件和制造PID灯组件的方法
    光电离检测器(PID)灯组件和制造PID灯组件的方法_生命安全销售股份有限公司_202410364333.6
    本发明涉及光电离检测器(PID)灯组件和制造PID灯组件的方法。公开了一种光电离检测器(PID)灯组件。该PID灯组件包括在其内限定灯室的帽， 并且该帽具有阶梯状孔口。此外， 水晶窗密封在帽上， 并且被配置成允许紫外(UV)光通过。此外， ...
    2026-03-22
  • 叠合标记的制造方法
    叠合标记的制造方法_华邦电子股份有限公司_202410552381.8
    本发明提供一种叠合标记的制造方法。于目标层上形成第一掩模环。于第一掩模环上形成第一介电层。于第一介电层上形成第二掩模环。在第一方向上， 第一掩模环的长度大于第二掩模环的长度。在第二方向上， 第一掩模环的长度小于第二掩模环的长度。对第二掩模环...
    2026-03-22
  • 用于边缘刻蚀装置的处理方法以及边缘刻蚀方法
    用于边缘刻蚀装置的处理方法以及边缘刻蚀方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510627483.6
    本公开提供了用于边缘刻蚀装置的处理方法以及边缘刻蚀方法；所述边缘刻蚀装置包括上承载台和下承载台， 所述处理方法包括：通过控制所述上承载台的第一抵接部和所述下承载台的第二抵接部的抵接面发生形变， 来修整所述抵接面的缺陷。
    2026-03-22
  • 一种实现SiC减薄后超低翘曲的激光应力释放的工艺方法
    一种实现SiC减薄后超低翘曲的激光应力释放的工艺方法_安徽微芯长江半导体材料有限公司_202510833438.6
    本发明涉及SiC材料加工领域， 尤其是涉及一种实现SiC减薄后超低翘曲的激光应力释放的工艺方法。其包括在减薄前对SiC晶片C/Si面进行阵列式激光打孔预处理， 通过紫外激光精确打孔形成应力缓冲带， 并结合超声清洗去除熔渣， 优化砂轮磨削参数...
    2026-03-22
  • 一种激光剥离4H-SiC晶圆的高效低损磨削方法
    一种激光剥离4H-SiC晶圆的高效低损磨削方法_山东大学_202510834749.4
    本发明公开了一种激光剥离4H‑SiC晶圆的高效低损磨削方法， 包括如下步骤：采用激光对4H‑SiC晶体内部进行定向改质处理， 形成剥离层， 将晶圆与晶体分离；将激光剥离后的晶圆进行显微观察， 识别其激光改质层、结构过渡层和本征SiC层；根据...
    2026-03-22
  • 基于复合清洗工艺的多膜层晶圆表面污染物去除方法
    基于复合清洗工艺的多膜层晶圆表面污染物去除方法_中国科学院光电技术研究所_202510894355.8
    本发明涉及SP光刻技术领域， 具体涉及一种基于复合清洗工艺的多膜层晶圆表面污染物去除方法， 所述多膜层晶圆为经过表面等离子体光刻后的晶圆， 表面至少包括底层反射金属膜层和曝光显影后的光刻胶层， 所述方法包括以下步骤：S1、将待清洗的所述多膜...
    2026-03-22
  • 一种利用红外激光剥离衬底制备半导体器件的方法及器件
    一种利用红外激光剥离衬底制备半导体器件的方法及器件_苏州纳维科技有限公司_202510898557.X
    本发明公开了一种利用红外激光对衬底剥离制备半导体器件的方法及器件， 该方法包括如下步骤：提供衬底；在衬底上形成高掺杂牺牲层；其中， 通过调节高掺杂牺牲层的掺杂浓度调整高掺杂牺牲层的能带结构， 进而调整高掺杂牺牲层对红外激光的吸收率；在高掺杂...
    2026-03-22
  • 可降低退火热应力的含锑化铟异质晶圆制备方法及产品
    可降低退火热应力的含锑化铟异质晶圆制备方法及产品_达波科技(上海)有限公司_202511180090.1
    本申请涉及可降低退火热应力的含锑化铟异质晶圆制备方法及产品， 属于含锑化铟异质晶圆制造技术领域。该方法包括：提供供体锑化铟衬底， 离子注入形成离子注入层、弱化层和供体衬底余质层；提供载体锑化铟衬底；在载体锑化铟衬底和供体锑化铟衬底表面沉积A...
    2026-03-22
  • 一种半导体复合衬底的制备方法
    一种半导体复合衬底的制备方法_深圳平湖实验室_202511188592.9
    本公开实施例提供了一种半导体复合衬底的制备方法， 通过对将氢离子注入后的薄膜转移衬底的Si面进行面型处理， 在Si面的表面形成的损伤层可以抵消氢离子注入后产生的应力形变， 从而得到低翘曲度的薄膜转移衬底， 提升后续键合质量， 最终可以得到高...
    2026-03-22
  • 硬掩模叠层及其制作方法
    硬掩模叠层及其制作方法_重庆芯联微电子有限公司_202510650703.7
    本发明提供了一种硬掩模叠层及其制作方法， 属于半导体领域。硬掩模叠层包括基底层。中间层， 所述中间层至少包括第一薄膜层和第二薄膜层， 所述第一薄膜层设置于所述基底层表面， 以及覆盖层， 设置于所述第二薄膜层的表面。其中， 所述中间层的材料包...
    2026-03-22
  • 一种降低表面损伤的低温键合方法及其键合片
    一种降低表面损伤的低温键合方法及其键合片_达波科技(上海)有限公司_202511141949.8
    本发明提供了一种降低表面损伤的低温键合方法及其键合片， 涉及晶圆键合技术领域。在高真空环境下， 分别将待键合的第一晶片和第二晶片的键合面采用第一原子束进行第一次辐照处理， 得到第一活化层；将步骤S1第一次辐照处理后的键合面采用第二原子束进行...
    2026-03-22
  • 一种在基于图形化硅衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法
    一种在基于图形化硅衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法_西南交通大学_202510995598.0
    本发明提供一种在基于图形化硅衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法， 包括以下步骤：S1、选用具有凹型图案的图形化硅衬底；S2、利用化学气相沉积方法在所述图形化硅衬底上直接生长数层的石墨烯薄膜；S3、通过金属有机化学气相沉积方法在生长完石墨烯薄膜的...
    2026-03-22
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511186831.7
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法， 具体涉及半导体领域。所述制造方法包括以下步骤：提供衬底， 所述衬底内形成有若干浅沟槽隔离结构， 相邻所述浅沟槽隔离结构之间的衬底为有源区， 所述有源区上覆盖有垫氧化层；在所述衬底上形成第一图形化的光阻...
    2026-03-22
  • 硅基底的应力释放方法
    硅基底的应力释放方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202410356868.9
    本发明的硅基底的应力释放方法包括：对硅基底置于硅基底激光束下加热， 同时向所述硅基底施加纳秒级电压脉冲；将所述硅基底冷却至室温；以及对所述硅基底进行性能测试。该方法简单高效、成本低， 能够在较短时间内实现应力释放， 同时不会引起晶体生长和相...
    2026-03-22
  • 一种通过激光处理提高碲锌镉厚膜表面质量的方法
    一种通过激光处理提高碲锌镉厚膜表面质量的方法_成都信息工程大学_202511202610.4
    本发明之目的是提供一种通过激光处理提高碲锌镉厚膜表面质量的方法。碲锌镉厚膜处理技术领域， 包括预处理：用去离子水冲洗碲锌镉厚膜样品表面3min；随后用无水乙醇冲洗样品表面5min， 将样品浸泡在无水乙醇中超声波清洗2min；将样品浸泡在丙酮...
    2026-03-22
  • 一种半导体硅基板的加工方法
    一种半导体硅基板的加工方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202410354963.5
    本发明公开了一种半导体硅基板的加工方法， 包括：在半导体硅基板的表面上形成第一层硅膜；在所述第一层硅膜的表面上形成第二层硅膜；通过化学反应或退火处理， 使所述第二层硅膜发生固相晶化， 并形成晶粒；在所述第二层硅膜中形成横向孔隙结构。采用本发...
    2026-03-22
  • 蚀刻方法
    蚀刻方法_SPTS科技有限公司_202411634185.1
    本申请涉及一种蚀刻方法。根据本发明， 提供一种对包括至少一个GaN或GaN合金层的衬底进行等离子体蚀刻以形成特征的方法， 所述方法包括以下步骤：(a)提供上面形成有掩模的衬底， 所述掩模具有开口， 其中所述衬底包括至少一个GaN或GaN合金...
    2026-03-22
  • 用于等离子体蚀刻衬底的方法和设备
    用于等离子体蚀刻衬底的方法和设备_SPTS科技有限公司_202411634414.X
    本申请案的实施例涉及用于等离子体蚀刻衬底的方法和设备。一种等离子体蚀刻衬底的方法， 所述方法包括：(a)提供其上形成有掩模的衬底， 所述掩模具有开口， 其中所述衬底包括至少一个GaN或GaN合金层；(b)执行第一等离子体蚀刻步骤以通过所述开...
    2026-03-22
  • 半导体基体的处理方法
    半导体基体的处理方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202410365916.0
    本发明的半导体基体的处理方法包括：在半导体基体的表面形成介质层；在所述介质层上沉积弹性材料层；以及在所述弹性材料层上沉积元器件。该方法简单高效， 能够改善半导体基体的柔韧性， 从而适应更广的应用范围。
    2026-03-22
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