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最新专利技术
  • 一种用于保温杯的纯钛微弧氧化涂层及其制备方法
    一种用于保温杯的纯钛微弧氧化涂层及其制备方法_希诺股份有限公司_202511031406.0
    本发明涉及涂层材料技术领域， 公开了一种用于保温杯的纯钛微弧氧化涂层及其制备方法， 包括以下步骤：表面预处理， 将纯钛保温杯内胆工件依次进行脱脂、酸洗和超声清洗；电解液配制， 按重量份计， 将含硅化合物15‑25份、金属盐5‑12份、抗菌剂...
    2025-12-25
  • 一种镁表面致密微弧氧化膜层的制备方法
    一种镁表面致密微弧氧化膜层的制备方法_青海理工学院_202510849892.0
    本发明涉及金属表面防护处理领域， 公开了一种镁表面致密微弧氧化膜层的制备方法， 包括以下步骤：(1)对镁合金基体进行预处理；(2)在预处理后的基体表面进行微弧氧化处理， 微弧氧化电解液包含硅酸盐、氟化物和氢氧化物；(3)将微弧氧化处理后的试...
    2025-12-25
  • 医用镁合金表面纳米颗粒微弧氧化涂层的制备方法及其应用
    医用镁合金表面纳米颗粒微弧氧化涂层的制备方法及其应用_山东第一医科大学(山东省医学科学院)_202511019163.9
    本发明提供了医用镁合金表面纳米颗粒微弧氧化涂层的制备方法及其应用。制备方法包括如下步骤：制备电解液， 电解液成分包括甘油磷酸钙、六偏磷酸钠、氢氧化钾、氟化氢铵、甘油、过氧化氢、Nano‑SiO2、纳米羟基磷灰石；这些成分依次加入超纯水中， ...
    2025-12-25
  • 一种多工位高精密超硬砂轮仿形电镀设备
    一种多工位高精密超硬砂轮仿形电镀设备_白鸽磨料磨具有限公司_202511040271.4
    本发明涉及电镀设备技术领域， 具体为一种多工位高精密超硬砂轮仿形电镀设备， 包括机架， 机架通过螺钉安装有升降机构， 升降机构通过螺钉安装有驱动机构和仿形电镀机构、若干皮带丙， 机架设有镀槽， 升降机构带动仿形电镀机构进行升降运动进入或者离...
    2025-12-25
  • 一种高速算力模块用精细铜镀层的柔性电路板制作方法
    一种高速算力模块用精细铜镀层的柔性电路板制作方法_深圳市实锐泰科技有限公司_202511295044.6
    本发明公开了一种高速算力模块用精细铜镀层的柔性电路板制作方法， 向电镀缸的顶部设置溢流槽， 并向电镀缸设置由泵体和过滤系统组成的溢流循环过滤系统， 形成溢流电镀缸；溢流循环过滤系统的入液口和出液口通过管道分别连接溢流槽的底端和电镀缸；制作并...
    2025-12-25
  • 一种提升弹簧产品离子液体电镀镀层质量的装置和方法
    一种提升弹簧产品离子液体电镀镀层质量的装置和方法_首都航天机械有限公司_202510626578.6
    本发明涉及一种提升弹簧产品离子液体电镀镀层质量的装置和方法， 属于离子液体电镀铝技术领域， 本发明装置包括中心螺杆、上卡头、下支撑座和金属丝， 中心螺杆侧壁面上缠绕金属丝， 中心螺杆上下两端分别连接有金属丝， 两端金属丝分别连接阳极和阴极，...
    2025-12-25
  • 一种五金工件电镀槽处理系统
    一种五金工件电镀槽处理系统_深圳市新富华表面技术有限公司_202511195554.6
    本发明公开了一种五金工件电镀槽处理系统， 具体涉及五金工件电镀处理技术领域， 本发明通过设置交替夹持旋转组件， 由夹持件一和夹持件二对五金工件的两端固定， 夹持旋转单元二解除对五金工件另一端的夹持限制， 驱动轴一表面的键块与夹板一的键槽配合...
    2025-12-25
  • 一种可调节高度的PCB电镀挂篮
    一种可调节高度的PCB电镀挂篮_益阳维胜科技有限公司_202511030092.2
    本发明公开了一种可调节高度的PCB电镀挂篮， 涉及挂篮高度调节的技术领域， 包括外框架， 外框架开口端安装有横杆， 横杆面向外框架内的一面上安装有圆筒， 横杆上表面开设有圆孔， 圆孔内安装有调节件， 调节件设置在圆筒内， 圆筒内安装有多个推...
    2025-12-25
  • 一种用于铆钉加工的表面镀铬装置
    一种用于铆钉加工的表面镀铬装置_苏州竑宇金属制品有限公司_202511075624.4
    本发明公开了一种用于铆钉加工的表面镀铬装置， 应用于铆钉加工技术领域， 包括电镀池， 所述电镀池的内部分别开设有清水槽和电镀槽， 所述电镀池的顶部设置有滑动支架， 所述电镀池的内部安装有同滑动支架配合使用的调节机构， 所述滑动支架的底部安装...
    2025-12-25
  • 一种微纳米梯度多孔Ti-Ta-Cu材料及其制备方法与应用
    一种微纳米梯度多孔Ti-Ta-Cu材料及其制备方法与应用_暨南大学_202510759358.0
    本发明公开了一种微纳米梯度多孔Ti‑Ta‑Cu材料及其制备方法与应用。方法包括：一、电弧熔炼制备成分均匀分布的Ti‑Ta‑Cu合金；二、将样品经前处理， 然后在含HF与HNO3的电解液中进行电化学梯度去合金化， 得到微纳米多孔Ti‑Ta‑C...
    2025-12-25
  • 一种大面积的hBN单晶生长配方及生长方法
    一种大面积的hBN单晶生长配方及生长方法_南京信息工程大学_202510925621.9
    本发明公开了一种大面积的hBN单晶生长配方及生长方法。该配方包括如下成分：特定金属溶剂材料、前驱体材料、还原剂材料和保护气。本发明通过采用特定比例的Ni–Cr二元金属溶剂， 并结合容器体积系统性地确定配方材料的参数， 有效减少了金属溶剂表面...
    2025-12-25
  • 一种易剥离的hBN单晶生长配方及生长方法
    一种易剥离的hBN单晶生长配方及生长方法_南京信息工程大学_202510925622.3
    本发明公开了一种易剥离的hBN单晶生长配方及生长方法。该配方包括如下成分：特定金属溶剂材料、前驱体材料、还原剂材料和保护气。本发明采用特定比例的Fe–Ni–Cr三元金属溶剂， 在hBN晶体下方诱导形成BN粉末隔离层。根据不同的配方参数， 结...
    2025-12-25
  • 一种多层水冷结构的石英铸锭炉炉体
    一种多层水冷结构的石英铸锭炉炉体_江阴绿源环保科技有限公司_202510718313.9
    本发明公开了一种多层水冷结构的石英铸锭炉炉体， 应用在石英铸锭制备领域， 包括外炉体， 所述外炉体的底部设置有水平调节机构， 所述外炉体的顶部盖设有炉盖；本发明通过使用工具转动螺栓头使转轴带动第二锥形齿轮转动， 第二锥形齿轮转动带动第一锥形...
    2025-12-25
  • 一种具有复合结构的高辐射率单晶炉热场加热器
    一种具有复合结构的高辐射率单晶炉热场加热器_常州四杰机械科技有限公司_202510930557.3
    本发明公开了一种具有复合结构的高辐射率单晶炉热场加热器, 包括保温罩以及设置在保温罩内的坩埚， 保温罩内壁围绕坩埚设置有主加热器， 坩埚下方设置有底部加热器， 所述主加热器内壁设置有支撑骨架， 支撑骨架由碳纤维增强SiC复合材料构成， 且表...
    2025-12-25
  • 坩埚及其制造方法
    坩埚及其制造方法_晶科能源股份有限公司_202510864446.7
    本申请涉及晶硅制造技术领域， 提供一种坩埚及其制造方法， 至少有利于提高单晶硅锭的品质同时提高坩埚的使用寿命。坩埚包括：内基材层， 内基材层的材料包括氧化钇、氧化锆和氧化硅， 内基材层包括由内向外依次层叠设置的表面功能层、过渡层和基体结合层...
    2025-12-25
  • 一种均匀多晶或单晶金刚石生长温度场的装置及金刚石生长方法
    一种均匀多晶或单晶金刚石生长温度场的装置及金刚石生长方法_上海晶世创新材料科技有限公司_202510929556.7
    本发明提供一种均匀多晶或单晶金刚石生长温度场的装置及金刚石生长方法， 涉及多晶或单晶金刚石晶体领域。本发明包括生长托、衬底片和若干个可依次堆叠放置的散热调节片， 衬底片设于生长托的顶部并用于沉积金刚石， 生长托用于放置在含有冷却水路的散热台...
    2025-12-25
  • 一种原料监测补充方法及气相外延装置
    一种原料监测补充方法及气相外延装置_苏州纳维科技有限公司_202511013502.2
    本申请属于气相外延技术领域， 涉及一种原料监测补充方法及气相外延装置；该原料监测补充方法应用于气相外延装置中的控制装置， 气相外延装置还包括生长装置以及与控制装置耦接的监测装置， 生长装置包括反应腔室与补充腔室， 监测装置设置于反应腔室内，...
    2025-12-25
  • 一种碳化硅外延炉载盘气浮装置
    一种碳化硅外延炉载盘气浮装置_武汉金信新材料有限公司_202511017203.6
    本发明公开了一种碳化硅外延炉载盘气浮装置， 涉及半导体加工技术领域。包括底座， 所述底座顶部中央设置有炉腔， 炉腔顶部中央设置有圆形基座， 圆形基座顶部安装有圆形载盘， 炉腔两侧内壁安装有温度传感器， 所述炉腔内壁设置有冷却机构， 冷却机构...
    2025-12-25
  • 加热装置
    加热装置_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510707635.3
    本公开提供了一种加热装置。加热装置包括：多个固定支架、多个支撑支架和加热丝；加热丝的一侧用于与基座可拆卸连接， 多个固定支架分别位于基座， 且位于基座和加热丝的另一侧之间， 每个固定支架上设置至少两个支撑支架支撑加热丝的另一侧， 每个固定支...
    2025-12-25
  • 异质集成结构及其制备方法
    异质集成结构及其制备方法_苏州镓港半导体有限公司_202511272743.9
    本发明公开了一种异质集成结构及其制备方法， 异质集成结构包括：衬底， 衬底具有相背设置的第一表面和第二表面， 第一表面包括间隔设置的第一区域和第二区域；介质层， 形成于第一区域的第一表面上；光子晶体层， 形成于所述第二区域的第一表面以及所述...
    2025-12-25
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