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  • 本发明属于连接器生产技术领域, 尤其涉及一种连接器自动装配设备, 包括工作台、进料工位、插针工位、插片工位、集料工位和送料装置;进料工位、插针工位、插片工位和集料工位通过生产流水线依次连接;进料工位用于将连接器运输至插针工位进行插针作业;插...
  • 本申请涉及生产设备的技术领域, 具体涉及一种照明灯具用接线端子生产设备, 其包括传输机构:用于传输底座;底座上料机构:用于将底座传输至传输机构上;导电片安装机构:用于将导电片安装至底座上;弹片安装机构:用于将弹片安装至底座上;外壳体安装机构...
  • 本发明公开了一种天线连接器自动组装装置, 属于组装设备技术领域, 本申请通过驱动电机驱动中心柱不间断持续旋转, 使得旋转台面、自切换限位机构、以及上部定位机构和下部压装机构的联动式凸轮竖移机构同步旋转;通过壳体送料通道、介质送料通道和中心针...
  • 本发明公开了一种太赫兹辐射源器件及系统, 所述太赫兹辐射源器件包括衬底;势垒层, 层叠于衬底之上;沟道层, 层叠于势垒层之上, 所述势垒层与沟道层界面处上方的沟道层中产生有二维电子气;及, 设置于所述沟道层上的源极、漏极及栅极, 所述源极和...
  • 本发明涉及包括多孔光阑的光学模块、包括多孔光阑的激光装置、用于生产多孔光阑的方法和多孔光阑。
  • 本公开涉及一种激光设备, 包括:激光器;固定支脚, 构造为刚性整体, 具有与激光器连接的第一紧固孔和与光学平台连接的第二紧固孔;至少两个挠性支脚, 挠性支脚包括连接至光学平台的第一部分以及连接至激光器的第二部分, 第二部分可弹性形变, 激光...
  • 本发明涉及聚光器件技术领域, 尤其涉及一种可快速均匀散热的灯泵激光聚光腔水冷系统。其技术方案包括控制系统和与其连通的激光器, 所述激光器包括腔体, 其内表面设有反射层和覆盖于反射层外表面的石英层;还包括多个沿腔体轴向间隔排布的中间隔水圈以及...
  • 本申请涉及激光器技术领域, 尤其涉及一种风冷光纤激光器。风冷光纤激光器, 包括:散热结构, 包括相连接的泵浦源散热器和盘纤散热器, 泵浦源散热器设有第一风道, 盘纤散热器设有第二风道, 第一风道与第二风道相互连通;泵浦源, 泵浦源设于泵浦源...
  • 本申请提供一种激光放大装置, 涉及光纤固体放大技术领域, 放大单元封装在外壳壳体内, 外壳壳体上设置有出光窗口, 放大激光信号通过出光窗口向外壳壳体外出射。放大单元包括依次设置的透镜、激光晶体、泵浦模块以及软边光阑, 泵浦模块出射的泵浦光入...
  • 本申请涉及飞秒光纤激光器技术领域, 公开一种飞秒光纤激光光谱整形装置。包括输入光纤、输出光纤和克尔介质, 克尔介质设置在输入光纤和输出光纤之间;所述输入光纤用于传输展宽后的啁啾脉冲激光, 所述啁啾脉冲激光不同光谱成分对应不同的瞬时峰值功率,...
  • 本发明公开了一种窄线宽光纤激光器, 所述激光器由种子激光模块、光谱展宽模块、相位共轭模块和光纤放大模块组成, 所述种子激光模块与所述光谱展宽模块输出的信号激光, 通过相位共轭模块产生相位共轭的信号激光, 所述相位共轭的信号激光进入光纤放大模...
  • 本申请提供的一种脉冲稳频涡旋激光器, 通过精心设计的连续光放大、倍频以及钾原子饱和吸收稳频环节, 构建了一个高度稳定的频率锁定系统, 该系统能够对激光频率的微小漂移进行快速、精确的检测和校正, 有效抑制频率漂移现象, 与传统涡旋激光器相比,...
  • 本申请涉及激光技术领域, 提供一种激光器, 包括:设置在聚光腔的第一激光晶体棒和反光镜之间的滑动组件, 第一激光晶体棒和反光镜沿第一方向设置;滑动组件上设置有KTP倍频晶体和短波通滤光片, 激光从第一激光晶体棒中射出后, 依次经过KTP倍频...
  • 本发明关于一种基于飞秒有源相移光纤光栅的深蓝光随机光纤激光器, 涉及激光技术领域。包括900nm随机激光种子光源、准直器、第一平凸透镜、倍频晶体、温控平台、第二平凸透镜和分光棱镜;900nm随机激光进入准直器;光束入射到倍频晶体中, 通过C...
  • 本发明涉及三波长皮秒激光系统, 包括:第一激光产生模块, 用于产生第一皮秒激光;第二激光产生模块, 设置于第一激光产生模块的光路下游, 第二激光产生模块接收第一皮秒激光, 并将其转换为第二皮秒激光;第三激光产生模块, 设置于第二激光产生模块...
  • 一种基于激光远程激发荧光的大功率光源, 其特征在于, 包括用于产生激光的激光二极管模块、对激光光束进行整形并将其聚焦到荧光膜上的光束整形模块和将激光转换成白光的荧光波长转换器;荧光波长器依次包括荧光膜、介质膜、透明基底和网格式导热膜片;荧光...
  • 本申请提供的一种通过控制气流在n型碳化硅衬底上制备氮化镓的方法涉及半导体激光器技术领域。该方法先对n型SiC衬底进行清洗与预处理, 再依次生长AlGaN层和GaN层, 在生长AlGaN层和GaN层过程中, 每隔一定时间依次单独通入金属源和N...
  • 本发明公开了一种集成器件的制备方法及结构, 其方法包括:将衬底划分前调制器区、后调制器区、前光栅区、增益区和后光栅区;在增益区制作选区外延掩膜图形, 在掩膜图形外的区域生长AlInGaAs有源层, 调控量子阱光荧光波长, 使调制器区的波长比...
  • 本申请公开了一种恒流控制电路及LD驱动板, 涉及电子技术领域。该电路包括:驱动电路、主回路以及反馈电路。主回路接有供电电源, 将主回路并联接入阻抗容易发生变化的LD元件后再与驱动电路串联, 由主回路与LD元件的并联部分以及驱动电路部分对供电...
  • 本发明涉及半导体光电器件的技术领域, 特别是涉及一种基于自支撑单晶衬底的单晶激光器及其生长方法, 从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层, 有源层、上波导层、上限制层, 其特征在于:所述衬底与下限制层之间具有光场耗散抑制层, 所述光场耗散...
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