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  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板、电控盒和电器设备, 半导体装置具有彼此垂直的第一方向和第二方向, 半导体装置包括:基板和驱动侧引脚框架, 基板包括沿所述第一方向间隔分布的第一逆变焊盘、第二逆变焊盘、PFC功率焊盘和整流桥焊盘, 第一逆变...
  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板、电控盒以及电器设备, 所述半导体装置包括:基板, 所述基板包括多个焊盘, 多个所述焊盘沿第一方向间隔设置;多个第一逆变芯片和多个第二逆变芯片, 多个所述第一逆变芯片和多个所述第二逆变芯片分别设置于多个所述...
  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备, 半导体装置具有横向和纵向, 其包括:塑封体;第一基板、第二基板和第三基板, 第一基板上设置有第一逆变功率焊盘, 第二基板上设置有第二逆变功率焊盘, 第三基板上设置有PFC(功率因数...
  • 本发明公开了半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备, 半导体装置包括:塑封体;基板;驱动侧引脚框架;所述PFC功率芯片包括PFC功率开关芯片和PCF二极管芯片, 所述PFC功率开关芯片设置于所述第一PFC功率焊盘部, 所述PCF二极管芯片...
  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板、电控盒和电器设备, 该半导体装置包括:基板, 基板包括沿第一方向间隔分布的PFC功率焊盘和整流焊盘;驱动侧引脚框架;其中, 整流焊盘包括第一整流焊盘、第二整流焊盘、第三整流焊盘和整流接地焊盘, 第一整流焊...
  • 本发明公开了半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备, 半导体装置包括:塑封体;基板;驱动侧引脚框架, 设定第一逆变功率焊盘部的一侧为第一逆变功率焊盘边界, 设定第二逆变功率焊盘部的一侧为第二逆变功率焊盘边界。由此, 通过使第一逆变功率焊盘...
  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备, 半导体装置包括:塑封体;基板;驱动侧引脚框架, 设定控制电极跳线引脚纵向邻近基板的一侧边缘为跳线引脚边界;设定PFC驱动芯片在纵向上邻近基板的边缘为PFC驱动芯片边界, 设定横向延...
  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备, 半导体装置包括:塑封体;基板;驱动侧引脚框架, PFC驱动引脚框架包括控制电极检测引脚、PFC电源地引脚、PFC驱动芯片供电电压引脚和PFC输入信号引脚;控制电极检测引脚间隔设置于...
  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备, 半导体装置具有横向和纵向, 其包括:塑封体;基板, 基板至少部分地设置于塑封体内, 基板包括横向上间隔设置的第一逆变功率焊盘、第二逆变功率焊盘和整流桥焊盘;第二连杆, 第二连杆的一...
  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板、电控盒和电器设备, 半导体装置具有彼此垂直的第一方向和第二方向, 半导体装置包括:基板和驱动侧引脚框架, 基板包括沿第一方向间隔分布的第一逆变焊盘和第二逆变焊盘, 第一驱动引脚和第二驱动引脚均为多个且均至...
  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板、电控盒和电器设备, 半导体装置包括:基板和驱动侧引脚框架, 基板包括沿第一方向间隔分布的逆变焊盘和PFC功率焊盘, PFC功率焊盘包括第一PFC功率焊盘和第二PFC功率焊盘, 第二PFC功率焊盘设置于第一...
  • 本发明提供了一种塑封功率模块结构, 包括:基板, 所述基板的第一层为布线层, 第二层为绝缘层, 至少一塑封体覆盖于所述布线层的上表面;功率芯片, 设置在所述基板上;功率端子, 所述功率端子为一体成型结构, 分为第一金属段和第二金属段, 且第...
  • 本发明涉及引线框架结构技术领域, 公开了一种新型引线框架结构, 包括引线框架本体, 所述引线框架本体的内壁固定连接有引线排, 所述引线排的外壁固定连接有基岛, 所述基岛的上方设置有芯片, 所述的外壁设置有连接体。所述连接体包括焊接脚, 所述...
  • 本申请公开了一种功率装置以及电控系统, 涉及电子电力领域, 装置包括:第一功率模块、第二功率模块、底板、输入端子、第一输出端子、第二输出端子以及预设数量个陶瓷片;第一功率模块包括预设数量个第一芯片组, 第二功率模块包括预设数量个第二芯片组;...
  • 本发明属于半导体顶部高散热芯片封装技术领域, 公开了一种无引脚顶部散热产品框架设计结构及方法, 通过框架引脚正面设置半蚀刻结构并配合背面浅蚀刻设计, 显著提升引脚散热效率与机械强度;框架基岛背面半蚀刻U型防溢胶槽有效阻止塑封料溢流, 正面梅...
  • 本申请公开一种引线框封装结构及其封装方法, 涉及半导体技术领域, 包括基岛和多个引脚本体, 基岛的顶面贴装有第一芯片, 第一芯片与引脚本体通过打线连接, 第一芯片、引脚本体靠近第一芯片的第一端和打线的外侧包覆有塑封体, 塑封体的顶面设置有天...
  • 本发明涉及芯片封装测评领域, 特别是涉及一种PI改进转接板、改进方案确定方法、介质及设备。包括:转接板本体, 在转接板本体的上下表面均设置焊球连接点;焊球连接点用于与连接焊球进行电性连接;至少一个深沟槽电容, 连接于转接板本体高压降供电区域...
  • 本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元, 包括载板、至少两个裸晶、第一介电层、第二介电层、多条导接线路及外护层, 各导接线路由填注于该第一介电层的多条第一凹槽与该第二介电层的多条第二凹槽内的金属膏所构成, 各导接线路的一端是与各裸晶的多个晶垫电...
  • 本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元, 包括载板、裸晶、第一介电层、第二介电层、多条导接线路及外护层, 其中各导接线路是由填注于该第一介电层的多条第一凹槽与该第二介电层的多条第二凹槽内的金属膏所构成, 各导接线路的一端是与该裸晶的多个晶垫电性...
  • 本发明涉及半导体技术领域, 提供一种基板结构及封装体。上述的基板结构包括:芯板、一对第一绝缘介质层、中介层、一对第一导电层和多个第一导电柱, 一对第一绝缘介质层设置于芯板的两侧;中介层嵌设于芯板内, 或嵌设于至少一个第一绝缘介质层内, 中介...
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