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最新专利技术
  • 一种REBCO超导厚膜的制备方法
    一种REBCO超导厚膜的制备方法_甚磁科技(上海)有限公司_202511416837.9
    本发明公开了一种REBCO超导厚膜的制备方法，属于超导材料技术领域。本发明的REBCO超导厚膜的制备方法，包括以下步骤：使用超导层沉积方法在基带上沉积REBCO层，然后沉积辅助抛光层，接着加入清洗液进行旋转抛光，得到表面平整的REBCO层，...
    2025-12-27
  • 一种PEM电解水制氢双极板功能涂层及制备方法
    一种PEM电解水制氢双极板功能涂层及制备方法_东方电气集团东方锅炉股份有限公司_202510928003.X
    本发明涉及制氢技术领域，具体涉及一种PEM电解水制氢双极板功能涂层及制备方法，包括至少一层金属碳化物掺杂金属层。由于不含贵金属元素，本发明提供的双极板涂层成本低，可降低PEM制氢电解槽制造成本。
    2025-12-27
  • 一种超宽温域润滑抗磨跨尺度多层非晶碳基涂层及其制备方法和应用
    一种超宽温域润滑抗磨跨尺度多层非晶碳基涂层及其制备方法和应用_西安交通大学_202511060998.9
    本发明公开了一种超宽温域润滑抗磨跨尺度多层非晶碳基涂层及其制备方法和应用，属于涂层材料技术领域。包括：依次沉积在基体表面的金属粘结层和梯度过渡层，在梯度过渡层表面交替沉积若干层亚纳米多层结构Si‑WC‑a‑C子层和纳米多层结构的Si‑WC‑...
    2025-12-27
  • 一种铝铈复合镀层及其在钕铁硼磁体表面腐蚀防护中的应用
    一种铝铈复合镀层及其在钕铁硼磁体表面腐蚀防护中的应用_杭州包钢稀土科技发展有限责任公司_202511095813.8
    本发明涉及钕铁硼永磁体腐蚀防护领域，具体涉及一种铝铈复合镀层及其在钕铁硼磁体表面腐蚀防护中的应用。本发明通过采用磁控溅射技术，使用纯铝靶和纯铈靶多靶共溅射方法，在钕铁硼磁体表面沉积单层铝铈镀层。利用稀土铈所具备的细化晶粒、强化晶界、净化等功...
    2025-12-27
  • 一种高温自润滑银钼薄膜及其制备方法和应用
    一种高温自润滑银钼薄膜及其制备方法和应用_湖南大学_202511111616.0
    本发明属于金属材料高温摩擦耐磨材料技术领域，具体公开了一种高温自润滑银钼薄膜及其制备方法和应用，本发明的高温自润滑银钼薄膜设置在耐高温的基底上，所述高温为300‑600℃；所述高温自润滑银钼薄膜中，钼的原子百分含量为70‑80at%，银的原...
    2025-12-27
  • 一种高温自润滑耐磨涂层刀具及其制备方法
    一种高温自润滑耐磨涂层刀具及其制备方法_赣州澳克泰工具技术有限公司_202511444964.X
    本发明涉及涂层刀具技术领域，提供了一种高温自润滑耐磨涂层刀具及其制备方法，采用高功率脉冲磁控溅射工艺制备得到的高温自润滑耐磨涂层刀具，包括基体和沉积于基体上的高温自润滑耐磨涂层，其从基体表面向外依次包含：Ta粘结层；TaN过渡层；TaBxN...
    2025-12-27
  • 一种光阴极的制备方法
    一种光阴极的制备方法_中国科学院上海高等研究院_202511005053.7
    本发明提供一种光阴极的制备方法，包括：提供衬底、碱金属蒸发源和非金属蒸发源；在高真空环境下采用碱金属蒸发源和非金属蒸发源在衬底表面实现非金属断续沉积、碱金属持续沉积，以制备得到相应的光阴极。本发明的方法采用非金属断续沉积、碱金属持续沉积，确...
    2025-12-27
  • 一种金属化陶瓷基板及其制备方法
    一种金属化陶瓷基板及其制备方法_苏州集芯链科技有限公司_202511044654.9
    本发明涉及一种金属化陶瓷基板及其制备方法，属于陶瓷基板技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：S1、对陶瓷基板表面进行等离子处理；S2、通过物理气相沉积技术在等离子处理后的陶瓷基板表面沉积结合层；S3、通过物理气相沉积技术在结合层表面沉积金...
    2025-12-27
  • 一种海洋风电滑动轴承表面强化层的复合工艺
    一种海洋风电滑动轴承表面强化层的复合工艺_湖南增信新材料技术有限公司_202510955019.X
    本发明属于轴承表面处理技术领域，尤其是一种海洋风电滑动轴承表面强化层的复合工艺，包括以下步骤：步骤一、用氮碳铈离子渗剂对海洋风电滑动轴承表面进行渗入处理，步骤二、将步骤一处理后的海洋风电滑动轴承用镧钇活化渗剂进行活化，步骤三、将步骤二活化后...
    2025-12-27
  • 一种基于动态功率调控的反应溅射方法及装置
    一种基于动态功率调控的反应溅射方法及装置_集美大学_202510718057.3
    本发明提供了一种基于动态功率调控的反应溅射方法及装置，属于薄膜沉积技术领域。本发明在反应气体与工作气体存在条件下对金属靶材进行反应溅射处理；所述反应气体包括空气，所述反应气体与工作气体的总流量记为总气体流量；所述反应溅射处理包括依次进行启动...
    2025-12-27
  • 一种铜锆钛复合靶材及其制备方法
    一种铜锆钛复合靶材及其制备方法_苏州六九新材料科技有限公司_202511070092.5
    本发明公开了一种铜锆钛复合靶材及其制备方法，属于冶金技术领域。所述复合靶材具有双层结构，一层为铜锆钛合金靶材，另一层为结合在所述铜锆钛合金靶材一侧的铜板；所述铜锆钛合金靶材按原子百分比由以下成分组成：Cu：40～70％，Zr：20～50％，...
    2025-12-27
  • 一种合金靶材的制备方法
    一种合金靶材的制备方法_深圳众诚达应用材料股份有限公司_202511411200.0
    本申请涉及靶材制备技术领域，提供了一种合金靶材的制备方法，包括：提供靶材合金粉；将靶材合金粉等静压成型处理，形成素坯；将吸附剂薄片和/或储氢材料围在素坯的四周，然后进行第一烧结处理，得到合金靶材。本申请的制备方法，采用吸附剂薄片和/或储氢材...
    2025-12-27
  • 一种兼具优异导电和透光性的叠层透明导电薄膜及其制备方法和应用
    一种兼具优异导电和透光性的叠层透明导电薄膜及其制备方法和应用_哈工大苏州研究院_202511057423.1
    一种兼具优异导电和透光性的叠层透明导电薄膜及其制备方法和应用。本发明属于透明导电薄膜领域。本发明是为了解决目前叠层透明导电薄膜无法兼顾优异的导电性和透光性的问题。本发明的方法：通过磁控溅射在衬底表面依次逐层沉积MoO3层、Mo层、Cu层、M...
    2025-12-27
  • 一种真空腔体绝缘密封旋转传动组件
    一种真空腔体绝缘密封旋转传动组件_九江精研智造科技有限公司_202511076499.9
    本发明公开一种真空腔体绝缘密封旋转传动组件，组件包括旋转传动轴、耐磨密封轴套、O型密封圈、唇型密封圈、轴承、外壳、绝缘套、传动轴固定座、真空腔体；旋转传动轴与耐磨密封轴套连接，耐磨密封轴套与唇型密封圈连接，唇型密封圈左、右两侧分别与轴承连接...
    2025-12-27
  • 一种基片磁控溅射镀膜生产设备
    一种基片磁控溅射镀膜生产设备_天津朋通科技有限公司_202511418158.5
    本发明涉及一种基片磁控溅射镀膜生产设备，包括机架、预真空单元和磁控溅射工艺单元；预真空单元和磁控溅射工艺单元集成安装于机架上；预真空单元包括预真空腔体、基片承载单元、基片传输机构，在预真空腔体靠近磁控溅射工艺单元的一侧设置有基片进出口；磁控...
    2025-12-27
  • 一种半导体多站腔室传片、抽气机构及其薄膜沉积设备
    一种半导体多站腔室传片、抽气机构及其薄膜沉积设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511029774.1
    本发明公开了一种半导体多站腔室传片、抽气机构及其薄膜沉积设备，半导体多站腔室传片、抽气机构包括多站腔体，所述多站腔体的中部设有抽气口，环绕所述抽气口设有至少两个子腔室，每个所述子腔室与所述抽气口之间均设有独立联通的抽气通道，所述抽气通道开设...
    2025-12-27
  • 基于ALD-PECVD协同沉积的光伏电池氧化铝钝化层制备方法
    基于ALD-PECVD协同沉积的光伏电池氧化铝钝化层制备方法_浙江日月光能科技有限公司_202511114826.5
    本发明涉及氧化铝钝化层技术领域，具体为基于ALD‑PECVD协同沉积的光伏电池氧化铝钝化层制备方法，腔体预处理, 将TOPCon电池基底装入集成腔体，依次完成抽真空、密封检测、温度调节和氮气环境平衡，为沉积工艺创造稳定条件；ALD种子层沉积...
    2025-12-27
  • 一种面料表面原位生长石墨烯薄膜工艺
    一种面料表面原位生长石墨烯薄膜工艺_上海酷冰酷热品牌管理有限公司_202511093233.5
    本发明涉及纺织功能材料技术领域，且公开了一种面料表面原位生长石墨烯薄膜工艺；本发明通过激光微结构限域催化与固/气双相碳源协同作用，结合低温等离子体活化及脉冲变温沉积技术，实现面料表面高质量石墨烯薄膜的低温原位生长：规避传统高温工艺对合成纤维...
    2025-12-27
  • 一种氮化钽薄膜生长方法及氮化钽薄膜
    一种氮化钽薄膜生长方法及氮化钽薄膜_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202510881715.0
    本发明公开一种氮化钽薄膜生长方法及氮化钽薄膜，涉及半导体技术研究领域，以解决现有技术中的气相沉积法形成的薄膜平整度较差的问题。方法包括提供目标衬底；基于目标工艺参数，确定目标反应腔内的沉积环境；以目标钽源作为前驱体，目标氮源作为反应物以及目...
    2025-12-27
  • 一种氮化铌薄膜及其生成方法
    一种氮化铌薄膜及其生成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202510881718.4
    本发明公开一种氮化铌薄膜及其生成方法，涉及半导体薄膜制备技术领域，以解决现有技术中氮化铌薄膜厚度控制精度不足的问题。所述氮化铌薄膜的生成方法，包括：提供硅衬底；在反应腔内通过脉冲交替的方式依次通入铌源和氮源，以在所述硅衬底表面进行氮化铌薄膜...
    2025-12-27
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