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最新专利技术
  • 一种基于计算机视觉对准的自动化微转印系统
    一种基于计算机视觉对准的自动化微转印系统_上海大学_202510833942.6
    本发明公开了一种基于计算机视觉对准的自动化微转印系统，包括PDMS薄膜印章、运动控制系统和视觉对准系统，运动控制系统包括控制模块、一个大行程的三轴运动滑台和两个高精度的三自由度电动滑台，在三轴运动滑台上安装一个U形支架，两个三自由度电动滑台...
    2026-02-07
  • 一种新型的晶圆级压印工艺
    一种新型的晶圆级压印工艺_绍兴燃腾光电科技股份有限公司_202510860892.0
    本发明公开了一种新型的晶圆级压印工艺，包括如下压印步骤：S1、图形制作；S2、图形转移；S3、点胶；S4、对位压印；S5、UV固化；S6、开模；S7、烘烤；S8、剥离；本发明结构合理，其中晶圆上微结构的区域大小由图形化掩膜决定，可不再受压印...
    2026-02-07
  • 一种光致抗蚀剂单体、其聚合物及光致抗蚀剂组合物
    一种光致抗蚀剂单体、其聚合物及光致抗蚀剂组合物_江门市和盈新材料科技有限公司_202410120037.1
    本发明涉及感光材料领域，公开了一种光致抗蚀剂单体、其聚合物和光致抗蚀剂组合物。一种光致抗蚀剂组合物，包括光致抗蚀剂聚合物40％～60％，光致酸产生剂0.5％～10％；有机溶剂为：20～40％。其中光致抗蚀剂聚合物是由甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸羟...
    2026-02-07
  • 半导体光刻胶组合物和使用所述组合物形成图案的方法
    半导体光刻胶组合物和使用所述组合物形成图案的方法_三星SDI株式会社_202510254352.8
    公开一种半导体光刻胶组合物和使用所述半导体光刻胶组合物形成或提供图案的方法。所述半导体光刻胶组合物可包括有机金属化合物；包含由化学式1表示的结构单元的聚合物添加剂；以及溶剂。
    2026-02-07
  • 感光性着色树脂组合物、彩色滤光片、及图像显示设备
    感光性着色树脂组合物、彩色滤光片、及图像显示设备_奇美实业股份有限公司_202510515037.6
    本发明提供一种感光性着色树脂组合物、彩色滤光片、图像显示设备，其能够在同时兼顾高固体成分、以及感光性着色树脂组合物形成彩色滤光片的生产工艺中相对总VOC减少率提高的前提下，感光性着色树脂组合物所制得的着色层(图案)具有良好的亮度与图案性质。...
    2026-02-07
  • 抗蚀剂底层组合物和使用组合物形成图案的方法
    抗蚀剂底层组合物和使用组合物形成图案的方法_三星SDI株式会社_202510581995.3
    公开了一种抗蚀剂底层组合物和使用该抗蚀剂底层组合物形成光致抗蚀剂、光刻胶图案的方法。抗蚀剂底层组合物包括聚合物和溶剂，所述聚合物包括由化学式1或化学式2表示的结构单元、由化学式3或化学式4表示的化合物或其组合。
    2026-02-07
  • 一种基于半导体团簇光刻胶的设计与合成方法
    一种基于半导体团簇光刻胶的设计与合成方法_南京大学_202511016541.8
    本发明公开了一种基于半导体团簇光刻胶的设计与合成方法，涉及半导体团簇光刻胶设计技术领域，包括合成半导体团簇光刻胶材料；将所述半导体团簇材料溶解于有机溶剂中，形成光刻胶溶液；将所述光刻胶溶液涂布于基底上，形成均质薄膜；通过紫外光或电子束对所述...
    2026-02-07
  • 感光性树脂组合物、感光干膜、固化膜、线路板、LED显示模组
    感光性树脂组合物、感光干膜、固化膜、线路板、LED显示模组_杭州福斯特电子材料有限公司_202511020012.5
    本发明提供了一种感光性树脂组合物、感光干膜、固化膜、线路板、LED显示模组。以重量份数计，该感光性树脂组合物包括：15～40份的含羧基的丙烯酸酯类树脂、1～20份的环氧树脂以及0.5～5份的光引发剂；其中，环氧树脂包括含有磷酸酯基的环氧树脂...
    2026-02-07
  • 一种适用于电镀工艺的正性光刻胶组合物及其制备方法和应用
    一种适用于电镀工艺的正性光刻胶组合物及其制备方法和应用_彩虹集团有限公司_202511071266.X
    本发明公开了一种适用于电镀工艺的正性光刻胶组合物及其制备方法和应用，属于光刻胶技术领域。按质量份数计，该适用于电镀工艺的正性光刻胶组合物包括20～25份大分子量高感度酚醛树脂；2～7份增塑性树脂；4～6份感光剂；0.5～1份添加剂；61～7...
    2026-02-07
  • 纳米压印胶及其制备方法
    纳米压印胶及其制备方法_珠海莫界科技有限公司_202511005691.9
    本发明公开了一种纳米压印胶及其制备方法，其中，纳米压印胶包括由以下原料制得：光学单体、丙烯酸酯预聚物、改性丙烯酸酯预聚物、纳米粒子、光引发剂、偶联剂和稀释剂，光学单体的结构通式为其中，R1为甲基或氢，R2为甲基或氢，纳米粒子的折射率与光学单...
    2026-02-07
  • 纳米压印胶及其制备方法
    纳米压印胶及其制备方法_珠海莫界科技有限公司_202511005709.5
    本发明公开了一种纳米压印胶及其制备方法，其中，纳米压印胶包括由以下原料制得：光学单体、丙烯酸酯预聚物、反应型稀释剂、纳米粒子、光引发剂、偶联剂和有机溶剂，光学单体的结构通式为其中，R1为取代或未取代的芳香基团或者取代或未取代的萘基，R2为甲...
    2026-02-07
  • 感光性着色组合物、固化物、图像显示装置、以及用于图像显示装置的颜料分散液
    感光性着色组合物、固化物、图像显示装置、以及用于图像显示装置的颜料分散液_三菱化学株式会社_202511256383.3
    本发明提供一种紫外线照射后的电气可靠性优异、且耐溶剂性良好的感光性着色组合物。本发明的感光性着色组合物含有：(a)着色剂、(b)碱可溶性树脂、(c)光聚合引发剂、(d)烯属不饱和化合物、(e)溶剂、及(f)分散剂，所述感光性着色组合物固化后...
    2026-02-07
  • 含有蒽甲基硫酸根季铵盐光敏剂的感光树脂组合物及其应用
    含有蒽甲基硫酸根季铵盐光敏剂的感光树脂组合物及其应用_湖南初源新材料股份有限公司_202511393441.7
    本发明提供了含有蒽甲基硫酸根季铵盐光敏剂的感光树脂组合物及其应用，所述光敏剂为式(I)所示蒽‑9‑亚甲基硫酸季铵盐或式(II)所示的蒽‑9, 10‑二亚甲基硫酸二季铵盐。相比于市售的蒽类光敏剂，本发明使用的光敏剂可以有效避免因为p‑π共轭所...
    2026-02-07
  • 一种ArF光刻用底部抗反射涂层及其制备方法
    一种ArF光刻用底部抗反射涂层及其制备方法_上海新阳半导体材料股份有限公司_202410557299.4
    本发明公开了一种ArF光刻用底部抗反射涂层及其制备方法。本发明的底部抗反射涂层，其通过如下的制备方法制得，所述的制备方法包括下列步骤：将底部抗反射组合物浇铸在半导体基板上，焙烧，得到底部抗反射涂层；所述的底部抗反射组合物包括如下以重量份数计...
    2026-02-07
  • 一种193nm光刻用底部抗反射组合物
    一种193nm光刻用底部抗反射组合物_上海新阳半导体材料股份有限公司_202410557300.3
    本发明公开了一种193nm光刻用底部抗反射组合物。本发明的底部抗反射组合物包括如下重量份数计组分：50‑200份如式I所示的化合物、1‑100份交联剂、0.01‑50份光吸收剂、0.01‑50份光酸产生剂和溶剂。含有本发明的组合物制备得到的...
    2026-02-07
  • 一种193nm光刻用底部抗反射涂层的组合物及其制备方法和应用
    一种193nm光刻用底部抗反射涂层的组合物及其制备方法和应用_上海新阳半导体材料股份有限公司_202410557307.5
    本发明公开了一种193nm光刻用底部抗反射涂层的组合物及其制备方法和应用。本发明公开的组合物包括三元聚物、溶剂和光酸产生剂，所述三元聚物由下述的制备方法制得：在如式(L)所示的交联剂和引发剂存在下，将如式(A)所示的单体、单体B和如式(C)...
    2026-02-07
  • 一种193nm光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用
    一种193nm光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用_上海新阳半导体材料股份有限公司_202410557308.X
    本发明公开了一种193nm光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的底部抗反射涂层的制备方法包括下列步骤：将底部抗反射涂层组合物浇铸在半导体基板上，焙烧，得到底部抗反射涂层；其中，所述的底部抗反射涂层的组合物包括三元聚物、溶剂和光...
    2026-02-07
  • 一种193nm光刻用顶层涂层膜、其制备方法及应用
    一种193nm光刻用顶层涂层膜、其制备方法及应用_上海新阳半导体材料股份有限公司_202410557302.2
    本发明公开了一种193nm光刻用顶层涂层膜、其制备方法及应用。本发明的顶层涂层液，包括如下质量分数的组分：1‑5％聚合物和95‑99％有机溶剂；所述聚合物为通过如下的方法制得；所述聚合物的制备方法包括如下步骤：在引发剂存在下，将如式(A)所...
    2026-02-07
  • 一种形成光致抗蚀剂图案的方法
    一种形成光致抗蚀剂图案的方法_上海新阳半导体材料股份有限公司_202410557297.5
    本发明公开了一种形成光致抗蚀剂图案的方法。本发明的形成光致抗蚀剂图案的方法包括如下步骤：S1：将底部抗反射组合物浇铸在半导体基板上，焙烧，得到底部抗反射涂层；S2：在底部抗反射涂层上涂布光致抗蚀剂；S3：软焙烧；S4：曝光；S5：焙烧；S6...
    2026-02-07
  • 图形修正方法、存储介质和终端、半导体结构的形成方法
    图形修正方法、存储介质和终端、半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410558010.0
    一种图形修正方法、存储介质和终端、半导体结构的形成方法，图形修正方法包括：提供待修正版图；提供若干修正模型；对若干所述修正模型的修正能力进行验证，获取目标修正模型；根据所述目标修正模型，对所述待修正版图进行光学邻近效应修正，获取修正版图。所...
    2026-02-07
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