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最新专利技术
  • 面向大尺寸晶圆级芯片制造的金刚石阵列异质集成方法
    面向大尺寸晶圆级芯片制造的金刚石阵列异质集成方法_西安电子科技大学_202511043527.7
    本发明公开了一种面向大尺寸晶圆级芯片制造的金刚石阵列异质集成方法，包括：在氮化镓晶圆的第二表面划分第一阵列化区域；在处理后的氮化镓晶圆的第二表面淀积中间材料形成第一膜层；在第二载片的第一表面划分第二阵列化区域，在第二阵列化区域制备金刚石形成...
    2025-12-04
  • 电路的修补及检测方法
    电路的修补及检测方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511063907.7
    本申请公开了一种电路的修补及检测方法，包括：提供一电路；电路包括上层区域和目标区域；暴露目标区域；对目标区域的待修补区域进行电路修补；对目标区域进行隔离露出至少两个待检测区域；在待检测区域上形成待测点；去除目标区域中的金属杂质；使用纳米探针...
    2025-12-04
  • 氧化镓表面处理方法、半导体器件加工工艺、半导体器件
    氧化镓表面处理方法、半导体器件加工工艺、半导体器件_中国科学技术大学_202511450362.5
    本发明涉及半导体制作技术领域中的氧化镓表面处理方法、半导体器件加工工艺、半导体器件。所述方法属于一种减少氧化镓表面缺陷密度的方法，其通过采用氩离子、或氮离子、或氦离子处理氧化镓表面，达到重构氧化镓表面的效果，接着进行低温氧气氛围退火(氧气流...
    2025-12-04
  • 半导体器件的制造方法及制造系统
    半导体器件的制造方法及制造系统_浙江芯微泰克半导体有限公司_202511444971.X
    本申请实施例提供一种半导体器件的制造方法及制造系统。制造系统包括激光发射装置、光采集装置以及控制器。激光发射装置用于采用目标激光束在衬底上的金属层上形成扫描光斑，以刻蚀金属层。光采集装置用于按照预设采集频率，采集扫描光斑处的金属层被等离子化...
    2025-12-04
  • 激光切割方法及切割结构
    激光切割方法及切割结构_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202410555600.8
    本发明提供一种激光切割方法及切割结构，激光切割方法包括：提供待切割基底，待切割基底定义有切割道区域，切割道区域具有相对的第一侧区和第二侧区；通过激光处理在切割道区域的第一侧区和第二侧区分别形成第一槽部和第二槽部，第一槽部和第二槽部之间至少有...
    2025-12-04
  • 基于多参数耦合调控的硅片表面高均匀性制绒方法
    基于多参数耦合调控的硅片表面高均匀性制绒方法_南通友拓新能源科技有限公司_202511066931.6
    本发明涉及硅片表面高均匀性制绒的技术领域，公开了基于多参数耦合调控的硅片表面高均匀性制绒方法，包括硅片预清洗处理、臭氧氧化处理、制绒碱液预制‌、动态腐蚀、绒面形成机理、氢离子注入与键合、退火气泡剥离、混酸刻蚀优化和提拉脱水和烘干；通过以上检...
    2025-12-04
  • 一种氮化镓基材料的刻蚀方法
    一种氮化镓基材料的刻蚀方法_南昌大学_202510803511.5
    本发明公开了一种氮化镓基材料的刻蚀方法，涉及半导体材料加工技术领域，通过采用高温气相化学刻蚀方法对氮化镓基材料进行刻蚀，实现低损伤刻蚀的效果，获得满足氮化镓基材料器件高性能要求的刻蚀界面。刻蚀方法包括以下步骤：准备氮化镓基材料外延片，在氮化...
    2025-12-04
  • 硅直接键合芯片阻条结构及干法刻蚀方法
    硅直接键合芯片阻条结构及干法刻蚀方法_沈阳仪表科学研究院有限公司_202511331451.8
    本申请涉及硅直接键合芯片工艺技术领域，尤其涉及一种硅直接键合芯片阻条结构及干法刻蚀方法，所述方法先设定硅直接键合芯片的顶硅层目标厚度为预定的厚度范围；再采用三阶段刻蚀工艺对所述顶硅层进行刻蚀，所述三阶段包括启动阶段、主刻蚀阶段和终点控制阶段...
    2025-12-04
  • 衬垫氧化层的去除方法
    衬垫氧化层的去除方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066208.8
    本发明公开了一种衬垫氧化层的去除方法，包括步骤：提供形成有浅沟槽隔离的半导体衬底，在半导体衬底的表面上形成衬垫氧化层并完成阱注入工艺。进行去除衬垫氧化层的刻蚀工艺，包括：进行第一次化学气体干法刻蚀工艺以去除衬垫氧化层的部分厚度。进行第二次D...
    2025-12-04
  • 铜薄膜的先进制程控制方法、制备方法及制造设备
    铜薄膜的先进制程控制方法、制备方法及制造设备_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511045370.1
    本发明提供一种铜薄膜的先进制程控制方法、制备方法及制造设备，先进制程控制方法包括：获取铜在有氧气氛中反应生成氧化铜的氧化厚度，建立氧化铜的氧化厚度与氧化时间的关系曲线；在第一温度和第一流量的还原气体下，获取氧化铜与还原气体反应后被还原的氧化...
    2025-12-04
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511107937.3
    一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一介质层和位于第一介质层内的初始导电层，所述第一介质层暴露出所述初始导电层表面，所述初始导电层表面具有初始氧化层；对所述初始氧化层进行第一还原处理，形成氧化层；对所述氧化层进行第二还原...
    2025-12-04
  • 半导体结构的刻蚀方法及半导体工艺设备
    半导体结构的刻蚀方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410551791.0
    本申请公开了一种半导体结构的刻蚀方法，涉及半导体领域。一种半导体结构的刻蚀方法，所述半导体结构包括钨层以及依次层叠在所述钨层上的碳材料层和硅化物层，所述碳材料层以及硅化物层具有相同的图形形貌，所述刻蚀方法包括：第一刻蚀步骤，采用等离子体刻蚀...
    2025-12-04
  • 一种FCBGA封装基板及其加工方法
    一种FCBGA封装基板及其加工方法_武汉新创元半导体有限公司_202510927602.X
    本发明公开了一种FCBGA封装基板及其加工方法，其中加工方法包括，在玻璃芯板表面的焊盘区域通过叠加和排列单元小孔形成异形图案；对所述单元小孔进行扩大，使得各单元小孔均与其他单元小孔连通，在玻璃芯板中形成异形通孔；在玻璃芯板表面形成导电金属层...
    2025-12-04
  • 一种二极管连接片的制作方法
    一种二极管连接片的制作方法_江苏正芯电子科技有限公司_202511053643.7
    本发明公开了一种二极管连接片的制作方法，属于半导体技术领域，本发明选用金属铜作为材料，并经提纯获得高纯度铜，保障了二极管的导电性、散热性和抗冲击力，拉拔异型材使材料形状适配需求，退火处理消除内应力，恢复延展性与抗拉强度，从而确保连接片力学性...
    2025-12-04
  • 应用于高密度互连的铜柱凸块加工方法、芯片封装结构
    应用于高密度互连的铜柱凸块加工方法、芯片封装结构_江苏普诺威电子股份有限公司_202511075034.1
    本发明公开了一种应用于高密度互连的铜柱凸块加工方法、芯片封装结构，该加工方法包括：提供设有线路层和防焊层的IC载板；对防焊层表面进行等离子体粗化，使防焊层表面形成为蜂窝状结构；在防焊层表面上形成化铜层；将多张抗镀干膜层叠设置于化铜层及线路层...
    2025-12-04
  • 一种TGV种子层及封装基板的制作方法和封装基板
    一种TGV种子层及封装基板的制作方法和封装基板_厦门安捷利美维科技有限公司_202511117696.0
    本发明公开一种TGV种子层及封装基板的制作方法和封装基板，该方法包括：在玻璃芯板上制作玻璃通孔，以形成一个或多个贯通所述玻璃芯板相对的第一表面和第二表面的TGV孔；在所述第一表面、所述第二表面和所述TGV孔的内壁形成缓冲层；通过等离子体对所...
    2025-12-04
  • 一种封装基板的重分布层的制作方法和封装基板
    一种封装基板的重分布层的制作方法和封装基板_厦门安捷利美维科技有限公司_202511117699.4
    本发明公开一种封装基板的重分布层的制作方法和封装基板，该方法包括提供玻璃芯板，并制作出导电通孔、在玻璃芯板上制作出通过导电通孔电连接的内层线路；采用化学气相沉积工艺在内层线路上沉积第一介电层，第一介电层采用派瑞林材料；在第一介电层上开孔以显...
    2025-12-04
  • 一种降低TGV产品破片率的制造方法
    一种降低TGV产品破片率的制造方法_江苏福拉特半导体设备有限公司_202511118548.0
    本发明公开了一种降低TGV产品破片率的制造方法，采用飞秒激光对玻璃基板进行激光诱导形成改性区后，用蚀刻液对改性区进行湿法刻蚀形成通孔；采用飞秒激光对通孔孔口进行倒角处理，激光垂直射向玻璃基板并沿通孔孔边缘向外螺旋扩展，进行逐层倒角，每层由内...
    2025-12-04
  • 桥连封装方法和封装结构
    桥连封装方法和封装结构_甬矽半导体(宁波)有限公司_202511438885.8
    本申请提供的一种桥连封装方法和封装结构，该方法包括提供设有第一导电柱的衬底；第一导电柱的一端与衬底的第一表面齐平，另一端埋设于衬底内。在衬底的第一表面一侧形成第一安装槽，在第一安装槽内贴装第一芯片。第一芯片包括主体部和连接于主体部的凸缘层，...
    2025-12-04
  • 桥连封装方法和封装结构
    桥连封装方法和封装结构_甬矽半导体(宁波)有限公司_202511438886.2
    本申请提供的一种桥连封装方法和封装结构，该方法包括提供设有第一导电柱的衬底；第一导电柱的一端与衬底的第一表面齐平，另一端埋设于衬底内。在衬底的第一表面一侧形成第一安装槽，在第一安装槽内贴装第一芯片。第一芯片包括主体部和连接于主体部的凸缘层，...
    2025-12-04
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