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最新专利技术
  • 显示装置和用于制造该显示装置的方法
    显示装置和用于制造该显示装置的方法_三星显示有限公司_202510310452.8
    提供了一种显示装置和制造显示装置的方法。制造显示装置的方法包括以下步骤：在基底上形成金属层；在金属层上形成缓冲层；在缓冲层上形成非晶硅层；使将微波转换为磁场的结晶装置在非晶硅层上方对准；利用非晶硅层上方的结晶装置对非晶硅层进行扫描，以通过磁...
    2025-11-23
  • 一种钙钛矿电池、制备方法及提高钙钛矿层在空穴传输层之间浸润性的方法
    一种钙钛矿电池、制备方法及提高钙钛矿层在空穴传输层之间浸润性的方法_江苏盛开新能科技有限公司_202511087727.2
    本发明涉及一种钙钛矿电池、制备方法及提高钙钛矿层在空穴传输层之间浸润性的方法，在制备钙钛矿层前采用季铵盐制剂处理空穴传输层的沉积侧，沉积侧为空穴传输层与钙钛矿层接触的一侧，季铵盐制剂为含季铵盐阳离子的溶液。季铵阳离子头基带正电荷，通过阳离子...
    2025-11-23
  • 一种有机电化学晶体管活性沟道层的制备方法及有机电化学晶体管
    一种有机电化学晶体管活性沟道层的制备方法及有机电化学晶体管_苏州大学_202510816280.1
    本发明公开了一种有机电化学晶体管活性沟道层的制备方法及有机电化学晶体管，包括，首先将聚合物、小分子溶于有机溶剂，得到混合溶液，将混合溶液旋涂在基底上，进行退火处理，得到活性沟道层；其次，提供一种有机电化学晶体管，其包括，衬底层；电极层；上述...
    2025-11-23
  • 钙钛矿薄膜及制备方法、太阳能电池及制备方法和应用
    钙钛矿薄膜及制备方法、太阳能电池及制备方法和应用_协鑫集成科技股份有限公司_202510969563.X
    本发明提供了钙钛矿薄膜及制备方法、太阳能电池及制备方法和应用。该制备钙钛矿薄膜的方法包括：将钙钛矿前驱体溶液滴加在基底上；基于第一旋涂模式和第二旋涂模式分别依次旋涂第一预定时间和第二预定时间，并在第二旋涂模式过程中滴加反溶剂，得到预制薄膜；...
    2025-11-23
  • 一种提高钙钛矿太阳能电池性能的制备方法
    一种提高钙钛矿太阳能电池性能的制备方法_湖北万度光能有限责任公司_202511107470.2
    本发明涉及一种提高钙钛矿太阳能电池性能的制备方法，属于太阳能电池技术领域，解决了由于钙钛矿薄膜晶体缺陷导致器件性能不佳的问题。制备方法包括：在玻璃基底的FTO面依次制备二氧化钛致密层、二氧化钛电子传输层、二氧化锆间隔层和碳对电极层；从碳对电...
    2025-11-23
  • 一种高透钙钛矿电池薄膜及其制备方法
    一种高透钙钛矿电池薄膜及其制备方法_无锡众能光储科技有限公司_202511432629.8
    本发明提供一种高透钙钛矿电池薄膜及其制备方法，属于钙钛矿材料技术领域，包括以下步骤：将CNT网沉积到覆盖在PMMA上的多层石墨烯薄膜表面，分别按顺序浸入无水乙醇、丙酮中，得到石墨烯‑CNT复合网覆盖在器件基底表面，热压得到覆盖有石墨烯‑CN...
    2025-11-23
  • 一种钙钛矿层的制备方法、太阳电池及光伏组件
    一种钙钛矿层的制备方法、太阳电池及光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202410548546.4
    本发明公开了一种钙钛矿层的制备方法、太阳电池及光伏组件，该钙钛矿层的制备方法包括以下步骤：制备卤化铅骨架层；在卤化铅骨架层上涂布阳离子溶液，阳离子溶液中加入有胺基磺酸盐，胺基磺酸盐的浓度为0.05g/mL～4g/mL，其中，胺基磺酸盐中的阳...
    2025-11-23
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202410554780.8
    本发明涉及太阳电池领域，公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，该制备方法包括以下步骤：在基底上制作卤化铅骨架层；将具有添加剂的阳离子溶液涂覆在卤化铅骨架层上，经退火得到钙钛矿层；其中，添加剂的结构为其中R1和R5各自独立地选自‑CH＝CH...
    2025-11-23
  • 一种对有机太阳能电池活性层进行溶剂蒸汽退火的方法
    一种对有机太阳能电池活性层进行溶剂蒸汽退火的方法_内蒙古师范大学_202410549975.3
    本发明提供一种对有机太阳能电池活性层进行溶剂蒸汽退火的方法，包括：在衬底上涂覆空穴传输层或电子传输层，并进行热退火处理，在空穴传输层上涂覆活性层，然后在衬底与加热台之间放置一个中心带有空腔的基底，将溶剂加入到空腔中，然后加热进行溶剂蒸汽退火...
    2025-11-23
  • 一种退火方法以及退火装置
    一种退火方法以及退火装置_苏州材装半导体设备有限公司_202511261370.5
    本发明公开了退火技术领域的一种退火方法以及退火装置，其中，退火方法包括：在退火腔室的底面和顶面均设置加热模块，以在退火腔室内形成热场；将涂覆体悬置于两个加热模块之间；将热惰性气体通入退火腔室，使所述热惰性气体流经所述涂覆体的上表面；抽出流经...
    2025-11-23
  • 钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池
    钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池_河南机电职业学院_202510904025.2
    本发明涉及钙钛矿技术领域，公开了钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池，其中钙钛矿薄膜的化学式为ABX3，A选自铯、甲脒和甲基铵中的至少两种混合阳离子，B为铅，X为碘和溴的混合卤素；所述薄膜的厚度为300‑600nm，晶粒尺寸为100‑5...
    2025-11-23
  • 复合空穴传输材料及其应用
    复合空穴传输材料及其应用_北京航空航天大学_202510748309.7
    本发明涉及电池器件制备技术领域，公开了一种复合空穴传输材料及其应用。所述复合空穴传输材料包括磷酸咔唑类材料和磷酸苯酯类材料。所述磷酸咔唑类材料为(2‑(9H‑咔唑‑9‑基)乙基)膦酸；所述磷酸苯酯类材料为磷酸三苯酯。所述复合空穴传输材料可作...
    2025-11-23
  • 一种集成被动辐射冷却与压电传感的柔性可穿戴设备及其制备方法
    一种集成被动辐射冷却与压电传感的柔性可穿戴设备及其制备方法_河北工业大学_202511086670.4
    本发明提供了一种集成被动辐射冷却与压电传感的柔性可穿戴设备及其制备方法。本发明是将高折射率微米颗粒和压电纳米颗粒置于溶剂中，经超声混合均匀，得到混合物1；将基体材料加入到所述混合物1中得到混合物2；将所述混合物2制成具有微纳多孔结构的压电复...
    2025-11-23
  • 一种压电陶瓷片的空气极化方法及系统
    一种压电陶瓷片的空气极化方法及系统_广州凯立达电子股份有限公司_202511001657.4
    本发明提供一种压电陶瓷片的空气极化方法及系统，涉及压电驱动器技术领域，方法包括：获取待极化的压电陶瓷片；对压电陶瓷片进行预处理；将预处理后的压电陶瓷片加热至预设温度范围内；构建空气极化平台；根据空气极化平台，对加热后的压电陶瓷片施加电场进行...
    2025-11-23
  • 一种低温键合方法及键合晶圆
    一种低温键合方法及键合晶圆_达波科技(上海)有限公司_202511432127.5
    本申请公开了一种低温键合方法及键合晶圆，属于晶圆键合技术领域。该方法包括下述步骤：(1)对衬底晶圆和/或压电晶圆的非键合面进行等离子体增强化学气相沉积形成SiO2层；(2)对压电晶圆和衬底晶圆进行等离子体活化处理；(3)将活化后的压电晶圆和...
    2025-11-23
  • 一种Si基pn隧道结多模态压电传感器及其设计与表征方法
    一种Si基pn隧道结多模态压电传感器及其设计与表征方法_西北工业大学太仓长三角研究院_202511112055.6
    本公开是一种Si基pn隧道结多模态压电传感器及其设计与表征方法，该传感器包括：n型掺杂层，n型掺杂层以硅衬底为基材；p型掺杂层，p型掺杂层以硅衬底为基材，p型掺杂层设置在n型掺杂层的上侧或下侧且紧密接触；n型掺杂层和p型掺杂层的厚度均为18...
    2025-11-23
  • 磁阻式随机存取存储器及其制作方法
    磁阻式随机存取存储器及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410614756.9
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中制作磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件的方法为，主要先形成一自旋轨道转矩式(spin orbit torqu...
    2025-11-23
  • 高自旋传输效率的SOT-MRAM器件及其制备方法
    高自旋传输效率的SOT-MRAM器件及其制备方法_中国科学技术大学_202511059880.4
    本申请提供了一种高自旋传输效率的SOT‑MRAM器件及其制备方法，属于非易失性存储器件领域。该器件包括：依次层叠的自旋轨道耦合层、插入层以及磁隧道结；其中，所述插入层为二维材料层。通过采用二维材料作为插入层，可以提升自旋传输效率。
    2025-11-23
  • 一种无限层镍基超导薄膜的非真空的制备方法
    一种无限层镍基超导薄膜的非真空的制备方法_北京科技大学_202511004575.5
    本发明提供一种无限层镍基超导薄膜的非真空的制备方法。其主要构思在于将金属阳离子可溶性前驱体按化学计量比溶于溶剂，通过旋涂在单晶镍基钙钛矿氧化物衬底表面形成薄膜前驱体；随后在高氧压气氛下退火获得热力学亚稳相钙钛矿结构中间体；最终利用还原条件将...
    2025-11-23
  • 硅纳米线网沟道神经元晶体管及其制备方法
    硅纳米线网沟道神经元晶体管及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202510974233.X
    本公开提供一种硅纳米线网沟道神经元晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。硅纳米线网沟道神经元晶体管包括：相变内栅；第一介质层，覆盖在相变内栅上；相变内栅电极，设置于第一介质层上，用于将接收的电脉冲信号输送至相变内栅；以及透明电极，设置于第...
    2025-11-23
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