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最新专利技术
  • 氯酸盐电解流水线及其电解工艺
    氯酸盐电解流水线及其电解工艺_苏州卓群钛镍设备有限公司_202511229724.8
    本申请涉及氯酸盐电解流水线及其电解工艺，涉及氯酸盐电解液处理的技术领域，其包括电解槽，所述电解槽内部设置有杂质清洁机构，所述电解槽外部前侧安装有杂质分离机构，所述电解槽顶部左侧安装有杂质清洁机构；杂质清洁机构包括框架，所述框架滑动连接在所述...
    2026-02-27
  • 一种带孔电池铜箔的电化学蚀刻制备方法
    一种带孔电池铜箔的电化学蚀刻制备方法_博材盛通(山西)新材料有限公司_202511263801.1
    本发明提供了一种带孔电池铜箔的电化学蚀刻制备方法，该方法首先将铜箔进行预处理，然后以其为阳极，铂片为阴极，在特定的电解液体系中进行非对称双向脉冲蚀刻，且脉冲间隔时间在蚀刻过程中呈梯度递减；蚀刻完成后立即转入含磺化改性杯芳烃超分子缓蚀剂的氨水...
    2026-02-27
  • 多孔硅结构及电子发射器件的制备方法
    多孔硅结构及电子发射器件的制备方法_上海集成电路材料研究院有限公司_202410680071.4
    本发明提供一种多孔硅结构及电子发射器件的制备方法，先对单晶硅基底表面进行清洗预处理，保证单晶硅基底表面的洁净度，然后在单晶硅基底表面形成材质相同的表面微结构，并基于该表面微结构对单晶硅基底进行电化学腐蚀，在进行电化学腐蚀时，相邻两微凸起之间...
    2026-02-27
  • 利用PLA副产物制备硫酸钙晶须的方法、产物及其应用
    利用PLA副产物制备硫酸钙晶须的方法、产物及其应用_江西峰竺新材料科技有限公司_202511033986.7
    本发明提供利用PLA副产物制备硫酸钙晶须的方法、产物及其应用，属于硫酸钙晶须制备技术领域。该方法包括：将PLA副产物稀释后进行碾磨，调PH＝6.5～7.5；加入乳酸钙和/或柠檬酸钙等晶形控制剂，置于高压反应釜内迅速升温至230℃～250℃并...
    2026-02-27
  • 用于生长高纯石英晶体的插入式籽晶架
    用于生长高纯石英晶体的插入式籽晶架_山东博达光电有限公司_202511066786.1
    本发明属于石英晶体结晶生长领域，具体提供一种插入式籽晶架，包括籽晶架立柱组件、籽晶架圈、悬挂横梁、用于安装籽晶片的V形固定槽、垫片以及用于使得籽晶架圈与籽晶架立柱组件相固定的固定件；在籽晶架圈的圈内设置若干个相互平行的悬挂横梁，在每个悬挂横...
    2026-02-27
  • 一种基于双腔气氛调控的低缺陷氧化镓单晶提拉生长装备及方法
    一种基于双腔气氛调控的低缺陷氧化镓单晶提拉生长装备及方法_北京镓创半导体装备有限公司_202511226190.3
    本申请涉及半导体材料生长技术领域，旨在解决现有技术中因单一气氛共享导致的加热元件寿命减损以及晶体缺陷较多质量难以保障，单晶生产成本高但生产效率低的技术问题。本申请公开的单晶生长装置，其特征在于，包括炉体、第一腔室、第二腔室、加热组件、生长组...
    2026-02-27
  • 一种新型单晶炉
    一种新型单晶炉_四川永祥光伏科技有限公司_202511450856.3
    本申请提供了一种新型单晶炉，涉及单晶硅技术领域，其包括：导流筒、底保温毡，以及，从外到内依次设置的炉体、外筒、内保温筒、主加热器和碳碳埚帮；导流筒的下部延伸至内保温筒的开口内并位于碳碳埚帮的上方；底保温毡设置在炉体的底部，底保温毡具有排气孔...
    2026-02-27
  • 一种适用于不同拉晶技术的掺杂装置及其操作方法
    一种适用于不同拉晶技术的掺杂装置及其操作方法_包头美科硅能源有限公司_202511208339.5
    本发明涉及单晶炉硅料掺杂领域，具体是涉及一种适用于不同拉晶技术的掺杂装置及其操作方法，包括支架，支架上设有直线位移机构，直线位移机构包括滑块，滑块上设有旋转机构，旋转机构包括转管，转管远离滑块的一端设有掺杂勺，掺杂勺具有一个开口，开口上铰接...
    2026-02-27
  • 单晶炉热场可调节式降氧环
    单晶炉热场可调节式降氧环_宜宾英发德坤科技有限公司_202410663765.7
    本发明提供单晶炉热场可调节式降氧环，涉及单晶炉热场降氧环技术领域，包括中保温筒、辅助结构和夹持结构，所述中保温筒的上表面安装有上盖，所述上盖的上表面固定连接有固定管，所述固定管的上端设置有连接管，所述连接管借助夹持结构与固定管进行连接，所述...
    2026-02-27
  • 一种基于液相法生长碳化硅的热场优化方法
    一种基于液相法生长碳化硅的热场优化方法_西安交通大学_202511596552.8
    本申请公开了一种基于液相法生长碳化硅的热场优化方法，基于第一加热参数对处于第f形态下的石墨坩埚进行加热，使与第f形态对应的第一性能参数满足第一预设条件；第一性能参数包括石墨坩埚和石墨坩埚中硅熔体的交界面的第一碳浓度梯度；第一预设条件包括第一...
    2026-02-27
  • 一种基于连续直拉单晶(CCz)快速收尾方法
    一种基于连续直拉单晶(CCz)快速收尾方法_包头美科硅能源有限公司_202511208357.3
    本发明涉及单晶硅制造技术领域，具体涉及一种基于连续直拉单晶(CCz)快速收尾方法，包括以下步骤：当晶棒长度达到设定目标长度的或指定剩料重量时，触发快速收尾程序；第一阶段降料控温：将颗粒硅下料器的颗粒硅下料速度从常规值匀速降至初始值的50%‑...
    2026-02-27
  • 熔体硅液面高度检测装置及其工作方法
    熔体硅液面高度检测装置及其工作方法_常州臻晶半导体有限公司_202511573941.9
    本发明属于测量技术领域，具体涉及液位测量，尤其涉及一种熔体硅液面高度检测装置及其工作方法，其中熔体硅液面高度检测装置，包括：坩埚，以及设置在所述坩埚上方的炉盖，所述炉盖上倾斜开设有观察孔；所述炉盖上设置有探测机构，所述探测机构从炉盖底面伸出...
    2026-02-27
  • 碳化硅生长用进料装置
    碳化硅生长用进料装置_江苏汉印机电科技股份有限公司_202510991180.2
    本发明公开了碳化硅生长用进料装置，包括进料箱及其内部安装的输送机构，输送机构上设置有可上下移动的坩埚，进料箱内设置有均匀上料组件，均匀上料组件包括导向盘，导向盘上滑动设置有上料管，上料管上转动设置有滑动管，导向盘的底部转动设置有抹平架和搅拌...
    2026-02-27
  • 一种高质量氧化镓外延薄膜的制备方法及氧化镓薄膜
    一种高质量氧化镓外延薄膜的制备方法及氧化镓薄膜_北京镓创半导体材料有限公司_202511209588.6
    本申请涉及氧化镓薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种高质量氧化镓外延薄膜的制备方法、制备装置、氧化镓外延薄膜及其应用，高质量氧化镓外延薄膜的制备方法包括以下步骤：准备衬底以及多个靶材，进行双阶段分布沉积，第一阶段通过离轴靶材/低功率靶材沉积形成...
    2026-02-27
  • 一种MoxB1-xS2薄膜材料及其制备方法和用途
    一种MoxB1-xS2薄膜材料及其制备方法和用途_积石芯材(西安)科技有限公司_202511208413.3
    本发明涉及一种MoxB1‑xS2薄膜材料及其制备方法和用途。制备高掺杂失配杂原子的MoxB1‑xS2薄膜材料的方法包括：提供一蓝宝石基底，作为生长基底；选取Mo源溶液和失配原子B源溶液，将两者混合获得金属元素源溶液；将所述金属元素源溶液均匀...
    2026-02-27
  • 一种碳化硅生长设备的清洁方法
    一种碳化硅生长设备的清洁方法_楚赟精工科技(上海)有限公司_202511203713.2
    本发明提供了一种碳化硅生长设备的清洁方法，包括向生长腔室通入含氢气和氟化氢的无氧清洁气体后，再通入甲硅烷。执行交替通入无氧清洁气体和甲硅烷的步骤至少一次后，执行生长碳化硅层的步骤。生长腔室内的预定温度不低于1400摄氏度，并控制高于生长压力...
    2026-02-27
  • 一种锑化镓金属源生长氧化镓薄膜的方法
    一种锑化镓金属源生长氧化镓薄膜的方法_南京邮电大学_202511252099.9
    本发明公开了一种锑化镓金属源生长氧化镓薄膜的方法，以锑化镓作为镓金属源，氧气作为氧源，氩气作为载气，通过低压气相化学反应生长氧化镓外延薄膜；锑化镓的升华温度低，作为金属源参与反应可以有效降低气相生长氧化镓外延薄膜的温度；本方法生长的氧化镓外...
    2026-02-27
  • 半导体制造装置及半导体制造方法
    半导体制造装置及半导体制造方法_三菱电机株式会社_202510514099.5
    本公开涉及半导体制造装置及半导体制造方法，其目的在于提供一种能够防止形成在基座上表面的外周部的膜附着于基板的上表面的半导体制造装置或半导体制造方法。本公开的半导体制造装置具备：基座、和位于基座的上方的气体导入口。基座具有：载置基板的支架部、...
    2026-02-27
  • 时空调制氢化物气相外延反应室、设备及方法
    时空调制氢化物气相外延反应室、设备及方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511570210.9
    本发明公开时空调制氢化物气相外延反应室、设备及方法。其中反应室，包括：一个带水冷侧壁，并由法兰限定有腔体的反应室，腔体内部分成上、中、下三个部分；一个金属源反应舟组件，位于反应室腔体的上半部分；一个时空调制反应生长装置，位于反应室腔体的中部...
    2026-02-27
  • 材料沉积装置及相关方法
    材料沉积装置及相关方法_ASMIP私人控股有限公司_202510686161.9
    描述了材料沉积装置和相关方法。当前描述的设备和方法允许在沉积和蚀刻步骤期间以变化的衬底旋转速度执行循环沉积‑蚀刻过程。因此，它们允许沉积具有优异均匀性的材料。
    2026-02-27
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