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最新专利技术
  • 一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202511287563.8
    本发明提供一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件。该太阳能电池包括硅衬底，硅衬底的一侧表面上依次层叠设置有发射极、钝化膜层、选择性刻蚀膜层、减反膜层和金属电极；钝化膜层和选择性刻蚀膜层均具有贯通孔道；金属电极贯穿减反膜层，且通过选择性刻蚀膜层...
    2025-12-30
  • 仿生蛾眼与双层减反射膜复合结构及其制备方法和应用
    仿生蛾眼与双层减反射膜复合结构及其制备方法和应用_华东理工大学_202511686741.4
    本发明提供了仿生蛾眼与双层减反射膜复合结构及其制备方法和应用，属于光伏技术与微纳光学技术领域。该复合结构包括平面硅基底、双层减反射膜及仿生蛾眼纳米结构层；双层减反射膜干涉相消降低反射，仿生蛾眼纳米结构层提供梯度折射率过渡，二者协同在300n...
    2025-12-30
  • 太阳能电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511708317.5
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供太阳能电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件，太阳能电池包括层叠设置的钝化层和减反射层，钝化层包含氧化铝基质和分布在氧化铝基质中的金刚石颗粒，减反射层包含氮化硅。本申请提供的太阳能电池可以解决金属化烧结过程中...
    2025-12-30
  • 一种TEC制冷的探测器封装结构及其封装方法
    一种TEC制冷的探测器封装结构及其封装方法_中国科学院西安光学精密机械研究所_202511200326.3
    本发明公开了一种TEC制冷的探测器封装结构及其封装方法，包括底板、TEC、钼板和探测器组件；TEC热端安装在底板上；钼板安装在TEC的冷端；探测器组件包括探测器、电路板和基板，探测器安装在钼板上，探测器与电路板连接，电路板安装在基板上；基板...
    2025-12-30
  • 影像传感器模块
    影像传感器模块_业泓科技(成都)有限公司_202511269589.X
    本申请涉及电子设备技术领域，特别是涉及影像传感器模块。影像传感器模块包括集成电路基板、影像感测芯片、盖板、坝、引脚垫、焊垫、金属导线、封装材料以及隔离层。影像感测芯片设置于集成电路基板的上表面。盖板和影像感测芯片的非影像感测区域之间设置有坝...
    2025-12-30
  • 一种太阳能电池和光伏组件
    一种太阳能电池和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511685872.0
    本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种太阳能电池和光伏组件，太阳能电池包括：基底、发射极和钝化接触结构，基底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，第一侧划分有间隔设置的第一区和第二区，第二侧划分有间隔设置的第三区和第四区；发射极设置于第一区；钝化...
    2025-12-30
  • 半导体结构与半导体结构的制备方法
    半导体结构与半导体结构的制备方法_上海芯元基半导体科技有限公司_202410748061.X
    本发明提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干具有高阻层的像素单元和若干刻蚀走道，相邻的所述像素单元之间通过所述刻蚀走道隔离，每个所述像素单元内包括：位于所述衬底上的N型外延层、位于所述N型外延层上的量子阱发光层...
    2025-12-30
  • 一种图形化衬底加工方法、芯片及电子设备
    一种图形化衬底加工方法、芯片及电子设备_江西兆驰半导体有限公司_202511275623.4
    本发明提供一种图形化衬底加工方法、芯片及电子设备，包括如下步骤：根据第一图形化衬底的底宽进行筛选，将底宽低于预设底宽的第一图形化衬底选定为第二图形化衬底，于第二图形化衬底上沉积折射层；于折射层上旋涂光刻胶，形成光刻胶层，第二图形化衬底、折射...
    2025-12-30
  • 紫外LED芯片的制备方法及紫外LED芯片
    紫外LED芯片的制备方法及紫外LED芯片_山西中科潞安紫外光电科技有限公司_202511360234.1
    本发明涉及一种紫外LED芯片的制备方法及紫外LED芯片，属于LED芯片制备技术领域。包括：在衬底上表面从下至上依次生长AlN模板层、n型AlGaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层，形成外延片；采用H2SO4和H2O2的混合溶液...
    2025-12-30
  • 发光二极管外延片的生长控制方法、设备及可读存储介质
    发光二极管外延片的生长控制方法、设备及可读存储介质_江西兆驰半导体有限公司_202511695983.X
    本发明公开了一种发光二极管外延片的生长控制方法、设备及可读存储介质，涉及半导体技术领域，所述方法包括：获取每炉次产出的外延片的波长信息及翘曲信息；计算每炉次内石墨盘的第一关联信息；计算每炉次产出的外延片的均值波长信息；计算石墨盘的第二关联信...
    2025-12-30
  • 一种多晶硅二极管及其制作方法、像素电路
    一种多晶硅二极管及其制作方法、像素电路_视涯科技股份有限公司_202511292182.9
    本发明提供一种多晶硅二极管及其制作方法、像素电路，包括：氧化物隔离层；多晶硅层，位于氧化物隔离层的上方，多晶硅层包括第一区域和第二区域；多晶硅层在第一区域的部分形成为第二导电型多晶硅层，多晶硅层在第二区域的部分形成为第一导电型多晶硅层，第一...
    2025-12-30
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511165255.8
    本申请提供了一种发光二极管及发光装置。本申请的发光二极管的外延结构中的有源层包括第一序列和第二序列，第一序列和第二序列中In组分的含量不同，具体地，第一序列中第一势阱层和第一势垒层具有第一In含量差，第二序列中第二势阱层和第二势垒层具有第二...
    2025-12-30
  • 一种低工作电流密度青光LED外延结构及其制备方法
    一种低工作电流密度青光LED外延结构及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202511676210.7
    本发明涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种低工作电流密度青光LED外延结构及其制备方法，包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层和P型半导体层；所述多量子阱发光层包括由下至上依次层叠生长的第一浅蓝...
    2025-12-30
  • 一种低工作电流密度绿光LED外延结构及其制备方法
    一种低工作电流密度绿光LED外延结构及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202511685930.X
    本发明涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种低工作电流密度绿光LED外延结构及其制备方法，包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层和P型半导体层；所述多量子阱发光层包括由下至上依次层叠生长的第一蓝光...
    2025-12-30
  • 一种红光高压发光芯片及其制备方法
    一种红光高压发光芯片及其制备方法_西湖烟山科技(杭州)有限公司_202511290282.8
    本发明公开了一种红光高压发光芯片及其制备方法，红光高压发光芯片包括：外延结构，包括沿第一表面指向第二表面的方向依次堆叠的至少两个红色发光器件，以及位于相邻的两个红色发光器件之间的串联隧穿结，串联隧穿结用于串联连接相邻的两个红色发光器件；第一...
    2025-12-30
  • 一种发光二极管及显示装置
    一种发光二极管及显示装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511130355.7
    本发明提供一种发光二极管及显示装置，发光二极管包括半导体叠层，半导体叠层包括依次堆叠的反射层及发光外延层，半导体叠层的边缘区域形成第一台面，被第一台面环绕的半导体叠层的中间部分形成为第二台面，第一台面的高度小于第二台面的高度，并且，第一台面...
    2025-12-30
  • 一种LED芯片及其制作方法
    一种LED芯片及其制作方法_厦门未来显示技术研究院有限公司_202511284237.1
    一种LED芯片及其制作方法，LED芯片包括衬底和层叠于衬底的一侧表面的外延叠层；外延叠层包括依次层叠的N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层；应力释放层包括沿背离N型半导体层的方向依次设置的第一子层、凸部和第二子层；第一子层、凸部和...
    2025-12-30
  • 发光元件、包括该发光元件的显示装置和电子装置、以及用于制造该发光元件的方法
    发光元件、包括该发光元件的显示装置和电子装置、以及用于制造该发光元件的方法_三星显示有限公司_202510631348.9
    提供了一种发光元件、一种包括该发光元件的显示装置和电子装置、以及一种用于制造该发光元件的方法。所述发光元件包括：p型半导体层，包括凹槽；第一绝缘层，在凹槽周围设置在p型半导体层上；发光层，设置在凹槽中，并且具有被p型半导体层和第一绝缘层围绕...
    2025-12-30
  • 一种双色LED芯片结构及其制备方法
    一种双色LED芯片结构及其制备方法_南昌大学_202511316804.7
    本发明提出一种双色LED芯片结构及其制备方法，该芯片结构包括：外延层和电极，外延层包括第一N型层、第一多量子阱层、第一P型层、第二N型层、第二多量子阱层和第二P型层；第一N型层上形成有第一V坑，第一V坑延伸至第一P型层，并被第二N型层填平；...
    2025-12-30
  • 发光二极管、制作方法及发光装置
    发光二极管、制作方法及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511124248.3
    本申请提供了一种发光二极管、制作方法及发光装置，该发光二极管包括基板、位于基板上表面之上的缓冲层以及半导体叠层，半导体叠层由下至上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，缓冲层未被半导体叠层覆盖的至少部分表面设置为粗化结构。通过在缓冲层...
    2025-12-30
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